与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种与DC

【技术实现步骤摘要】
与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路


[0001]本技术涉及DC
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DC变换器和LDO等效电路领域，尤其涉及一种与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路。

技术介绍

[0002]DC
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DC变换器（Direct current
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Direct current converter）是一种在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能的装置，其采用微电子技术，把小型表面安装集成电路与微型电子元器件组装成一体而构成。
[0003]LDO（low dropout regulator），是一种低压差线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。
[0004]在需要同时使用两路输入3.3V的电压分别输出1.9V和2.0V的电压的DC
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DC变换器电路和一路输入3.3V电压输出1.8V电压的LDO低压差线性稳压器电路的组合式电路中，往往需要将将DC
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DC变换器和LDO低压差线性稳压器集成在一个电路中使用，这样不仅在使用过程中需要调试组合电路中不同DC
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DC变换器电路和LDO电路的上电顺序，而且还需要使用大量电子元器件使得电路板体积增大，大大增加了生产成本，因此现在亟需一种只需使用少量电子元器件就可以代替DC
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DC变换器和LDO组合式电路达到相同输出效果的等效电路。

技术实现思路

[0005]本技术公开了一种与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，以解决上述
技术介绍
中如何只需使用少量电子元器件就可以代替需要同时使用两路输DC
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DC变换器电路和一路LDO电路的组合式电路，并达到相同输出效果的等效电路的问题。
[0006]为解决上述技术问题，现提出以下技术方案：
[0007]一种与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，包括：
[0008]第一输入端，与降压模块的一端耦接，另一端与第一输出端耦接，以形成第一输出回路，第二输出端耦接于所述第一输入端与降压模块的连接点上现成第二输出回路，且所述第二输出端的输入电压与输出电压相等；
[0009]控制端，耦接于第一耗尽型NMOS管的栅极，用于控制所述第一耗尽型NMOS管的通断，所述第一输入端与所述第一耗尽型NMOS管的漏极耦接，所述第一耗尽型NMOS管的源极与第三输出端耦接，以形成第三输出回路。
[0010]作为优选，还包括第一电容和滤波电路模块，所述第一电容的一端与所述控制端和所述栅极的连接点耦接，所述第一电容的另一端连接所述滤波电路模块的一端，所述滤波电路模块的另一端与所述第三输出端耦接。
[0011]作为优选，所述滤波电路模块包括第二电容和第三电容，所述第二电容的一端与所述第一电容耦合，另一端与所述第三输出端耦接，所述第三电容与所述第二电容并联连接，且所述第二电容连接所述第一电容的一端接地，其中所述第三电容的容量小于所述第
二电容的容量。
[0012]作为优选，所述控制端包括第二输入端和上拉电阻，所述第二输入端与所述上拉电阻的一端耦接，所述上拉电阻的另一端与所述栅极耦接。
[0013]作为优选，还包括第二耗尽型NMOS管，所述第二耗尽型NMOS管的漏极与所述第一耗尽型NMOS管的漏极耦接，所述第二耗尽型NMOS管的源极与所述第一耗尽型NMOS管的源极耦接，所述第二耗尽型NMOS管的栅极与所述第一耗尽型NMOS管的栅极耦接。
[0014]作为优选，所述降压模块包括降压电阻，所述降压电阻的一端与所述第一输入端耦接，另一端与所述第一输出端耦接。
[0015]作为优选，还包括第四电容，所述第一耗尽型NMOS管的漏极与所述第二输入端的连接点与所述第四电容的一端耦接，所述第四电容的另一端接地。
[0016]作为优选，还包括第五电容，所述第五电容的一端与所述第一输出端耦接，所述第五电容的另一端接地。
[0017]作为优选，还包括第六电容，所述第六电容的一端与所述第二输出端耦接，所述第六电容的另一端接地。
[0018]有益之处：本技术公开了一种与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，在本申请中第一输入端与第二输入端分别输入2V和3.3V的电压，而第一输入端和第二输入端处于同一网路，因此第二输入端之间等价输出2V电压，而第一输入端输入的电压通过降压电阻后在第二输出端输出1.8V的电压，在等效电路中还设有第一耗尽型NMOS管，第二输入端输入电压通过上拉电阻为第一耗尽型NMOS管的栅极提供3.3V的高电平，第一耗尽型NMOS管的源极和漏极导通，同时在栅极3.3V的电压和源极2V电压的共同作用下，改变第一耗尽型NMOS管的源极和漏极之间的导通电阻，使第一耗尽型NMOS管的源极和漏极之间出现0.1V的压差，进而使第三输出端输出1.9V电压，通过上述等效电路替代一路输入3.3V输出1.8V的LDO电路和两路输入3.3V分别输出1.9V和2V电压的DC
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DC电路，不仅符合上电时序的要求，而且还大大减小了电路体积，降低了生产成本。
附图说明
[0019]图1为现有的输入3.3V电压输出1.8V电压的LDO电路图；
[0020]图2为现有的输入3.3V电压输出1.9V电压的DC
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DC变换器电路图；
[0021]图3为现有的输入3.3V电压输出2V电压的DC
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DC变换器电路图；
[0022]图4为本技术电路图。
[0023]主要元件符号说明如下：
[0024]IN1、第一输入端；IN2、第二输入端；
[0025]out1、第一输出端；out2、第二输出端；out3、第三输出端；
[0026]R1、降压电阻；R2、上拉电阻；
[0027]C1、第一电容；C2、第二电容；C3、第三电容；C4、第四电容；C5、第五电容；C6、第六电容；
[0028]Q1、第一耗尽型NMOS管；Q2、第二耗尽型NMOS管。
具体实施方式
[0029]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0030]以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，包括：第一输入端，与降压模块的一端耦接，另一端与第一输出端耦接，以形成第一输出回路，第二输出端耦接于所述第一输入端与降压模块的连接点上现成第二输出回路，且所述第二输出端的输入电压与输出电压相等；控制端，耦接于第一耗尽型NMOS管的栅极，用于控制所述第一耗尽型NMOS管的通断，所述第一输入端与所述第一耗尽型NMOS管的漏极耦接，所述第一耗尽型NMOS管的源极与第三输出端耦接，以形成第三输出回路。2.根据权利要求1所述的与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，还包括第一电容和滤波电路模块，所述第一电容的一端与所述控制端和所述第一耗尽型NMOS管的栅极的连接点耦接，所述第一电容的另一端连接所述滤波电路模块的一端，所述滤波电路模块的另一端与所述第三输出端耦接。3.根据权利要求2所述的与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，所述滤波电路模块包括第二电容和第三电容，所述第二电容的一端与所述第一电容耦合，另一端与所述第三输出端耦接，所述第三电容与所述第二电容并联连接，且所述第二电容连接所述第一电容的一端接地，其中所述第三电容的容量小于所述第二电容的容量。4.根据权利要求2所述的与DC
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DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，所述控制端包括第二输入端和上拉电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨元仁，
申请(专利权)人：杨元仁，
类型：新型
国别省市：