【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及sic mosfet驱动，具体涉及一种sic mosfet驱动电路、控制芯片和开关电源。
技术介绍
1、pwm驱动技术是一种重要的电子控制技术，被广泛应用于电机控制、电源管理和照明控制等各种领域中，其主要原理为通过一个比较器将一个参考信号与一个锯齿波信号进行比较，从而产生一个宽度可调的脉冲信号，而通过调节方波信号的脉冲宽度来实现对被控对象的控制，其中被控对象大多为基于硅基的mosfet，通过控制硅基的mosfet的通断来控制输出电压大小。
2、在现有pwm驱动的电路架构中，其几乎都是用于驱动基于硅基的mosfet（下面简称硅基mosfet ），不适用于驱动基于sic的mosfet（下面简称sic mosfet）。与硅基mosfet 相比，sic mosfet 具有导通电阻低、能量损耗低、电流密度高和可实现高频开关等优势。但是在实际使用时，正是由于sic mosfet的开关速度快和电压变化速度快，因此很容易造成栅极串扰，一旦栅极串扰电压δvgs超过sic mosfet阈值电压vth时，sic mosfet存在误开...
【技术保护点】
1. 一种SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，包括上开关单元、下开关单元、负压电荷泵、钳压单元、电平转换单元和信号处理单元；
2. 根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，所述上开关单元包括三极管Q1和三极管Q2，所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极电连接，为上开关单元的输入端，三极管Q1的基极为上开关单元的控制端，三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极电连接，三极管Q2的发射极为上开关单元的输出端。
3. 根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，所述下开关单元包括MOS管M1，MO...
【技术特征摘要】
1. 一种sic mosfet驱动电路，其特征在于，包括上开关单元、下开关单元、负压电荷泵、钳压单元、电平转换单元和信号处理单元；
2. 根据权利要求1所述的一种sic mosfet驱动电路，其特征在于，所述上开关单元包括三极管q1和三极管q2，所述三极管q1的集电极与三极管q2的集电极电连接，为上开关单元的输入端，三极管q1的基极为上开关单元的控制端，三极管q1的发射极与三极管q2的基极电连接，三极管q2的发射极为上开关单元的输出端。
3. 根据权利要求1所述的一种sic mosfet驱动电路，其特征在于，所述下开关单元包括mos管m1，mos管m1的漏极为下开关单元的输出端，mos管m1的栅极为下开关单元的控制端，mos管m1的源极为下开关单元的输入端。
4. 根据权利要求1所述的一种sic mosfet驱动电路，其特征在于，所述钳压单元包括钳压二极管，所述电平转换单元的电压输出端与钳压二极管的负极电连接，钳压二极管的正极接地。
5. 根据权利要求1所述的一种sic mosfet驱动电路，其特征在于，所述信号处理单元包括反相器，反相器的输入端为信号处理单元的输入端，反相器的输出端为信号处理单...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭在超，涂才根，罗寅，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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