一种输出稳定倍压的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种输出稳定倍压的电路，属于输出稳定电路技术领域，包括三极管Q3、三极管Q4和三极管Q2以及三极管Q1，所述三极管Q3的C极电性连接电阻R5的一端、电阻R4的一端和电源12V，三极管Q3的B极电性连接电阻R5的另一端、三极管Q2的C极以及三极管Q4的B极，三极管Q3的E极电性连接三极管Q4的E极、电阻R6的一端，三极管Q4的C极接地，三极管Q2的B极电性连接三极管Q1的C极和电阻R4的另一端，三极管Q1的C极电性连接电阻R4的另一端，通过三极管NPN型Q3开通时,在一定的频率和占空比范围内，端电压保持倍压输出，表现出倍压特性，能够通过输出稳定的倍压降低开通电压不足对场效应管(MOSFET)的影响；同时可以避免在极端情况下造成MOSFET的损坏。成MOSFET的损坏。成MOSFET的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种输出稳定倍压的电路


[0001]本技术涉及一种输出稳定电路，特别是涉及一种输出稳定倍压的电路，属于输出稳定电路


技术介绍

[0002]电压是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量，稳定的倍压是在数字电路和模拟电路中最广泛的要求，数字电路和模拟电路中，不稳定的倍压会造成MOSFET的误判，极端情况下，会导致MOSFET损坏，然后现在倍压的电路稳定性差，易造成MOSFET的损坏，鉴于此，我们提出一种输出稳定倍压的电路。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的是为了提供一种输出稳定倍压的电路，通过三极管Q3开通时,在一定的频率和占空比范围内，端电压保持倍压输出，表现出倍压特性，能够通过输出稳定的倍压降低开通电压不足对场效应管(MOSFET)的影响；同时可以避免在极端情况下造成MOSFET的损坏。
[0004]本技术的目的可以通过采用如下技术方案达到：
[0005]一种输出稳定倍压的电路，包括三极管Q3、三极管Q4和三极管Q2以及三极管Q1，所述三极管Q3的C极电性连接电阻R5的一端、电阻R4的一端和电源12V，三极管Q3的B极电性连接电阻R5的另一端、三极管Q2的C极以及三极管Q4的B极，三极管Q3的E极电性连接三极管Q4的E极、电阻R6的一端，三极管Q4的C极接地，三极管Q2的B极电性连接三极管Q1的C极和电阻R4的另一端，三极管Q1的C极电性连接电阻R4的另一端。
[0006]优选的，所述三极管Q1的E极接地，三极管Q2的E极也接地。
[0007]优选的，所述电阻R6的另一端电性连接电容C1的一端，电容C1的另一端电性连接二极管D1的阳极和二极管D2的阴极，二极管D1的阴极电性连接电容C2的一端，电容C2的另一端电性连接二极管D2的阳极以及12V电源。
[0008]优选的，三极管Q1的B极电性连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端电性连接电阻R2的一端和电阻R1的一端，电阻R2的另一端接地。
[0009]优选的，三极管Q3的C极电性连接12V电源，二极管D1的阴极输出电源。
[0010]优选的，二极管D1和D2采用型号为BAV99，三极管Q3、Q1、Q2采用型号为BC817，三极管Q4采用型号为BC807。
[0011]本技术的有益技术效果：
[0012]本技术提供的一种输出稳定倍压的电路，通过电容C1的一端对二极管对D1的阴极进行电荷充电使Vout的电压呈现周期性的倍压电压，在一定的电压范围内或者说在一定功率损耗范围内，端电压都可以呈现倍压电压，表现出倍压特性，能够通过输出稳定的倍压降低电压对MOSFET造成的影响，同时可以避免在极端情况下造成MOSFET的损坏，其中，二极管D1用于对电压起叠加作用，把电压叠加为倍压电压，当然这种转换仍然遵循能量守恒，
从而实现主电路产生倍压电压，提高稳定性。
[0013]电容C1和二极管对D1之间满足如下定义：
[0014]VC1＝Vin
‑
VD1；
[0015]Vout＝2*Vin；
[0016]其中，VC1为电容C1端电压，Vin为输入电压，VD1为二极管对D1电压，Vout为输出电压，系数2为目标倍压系数。
