阵列基板、显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板、一种显示面板及其制备方法，阵列基板和显示面板均包括第一晶体管、第二晶体管及电容。第一晶体管的第一有源图案包括硅半导体材料，第二晶体管的第二有源图案包括氧化物半导体材料，电容的第一极和第二有源图案同层且间隔设置，电容的第二极为第一晶体管的第一栅极。通过将第一极与第二有源图案设置为同层，可减少现有技术中单独形成电容的第一极所采用的掩膜版，能够降低制备成本，且将电容的第一极和第二有源图案同层且间隔设置后，电学性能能够满足可穿戴显示产品的设计要求。设计要求。设计要求。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、一种显示面板及一种显示面板的制备方法。

技术介绍

[0002]现有显示面板中，阵列基板常采用低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)或低温多晶硅(Low Temperature Poly
‑
silicon，LTPS)材料。但基于现有的包括LTPO的阵列基板结构进行制备得到的阵列基板，制备流程较复杂，应用于穿戴显示产品中，会存在制备成本较高的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种阵列基板、一种显示面板及一种显示面板的制备方法，可以减少制备阵列基板时所用的掩膜版的数量，降低制备成本。
[0004]本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括第一晶体管、第二晶体管及电容。所述阵列基板包括：第一有源层、第一栅极层、第一层间绝缘层以及第二有源层。
[0005]所述第一有源层包括所述第一晶体管的第一有源图案，包括硅半导体材料。所述第一栅极层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管及电容，所述阵列基板包括：第一有源层，包括所述第一晶体管的第一有源图案，包括硅半导体材料；第一栅极层，位于所述第一有源层上，包括所述第一晶体管的第一栅极；第一层间绝缘层，位于所述第一栅极层上；以及，第二有源层，位于所述第一层间绝缘层上，所述第二有源层包括氧化物半导体材料，所述第二有源层包括所述第二晶体管的第二有源图案和所述电容的第一极；其中，所述第一极和所述第二有源图案间隔设置，且所述第一极与所述第一栅极重叠以形成所述电容。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层还包括遮挡部，所述遮挡部与所述第二有源图案的沟道区重叠。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：屏蔽层，位于所述第一有源层下，包括第一遮挡部和第二遮挡部，所述第一遮挡部与所述第一有源图案的沟道区重叠，所述第二遮挡部与所述第二有源图案的沟道区重叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括多晶硅半导体，所述第二有源层包括铟镓锌氧化物。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第二栅极层，位于所述第二有源层上，包括所述第二晶体管的第二栅极；源漏极层，位于所述第二栅极层上，包括所述第一晶体管的第一源极和第一漏极，以及所述第二晶体管的第二源极和第二漏极；所述第一源极和所述第一漏极均电性连接于所述第一有源图案，所述第二源极和所述第二漏极均电性连接于所述第二有源图案，且所述第二源极和所述第二漏极中的一个电性连接于所述第一有源图案；以及，第一栅绝缘层，位于所述第一栅极层和所述第一层间绝缘层之间。6.一种显示面板，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管和电容，所述第一晶体管的第一有源图案包括硅半导体材料，所述第二晶体管的第二有源图案包括氧化物半导体材料，所述电容具有第一极和第二极；其中，所述第一极与所述第二晶体管的所述第二有源图案同层且间隔设置，所述第二极为所述第一晶体管的第一栅极。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，包括：第一有源层，包括所述第一有源图案；第一栅极层，位于所述第一有源层上，包括所述第一栅极；第二有源层，位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪亚民，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：