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本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，晶圆的上表面已完成后段工艺；后段工艺包括形成通孔的刻蚀及形成铜互连结构；对晶圆的上下表面进行预清洗，以去除晶圆上下表面的静电；利用uDHF溶液对晶圆的上表面进行第一主清洗，利用uDHF溶液对晶圆...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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