[0017]通过三极管Q3开通时,在一定的频率和占空比范围内，端电压保持倍压输出，表现出倍压特性，能够通过输出稳定的倍压降低开通电压不足对场效应管(MOSFET)的影响；同时可以避免在极端情况下造成MOSFET的损坏。
附图说明
[0018]图1为按照本技术的一种输出稳定倍压的电路的一优选实施例的电路图；
[0019]图2为按照本技术的一种输出稳定倍压的电路的一优选实施例的实测波形示意图。
具体实施方式
[0020]为使本领域技术人员更加清楚和明确本技术的技术方案，下面结合实施例及附图对本技术作进一步详细的描述，但本技术的实施方式不限于此。
[0021]如图1
‑
图2所示，本实施例提供的一种输出稳定倍压的电路，包括三极管Q3、三极管Q4和三极管Q2以及三极管Q1，所述三极管Q3的C极电性连接电阻R5的一端、电阻R4的一端和电源12V，三极管Q3的B极电性连接电阻R5的另一端、三极管Q2的C极以及三极管Q4的B极，三极管Q3的E极电性连接三极管Q4的E极、电阻R6的一端，三极管Q4的C极接地，三极管Q2的B极电性连接三极管Q1的C极和电阻R4的另一端，三极管Q1的C极电性连接电阻R4的另一端。
[0022]通过电容C1的一端对二极管对D1的阴极进行电荷充电使Vout的电压呈现周期性的倍压电压，在一定的电压范围内或者说在一定功率损耗范围内，端电压都可以呈现倍压电压，表现出倍压特性，能够通过输出稳定的倍压降低电压对MOSFET造成的影响，同时可以避免在极端情况下造成MOSFET的损坏，其中，二极管D1用于对电压起叠加作用，把电压叠加为倍压电压，当然这种转换仍然遵循能量守恒，从而实现主电路产生倍压电压，提高稳定性。
[0023]电容C1和二极管对D1之间满足如下定义：
[0024]VC1＝Vin
‑
VD1；
[0025]Vout＝2*Vin；
[0026]其中，VC1为电容C1端电压，Vin为输入电压，VD1为二极管对D1电压，Vout为输出电压，系数2为目标倍压系数。
[0027]通过三极管Q3开通时,在一定的频率和占空比范围内，端电压保持倍压输出，表现出倍压特性，能够通过输出稳定的倍压降低开通电压不足对场效应管(MOSFET)的影响；同时可以避免在极端情况下造成MOSFET的损坏。
[0028]在本实施例中，所述三极管Q1的E极接地，三极管Q2的E极也接地。
[0029]在本实施例中，所述电阻R6的另一端电性连接电容C1的一端，电容C1的另一端电
性连接二极管D1的阳极和二极管D2的阴极，二极管D1的阴极电性连接电容C2的一端，电容C2的另一端电性连接二极管D2的阳极以及12V电源。
[0030]在本实施例中，三极管Q1的B极电性连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端电性连接电阻R2的一端和电阻R1的一端，电阻R2的另一端接地。
[0031]在本实施例中，三极管Q3的C极电性连接12V电源，二极管D1的阴极输出电源。
[0032]在本实施例中，二极管D1和D2采用型号为BAV99，三极管Q3、Q1、Q2采用型号为BC817，三极管Q4采用型号为BC807。
[0033]以上，仅为本技术进一步的实施例，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术所公开的范围内，根据本技术的技术方案及其构思加以等同替换或改变，都属于本技术的保护范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输出稳定倍压的电路，其特征在于：包括三极管Q3、三极管Q4和三极管Q2以及三极管Q1，所述三极管Q3的C极电性连接电阻R5的一端、电阻R4的一端和电源12V，三极管Q3的B极电性连接电阻R5的另一端、三极管Q2的C极以及三极管Q4的B极，三极管Q3的E极电性连接三极管Q4的E极、电阻R6的一端，三极管Q4的C极接地，三极管Q2的B极电性连接三极管Q1的C极和电阻R4的另一端，三极管Q1的C极电性连接电阻R4的另一端。2.根据权利要求1所述的一种输出稳定倍压的电路，其特征在于：所述三极管Q1的E极接地，三极管Q2的E极也接地。3.根据权利要求2所述的一种输出稳定倍压的电路，其特征在于：所述电阻R6的另一端电性连接电容C1的一端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金祥，陈素华，
申请(专利权)人：诚远电子苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：