一种抗单粒子烧毁的横向功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗单粒子烧毁的横向功率器件，涉及功率半导体器件领域，该横向功率器件中的P

【技术实现步骤摘要】
一种抗单粒子烧毁的横向功率器件


[0001]本技术涉及功率半导体器件领域，尤其是一种抗单粒子烧毁的横向功率器件。

技术介绍

[0002]以LDMOS为典型的横向功率器件更容易与CMOS工艺兼容，同时具有更高的热稳定性、更高的增益、更低的噪音以及恒定的输入阻抗等优点，因此被广泛应用于电力电子系统。但当LDMOS器件处于辐照环境中时，衬底中产生的电子空穴对会被漏极和源极收集，增加器件的漏极缓冲电流，使得器件更容易发生单粒子烧毁效应。

技术实现思路

[0003]本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了一种抗单粒子烧毁的横向功率器件，本技术的技术方案如下：
[0004]一种抗单粒子烧毁的横向功率器件，该横向功率器件包括：
[0005]衬底，P
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阱区和N型漂移区形成在所述衬底的上表面，所述P
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阱区内部包含第一空腔；P+源区和N+源区形成在所述P
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阱区的上表面；N
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漏极缓冲区形成在所述N型漂移区的远离所述P
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阱区的一侧的上表面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子烧毁的横向功率器件，其特征在于，所述横向功率器件包括：衬底(1)，P
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阱区(2)和N型漂移区(3)形成在所述衬底(1)的上表面，所述P
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阱区(2)内部包含第一空腔(4)；P+源区(5)和N+源区(6)形成在所述P
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阱区(2)的上表面；N
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漏极缓冲区(7)形成在所述N型漂移区(3)的远离所述P
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阱区(2)的一侧的上表面，所述N
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漏极缓冲区(7)内部包含第二空腔(8)；N+漏区(9)形成在所述N
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漏极缓冲区(7)的上表面；所述P
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阱区(2)、N型漂移区(3)、P+源区(5)、N+源区(6)、N
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漏极缓冲区(7)和N+漏区(9)的表面还形成有器件顶层，所述器件顶层包括源极(10)、漏极(11)、栅极(12)、氧化层(13)和场板(14)。2.根据权利要求1所述的横向功率器件，其特征在于，所述第一空腔(4)为多边形结构或球形结构或椭球形结构。3.根据权利要求2所述的横向功率器件，其特征在于，所述P+源区(5)和N+源区(6)形成在所述P
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阱区(2)的远离所述N型漂移区(3)的一侧的上表面，所述P
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阱区(2)在纵向剖面上为L型结构，所述第一空腔(4)在纵向剖面上也为L型结构。4.根据权利要求1所述的横向功率器件，其特征在于，所述第一空腔(4)在横向上的长度与所述P
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阱区(2)在横向...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明宇，
申请(专利权)人：江苏芯唐微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：