显示背板及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种显示背板及其制作方法；该显示背板包括多个第一薄膜晶体管及多个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层及第一栅极层，第一有源层包括低温多晶硅，第二薄膜晶体管包括第二有源层，第二有源层包括金属氧化物，至少一第一栅极层包括第一栅极单元和第一阻氢单元，第一阻氢单元位于第一栅极单元与第一有源层之间；本发明专利技术通过在低温多晶硅薄膜晶体管的有源层上方的栅极层中设置阻氢单元，在补氢制程中，阻氢单元对低温多晶硅薄膜晶体管的有源层具有阻挡氢扩散的作用，从而提高整体显示背板补氢的均一性，减少补氢对有源层的影响，增大低温多晶硅薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高低灰阶下显示的色亮均匀性，改善显示效果。改善显示效果。改善显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示背板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种显示背板及其制作方法。

技术介绍

[0002]近些年，将低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物晶体管结合在同一个像素电路的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)新技术应运而生，现有的制程中，会对低温多晶硅薄膜晶体管进行补氢制程，由于补氢的均匀性及精度难于控制，对低温多晶硅有源层的沟道影响较大，导致低温多晶硅薄膜晶体管的电性的亚阈值摆幅减小，导致在测试点灯时，出现低灰阶下的色亮不均等显示问题。
[0003]因此，亟需一种显示背板及其制作方法以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种显示背板及其制作方法，可以缓解目前低温多晶硅薄膜晶体管的电性的亚阈值摆幅较小的技术问题。
[0005]本专利技术提供一种显示背板，包括：
[0006]多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层及第一栅极层，所述第一有源层包括低温多晶硅；
[0007]多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括金属氧化物；
[0008]其中，至少一所述第一栅极层包括第一栅极单元和第一阻氢单元，所述第一阻氢单元位于所述第一栅极单元与所述第一有源层之间。
[0009]优选的，所述第一薄膜晶体管还包括第二栅极层，所述第二栅极层位于所述第一栅极层远离所述第一有源层一侧；其中，至少一所述第二栅极层包括第二栅极单元和第二阻氢单元，所述第二阻氢单元位于所述第二栅极单元与所述第一有源层之间。
[0010]优选的，所述第一栅极单元、及所述第二栅极单元的材料相同；所述第一阻氢单元、及所述第二阻氢单元的材料相同，所述第一阻氢单元与所述第一栅极单元的材料不同；其中，所述第一阻氢单元的材料包括钛。
[0011]优选的，所述第一栅极单元与所述第一阻氢单元一体设置，所述第二栅极单元与所述第二阻氢单元一体设置；其中，所述第一栅极单元与所述第一阻氢单元为钛合金，所述第二栅极单元与所述第二阻氢单元为钛合金。
[0012]优选的，所述第二薄膜晶体管还包括第三栅极层、及第四栅极层，所述第三栅极层与所述第二栅极层同层设置，所述第四栅极层位于所述第二有源层远离所述第三栅极层一侧；其中，至少一所述第三栅极层包括第三栅极单元和第三阻氢单元，所述第三阻氢单元位于所述第三栅极单元远离所述第二有源层一侧，至少一所述第四栅极层包括第四栅极单元和第四阻氢单元，所述第三阻氢单元位于所述第三栅极单元远离所述第二有源层一侧。
[0013]优选的，所述第三栅极单元与所述第三阻氢单元一体设置，所述第四栅极单元与
所述第四阻氢单元一体设置；其中，所述第三栅极单元与所述第三阻氢单元为钛合金，所述第四栅极单元与所述第四阻氢单元为钛合金。
[0014]优选的，所述第一薄膜晶体管还包括第一源漏极层，所述第二有源层位于所述第一源漏极层远离所述第一有源层一侧。
[0015]优选的，所述第一薄膜晶体管还包括第一源漏极层，所述第一源漏极层与所述第二有源层同层设置。
[0016]本专利技术还提供一种显示背板的制作方法，包括：
[0017]提供一衬底；
[0018]在所述衬底上形成包括低温多晶硅的第一有源层；
[0019]在所述第一有源层远离所述衬底一侧形成包括第一阻氢单元和第一栅极单元的第一栅极层；
[0020]在所述第一栅极层远离所述衬底一侧形成包括金属氧化物的第二有源层；
[0021]其中，所述第一阻氢单元位于所述第一栅极单元与所述第一有源层之间。
