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本发明涉及SiC MOSFET驱动技术领域,公开了一种SiC MOSFET驱动电路、控制芯片和开关电源，SiC MOSFET驱动电路包括上开关单元、下开关单元、负压电荷泵、钳压单元、电平转换单元和信号处理单元；在实际使用时，当需要输出高电平...
该专利属于苏州锴威特半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锴威特半导体股份有限公司授权不得商用。

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