显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括：衬底，第一半导体层，设置在衬底的一侧；第一金属层，设置在第一半导体层远离衬底的一侧，第一金属层包括第一栅极，第一栅极与第一半导体层重叠设置；第二金属层，设置在第一金属层远离衬底的一侧，第二金属层包括第二栅极，第二半导体层，设置在第二金属层远离衬底的一侧，第二半导体层包括金属氧化物，第二栅极与第二半导体层重叠设置；第三金属层，设置在第二半导体层远离衬底的一侧，第三金属层包括第三栅极，第三栅极与第二半导体层重叠设置，其中，第三栅极靠近第二半导体层的一侧设置有第一吸氧金属层，第一吸氧金属层与第二半导体层重叠设置。本申请可改善显示面板的显示效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置


[0001]本申请属于显示设备
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，以铟镓锌氧化物作为半导体沟道层材料的IGZO薄膜晶体管有着迁移率高、均一性好、透明、工艺简单等优点。由IGZO
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TFT驱动的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管(Organic Light
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Emitting Diode,OLED)面板具有高精度、低功耗与高触控性能等诸多性能优势，其相对于传统非晶硅(a
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Si)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，IGZO
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TFT器件在场效应迁移率、开关电流比、阀值电压以及亚阀值系数等方面的系数均表现更为优异，因此被作为TFT的有源层广泛应用于有源矩阵液晶显示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AMLCD)和有源矩阵有机发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底，第一半导体层，设置在所述衬底的一侧；第一金属层，设置在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层包括第一栅极，所述第一栅极与所述第一半导体层重叠设置；第二金属层，设置在所述第一金属层远离所述衬底的一侧，所述第二金属层包括第二栅极，第二半导体层，设置在所述第二金属层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层包括金属氧化物，所述第二栅极与所述第二半导体层重叠设置；第三金属层，设置在所述第二半导体层远离所述衬底的一侧，所述第三金属层包括第三栅极，所述第三栅极与所述第二半导体层重叠设置，其中，所述第三栅极靠近所述第二半导体层的一侧设置有第一吸氧金属层，所述第一吸氧金属层与所述第二半导体层重叠设置。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三栅极远离所述第二半导体层的一侧设置有第二吸氧金属层，所述第二吸氧金属层与所述第二半导体层重叠设置。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极靠近所述第二半导体层的一侧设置有第三吸氧金属层，所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪亚民，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：