用于电源管理芯片的电流补偿电路制造技术

本发明专利技术涉及电源管理芯片技术领域,公开了用于电源管理芯片的电流补偿电路，包括MOS管N4、MOS管P6、电压钳位单元、电阻R1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、第三电流镜单元、第四电流镜单元和电容C2，在实际使用时，本发明专利技术在电阻R1接地或者接入电源时，通过让电压钳位单元控制MOS管N4导通或者控制MOS管P6导通，进而使第一电流镜单元或者第二电流镜单元产生电流，该电流最后经过第四电流镜单元镜像后输入到电容C2，产生补偿电流，因此本发明专利技术能在电阻R1的下拉接地和上拉接电源时都能产生补偿电流，适用性较强。适用性较强。适用性较强。

【技术实现步骤摘要】
用于电源管理芯片的电流补偿电路


[0001]本专利技术涉及电源管理芯片
，具体涉及用于电源管理芯片的电流补偿电路。

技术介绍

[0002]电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片，主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出。
[0003]现有电源管理芯片在实际使用时需要外接补偿电阻进行电流补偿，补偿电阻的阻值决定了补偿电流的大小，且补偿电阻未与电源管理芯片电连接的一端只能下拉接地或者上拉接电源，两者不能兼容，缺少一种能同时满足补偿电阻下拉接地和上拉接电源的电流补偿电路。

