一种薄膜式EMI滤波器结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出了一种薄膜式EMI滤波器结构及其制造方法。所述薄膜式EMI滤波器结构包括多个芯片和多个基板PAD；所述多个芯片和多个基板PAD均设置于基板上；所述多个芯片和多个基板PAD上均布设一层有机干膜；在与所述基板PAD对应的有机干膜上开设有螺旋式干膜开窗；在所述有机干膜和螺旋式干膜开窗上设置有EMI屏蔽层，并且，所述EMI屏蔽层通过所述螺旋式干膜开窗渗透布设与所述基板PAD的表面上粘合；所述基板与盖板键合形成封装结构。基板与盖板键合形成封装结构。基板与盖板键合形成封装结构。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜式EMI滤波器结构及其制造方法


[0001]本专利技术提出了一种薄膜式EMI滤波器结构及其制造方法，属于薄膜滤波器


技术介绍

[0002]EMI滤波器起到两个低通滤波器的作用：一个是衰减共模干扰，另一个是衰减差模干扰。EMI滤波器能在阻带范围内衰减射频能量，而让工频无衰减，或者很少的衰减，就能通过EMI滤波器。EMI滤波器是电子设备设计工程师控制传导电磁干扰和辐射电磁干扰的首选工具。现有薄膜式EMI滤波器仍然存在抗干扰能力较差的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种薄膜式EMI滤波器结构及其制造方法，用以解决现有滤波器抗电磁干扰能力较差的问题，所采取的技术方案如下：一种薄膜式EMI滤波器结构，所述薄膜式EMI滤波器结构包括多个芯片和多个基板PAD；所述多个芯片和多个基板PAD均设置于基上；所述多个芯片和多个基板PAD上均布设一层有机干膜；在与所述基板PAD对应的有机干膜上开设有螺旋式干膜开窗；在所述有机干膜和螺旋式干膜开窗上设置有EMI屏蔽层，并且，所述EMI屏蔽层通过所述螺旋式干膜开窗渗透布设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜式EMI滤波器结构，其特征在于，所述薄膜式EMI滤波器结构包括多个芯片（3）和多个基板PAD（2）；所述多个芯片（3）和多个基板PAD（2）均设置于基板（1）上；所述多个芯片（3）和多个基板PAD（2）上均布设一层有机干膜（4）；在与所述基板PAD（2）对应的有机干膜上开设有螺旋式干膜开窗（5）；在所述有机干膜（4）和螺旋式干膜开窗（5）上设置有EMI屏蔽层（6），并且，所述EMI屏蔽层（6）通过所述螺旋式干膜开窗（5）渗透布设与所述基板PAD（2）的表面上粘合；所述基板（1）与盖板（7）键合形成封装结构；其中，所述螺旋式干膜开窗（5）包括正方形上开窗口（51）和正方形下底口（52）；所述正方形上开窗口（51）的边长小于所述正方形下底口（52）的边长；所述正方形下底口（52）的边长与所述基板PAD（2）的上表面边长之间具有如下约束条件：其中，L2表示所述正方形下底口（52）的边长；L
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表示所述基板PAD（2）的长边长度；D
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表示所述基板PAD（2）的宽边长度，并且，L
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不超过2.6。2.根据权利要求1所述薄膜式EMI滤波器结构，其特征在于，所述正方形上开窗口（51）的顶角与所述正方形下底口（52）的顶角之间存在扭转夹角α；并且，所述正方形上开窗口（51）的顶角与所述正方形下底口（52）的顶角通过顺时针或逆时针的弧形楞边l对应相连。3.根据权利要求1所述薄膜式EMI滤波器结构，其特征在于，所述正方形上开窗口（51）的边长与所述基板PAD（2）的上表面边长之间具有如下约束条件：其中，L1表示所述正方形上开窗口（51）的边长；L
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表示所述基板PAD（2）的长边长度；D
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表示所述基板PAD（2）的宽边长度，并且，L
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/D
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不超过2.6。4.根据权利要求1所述薄膜式EMI滤波器结构，其特征在于，所述基板PAD（2）包括第一基板PAD（21）和第二基板PAD（22）；所述第一基板PAD（21）设置于每相邻两个芯片（3）之间；所述第二基板PAD（22）设置于所述芯片（3）与封装结构侧壁之间的边界区域所对应的基板（1）的上表面上。5.根据权利要求4所述薄膜式EMI滤波器结构，其特征在于，所述第二基板PAD（22）上的有机干膜的厚度大于所述第一基板PAD（21）上的有机干膜的厚度。6.一种薄膜式EMI滤波器结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
步骤1、在基板（1）上通过SMT工序制备多个芯片（3）和多个基板PAD（2），其中，所述基板PAD（2）分别设置于每相邻两...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零一L二三五五二，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：