一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法技术

本发明专利技术提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，晶圆的上表面已完成后段工艺；后段工艺包括形成通孔的刻蚀及形成铜互连结构；对晶圆的上下表面进行预清洗，以去除晶圆上下表面的静电；利用uDHF溶液对晶圆的上表面进行第一主清洗，利用uDHF溶液对晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；利用去离子水对晶圆的上表面进行第三主清洗，时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；利用去离子水对晶圆上表面进行第三主清洗，时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。本发明专利技术通过改进湿法刻蚀工艺来改善聚合物残留导致的缺陷，DICO2预清洗可使电荷释放从而加强后续UDHF的主清洗能力，并且主清洗增强了清洗能力，使得聚合物更容易去除。使得聚合物更容易去除。使得聚合物更容易去除。

【技术实现步骤摘要】
一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法。

技术介绍

[0002]在晶圆制造过程中，在后段金属填充后的站点常出现晶圆中心分布有聚合物残留导致的缺陷,这种缺陷是由于第一金属层形成后的湿法清洗导致的。若聚合物残留存在于沟槽处可能会造成铜线缺失。
[0003]因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，用于解决现有技术中由于的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，至少包括：
[0006]步骤一、提供晶圆，所述晶圆包含上表面和下表面，所述晶圆的上表面已完成后段刻蚀；
[0007]步骤二、对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗，以去除所述晶圆上表面和下表面的静电；
[0008]步骤三、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗，以去除所述晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，所述晶圆包含上表面和下表面，所述晶圆的上表面已完成后段工艺；所述后段工艺包括形成通孔的刻蚀以及形成铜互连结构；步骤二、对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗，以去除所述晶圆上表面和下表面的静电；步骤三、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；步骤四、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；步骤五、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；步骤六、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。2.根据权利要求1所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的清洗液为DICO2，所述DICO2为混合有二氧化碳的去离子水。3.根据权利要求2所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的过程中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李思汗，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：