[0022]优选的，所述在所述第一栅极层远离所述衬底一侧形成包括金属氧化物的第二有源层的步骤包括：在所述第一栅极层远离所述衬底一侧形成包括多个第一过孔的第一层间绝缘层，所述第一过孔使所述第一有源层裸露；对所述第一层间绝缘层与所述衬底之间的膜层进行高温退火；在所述第一层间绝缘层远离所述衬底一侧形成包括金属氧化物的第二有源层。
[0023]本专利技术有益效果：本专利技术通过在低温多晶硅薄膜晶体管的有源层上方的栅极层中设置阻氢单元，在补氢制程中，阻氢单元对低温多晶硅薄膜晶体管的有源层具有阻挡氢扩散的作用，从而提高整体显示背板补氢的均一性，减少补氢对第一有源层的影响，增大了低温多晶硅薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了低灰阶下显示的色亮均匀性，改善了显示效果。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本专利技术实施例提供的显示背板的第一种结构的结构示意图；
[0026]图2是本专利技术实施例提供的显示背板的第二种结构的结构示意图；
[0027]图3是本专利技术实施例提供的显示背板的第三种结构的结构示意图；
[0028]图4是本专利技术实施例提供的显示背板的第四种结构的结构示意图；
[0029]图5是本专利技术实施例提供的显示背板的制作方法的步骤流程图；
[0030]图6A、图6B是本专利技术实施例提供的显示背板的制作方法的第一种流程示意图；
[0031]图7A、图7B是本专利技术实施例提供的显示背板的制作方法的第二种流程示意图；
[0032]图8是本专利技术实施例提供的显示模组的结构示意图；
[0033]图9是本专利技术实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0035]近些年，将低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物晶体管结合在同一个像素电路的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)新技术应运而生，现有的制程中，会对低温多晶硅薄膜晶体管进行补氢制程，由于补氢的均匀性及精度难于控制，对低温多晶硅有源层的沟道影响较大，导致低温多晶硅薄膜晶体管的电性的亚阈值摆幅减小，导致在测试点灯时，出现低灰阶下的色亮不均等显示问题。
[0036]请参阅图1至图4，本专利技术实施例提供一种显示背板100，包括：
[0037]多个第一薄膜晶体管200，所述第一薄膜晶体管200包括第一有源层210及第一栅极层220，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示背板，其特征在于，包括：多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层及第一栅极层，所述第一有源层包括低温多晶硅；多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括金属氧化物；其中，至少一所述第一栅极层包括第一栅极单元和第一阻氢单元，所述第一阻氢单元位于所述第一栅极单元与所述第一有源层之间。2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第二栅极层，所述第二栅极层位于所述第一栅极层远离所述第一有源层一侧；其中，至少一所述第二栅极层包括第二栅极单元和第二阻氢单元，所述第二阻氢单元位于所述第二栅极单元与所述第一有源层之间。3.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，所述第一栅极单元、及所述第二栅极单元的材料相同；所述第一阻氢单元、及所述第二阻氢单元的材料相同，所述第一阻氢单元与所述第一栅极单元的材料不同；其中，所述第一阻氢单元的材料包括钛。4.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，所述第一栅极单元与所述第一阻氢单元一体设置，所述第二栅极单元与所述第二阻氢单元一体设置；其中，所述第一栅极单元与所述第一阻氢单元为钛合金，所述第二栅极单元与所述第二阻氢单元为钛合金。5.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第三栅极层、及第四栅极层，所述第三栅极层与所述第二栅极层同层设置，所述第四栅极层位于所述第二有源层远离所述第三栅极层一侧；其中，至少一所述第三栅极层包括第三栅极单元和第三阻氢单元，所述第三阻氢单元位于所述第三栅极单元远离...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪亚民，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：