技术实现思路

[0004]在鉴于
技术介绍
的不足，本专利技术是提供了用于电源管理芯片的电流补偿电路，所要解决的技术问题是现有电流补偿电路不能同时支持补偿电阻下拉接地或者上拉接电源，适用性较差。
[0005]为解决以上技术问题，本专利技术提供了如下技术方案：用于电源管理芯片的电流补偿电路，包括MOS管N4、MOS管P6、电压钳位单元、电阻R1、第一电流镜单元和第二电流镜单元；所述电压钳位单元包括电压输入端、第一电压输出端和第二电压输出端；所述MOS管N4的栅极和MOS管P6的栅极分别与所述第二电压输出端电连接；MOS管N4的漏极与第一电流镜单元的主电流镜单元电连接；MOS管N4的源极分别与MOS管P6的源极和第一电压输出端电连接，MOS管P6的漏极与第二电流镜单元的主电流镜单元电连接；所述第一电压输出端与电阻R1一端电连接；所述电压钳位单元的电压输入端被配置于输入基准电压，所述电压钳位单元将所述第一电压输出端的电压钳位至基准电压大小；在所述电阻R1另一端接地时，所述电压钳位单元将所述第二电压输出端的电压钳位至第二电压，所述第二电压大于所述基准电压；在所述电阻R1另一端接入电源时，所述电压钳位单元将所述第二电压输出端的电压钳位至第三电压，所述第三电压小于所述基准电压。
[0006]在某种实施方式中，所述电压钳位单元包括MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、电阻R2和电容C1；MOS管P1的源极分别与MOS管P2的源极和MOS管P3的源极电连接；MOS管P1的漏极分别与MOS管P1的栅极、MOS管P2的栅极和MOS管P3的栅极电连接；MOS管P2的漏极分别与MOS管P4的源极和MOS管P5的源极电连接；MOS管P4的栅极为第一电压输出端，与所述电阻R1一端电连接；MOS管P4的漏极分别与MOS管N1的漏极、MOS管N1的栅极和MOS管N2的栅极电连接，MOS管N1的源极分别与MOS管N2的源极和MOS管N3的源极电连接；
MOS管P5的栅极为电压输入端，MOS管P5的漏极分别与MOS管N2的漏极、电阻R2一端和MOS管N3的栅极电连接，电阻R2另一端与电容C1一端电连接，电容C1另一端为第二电压输出端，分别与MOS管P3的漏极和MOS管N3的漏极电连接。
[0007]在某种实施方式中，本专利技术还包括第三电流镜单元、第四电流镜单元和电容C2，所述第一电流镜单元的从电流镜单元与第三电流镜单元的主电流镜单元电连接；所述第三电流镜单元的从电流镜单元和所述第二电流镜单元的从电流镜单元分别与所述第四电流镜单元的主电流镜单元电连接，所述第四电流镜单元的从电流镜单元与所述电容C2一端电连接。
[0008]在某种实施方式中，所述第一电流镜单元的主电流镜单元包括MOS管P7，所述第一电流镜单元的从电流镜单元包括MOS管P9；MOS管P7的源极与MOS管P9的源极电连接，MOS管P7的漏极分别与MOS管N4的漏极、MOS管P7的栅极和MOS管P9的栅极电连接，MOS管P9的漏极与第三电流镜单元的主电流镜单元电连接；所述第二电流镜单元的主电流镜单元包括MOS管N5，所述第二电流镜单元的从电流镜单元包括MOS管N7；MOS管N5的漏极分别与MOS管P6的漏极、MOS管N5的栅极和MOS管N7的栅极电连接，MOS管N5的源极与MOS管N7的源极电连接，MOS管N7的漏极与第四电流镜单元的主电流镜单元电连接。
[0009]在某种实施方式中，所述第一电流镜单元的从电流镜单元还包括MOS管P8，所述第二电流镜单元的从电流镜单元还包括MOS管N6；MOS管P8的源极与MOS管P7的源极电连接，MOS管P8的栅极与MOS管P7的栅极电连接，MOS管P8的漏极分别与反相器X1的输入端和MOS管N6的漏极电连接；MOS管N6的栅极与MOS管N5的栅极电连接，MOS管N6的源极与MOS管N5的源极电连接。
[0010]在某种实施方式中，所述第三电流镜单元的主电流镜单元包括MOS管N8，所述第三电流镜单元的从电流镜单元包括MOS管N9；MOS管N8的漏极分别与MOS管P9的漏极、MOS管N8的栅极和MOS管N9的栅极电连接；MOS管N8的源极与MOS管N9的源极电连接；MOS管N9的漏极与第四电流镜单元的主电流镜单元电连接。
[0011]在某种实施方式中，所述第四电流镜单元的主电流镜单元包括MOS管P10和MOS管P11，所述第四电流镜单元的从电流镜单元包括MOS管P12和MOS管P13；MOS管P10的源极与MOS管P12的源极电连接；MOS管P10的漏极分别与MOS管P11的源极、MOS管P10的栅极和MOS管P12的栅极电连接，MOS管P12的漏极与MOS管P13的源极电连接；MOS管P11的漏极分别与MOS管N9的漏极、MOS管N7的漏极、MOS管P11的栅极和MOS管P13的栅极电连接，MOS管P13的漏极与电容C2一端电连接。
[0012]本专利技术与现有技术相比所具有的有益效果是：在实际使用时，当电阻R1另一端接地时，由于第二电压大于基准电压，则MOS管N4导通、MOS管P6关断，第一电流镜单元的主电流镜单元产生电流I1，假设基准电压大小为Vbias，电流I1大小为Vbias/R1；当电阻R1另一端接电源时，由于第三电压小于基准电压，则MOS管N4关断，MOS管P6导通，第二电流镜单元产生电流I2，假设电源的电压大小为VDD，则电流I2的大小为（VDD
‑
Vbias）/R1，因此本专利技术可以在补偿电阻即电阻R1下拉接地或者上拉接电源时均能产生补偿电流，适用性较强；
另外由于电流I1经第一电流镜单元的从电流镜单元、第三电流镜单元和第四电流镜单元镜像后输入到电容C2一端，电容C2另一端输出补偿电流，电流I2经第二电流镜单元的从电流镜单元和第四电流镜单元镜像后输入到电容C2一端，电容C2另一端输出补偿电流；因此无论电阻R1下拉接地还是上拉接电源，通过本专利技术的第三电流镜单元和第四电流镜单元可以最终输出一路补偿电流。
附图说明
[0013]图1为本专利技术的结构示意图；图2为电压钳位单元与电阻R1的连接电路图；图3为MOS管N4、MOS管P6和四个电流镜单元的第一种电路图；图4为MOS管N4、MOS管P6和四个电流镜单元的第二种电路图。
具体实施方式
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于电源管理芯片的电流补偿电路，其特征在于，包括MOS管N4、MOS管P6、电压钳位单元、电阻R1、第一电流镜单元和第二电流镜单元；所述电压钳位单元包括电压输入端、第一电压输出端和第二电压输出端；所述MOS管N4的栅极和MOS管P6的栅极分别与所述第二电压输出端电连接；MOS管N4的漏极与第一电流镜单元的主电流镜单元电连接；MOS管N4的源极分别与MOS管P6的源极和第一电压输出端电连接，MOS管P6的漏极与第二电流镜单元的主电流镜单元电连接；所述第一电压输出端与电阻R1一端电连接；所述电压钳位单元的电压输入端被配置于输入基准电压，所述电压钳位单元将所述第一电压输出端的电压钳位至基准电压大小；在所述电阻R1另一端接地时，所述电压钳位单元将所述第二电压输出端的电压钳位至第二电压，所述第二电压大于所述基准电压；在所述电阻R1另一端接入电源时，所述电压钳位单元将所述第二电压输出端的电压钳位至第三电压，所述第三电压小于所述基准电压。2.根据权利要求1所述的用于电源管理芯片的电流补偿电路，其特征在于，所述电压钳位单元包括MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、电阻R2和电容C1；MOS管P1的源极分别与MOS管P2的源极和MOS管P3的源极电连接；MOS管P1的漏极分别与MOS管P1的栅极、MOS管P2的栅极和MOS管P3的栅极电连接；MOS管P2的漏极分别与MOS管P4的源极和MOS管P5的源极电连接；MOS管P4的栅极为第一电压输出端，与所述电阻R1一端电连接；MOS管P4的漏极分别与MOS管N1的漏极、MOS管N1的栅极和MOS管N2的栅极电连接，MOS管N1的源极分别与MOS管N2的源极和MOS管N3的源极电连接；MOS管P5的栅极为电压输入端，MOS管P5的漏极分别与MOS管N2的漏极、电阻R2一端和MOS管N3的栅极电连接，电阻R2另一端与电容C1一端电连接，电容C1另一端为第二电压输出端，分别与MOS管P3的漏极和MOS管N3的漏极电连接。3.根据权利要求1所述的用于电源管理芯片的电流补偿电路，其特征在于，还包括第三电流镜单元、第四电流镜单元和电容C2，所述第一电流镜单元的从电流镜单元与第三电流镜单元的主电流镜单元电连接；所述第三电流镜单元的从电流镜单元和所述第二电流镜单元的从电流镜单元分别与所述第四电流镜单元的主电流镜单元电连接，所述第四电流镜单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗寅，陈朝勇，谭在超，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：