立体TEM样品结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种立体TEM样品结构及其制备方法，所述立体TEM样品结构包括：立体TEM样品；以及第一支撑条和第二支撑条，所述第一支撑条和所述第二支撑条分别与所述立体TEM样品连接。由此，可以从至少两个方向观测所述立体TEM样品，从而可以提高采用透射电子显微镜对样品进行缺陷分析时的准确性。样品进行缺陷分析时的准确性。样品进行缺陷分析时的准确性。

【技术实现步骤摘要】
立体TEM样品结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种立体TEM样品结构的制备方法以及立体TEM样品结构。

技术介绍

[0002]透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，TEM）可以穿透300nm以下厚度的样品并将样品内的微结构放大。所以目前进行缺陷（defect）分析时，通常采用TEM对样品进行放大，以便于对缺陷进行分析。
[0003]传统制备TEM样品时，采用聚焦离子束（Focused Ion Beam，FIB）切出X 方向或 Y方向的平面TEM样品。如此制备的TEM样品存在一定的局限性，其只能看到样品的一个水平方向的内部结构信息，无法得到样品的另一个水平方向的内部结构信息。从而进行缺陷分析时，只能看到其表面信息，影响最终结论的判断。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种立体TEM样品结构及其制备方法，以提高采用透射电子显微镜对样品进行缺陷分析时的准确性。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种立体TEM样品结构的制备方法，所述立体TEM样品的制备方法包括：提供一待制备结构，所述待制备结构包括中间结构以及围绕所述中间结构的周边结构，所述中间结构包括目标结构以及围绕所述目标结构的保护结构；利用聚焦离子束切割所述周边结构以形成连接于所述中间结构的一组相对位置上的第一支撑条和第二支撑条；利用聚焦离子束切割所述中间结构以形成立体TEM样品，所述立体TEM样品与所述第一支撑条以及所述第二支撑条连接；以及，形成脱离于所述待制备结构的立体TEM样品结构，所述立体TEM样品结构包括所述立体TEM样品、所述第一支撑条以及所述第二支撑条。
[0006]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，利用聚焦离子束切割所述中间结构以形成立体TEM样品，还包括：形成连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置上的第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第一支撑条连接，所述第二连接部和所述第二支撑条连接。
[0007]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，利用聚焦离子束切割所述中间结构以形成立体TEM样品，还包括：形成连接于所述立体TEM样品的第二组相对位置上的第一遮挡部和第二遮挡部。
[0008]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，所述第一连接部包括第一外连接部以及与所述第一外连接部连接的第一内连接部，所述第一外连接部还与所述第一支撑条连接，所述第一内连接部连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置中的一个位置上；所
述第二连接部包括第二外连接部以及与所述第二外连接部连接的第二内连接部，所述第二外连接部还与所述第二支撑条连接，所述第二内连接部连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置中的另一个位置上。
[0009]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，所述第一遮挡部、所述第二遮挡部、所述第一内连接部和所述第二内连接部均呈条状，并且所述第一遮挡部和所述第一内连接部平行布置，所述第二遮挡部和所述第二内连接部平行布置。
[0010]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，所述第一遮挡部和所述第二内连接部呈一直线布置，所述第二遮挡部和所述第一内连接部呈一直线布置。
[0011]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，所述立体TEM样品呈长方体，并且所述立体TEM样品的横截面的长度和宽度均小于300nm。
[0012]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，所述第一支撑条和所述第二支撑条的宽度均小于1.5μm。
[0013]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，所述中间结构的横截面呈长方形，所述第一支撑条和所述第二支撑条分别连接于所述中间结构的两对角位置上。
[0014]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，在利用聚焦离子束切割所述周边结构以形成连接于所述中间结构的一组相对位置上的第一支撑条和第二支撑条之后，所述立体TEM样品的制备方法还包括：对所述中间结构、所述第一支撑条以及所述第二支撑条构成的组合结构执行U型切割。
[0015]可选的，在所述的立体TEM样品结构的制备方法中，形成脱离于所述待制备结构的立体TEM样品结构包括：切割所述第一支撑条的端部；利用吸取针吸取所述第一支撑条；以及，切割所述第二支撑条的端部，以使得所述立体TEM样品结构脱离于所述待制备结构。
[0016]本专利技术还提供一种立体TEM样品结构，所述立体TEM样品结构包括：立体TEM样品；以及，第一支撑条和第二支撑条，所述第一支撑条和所述第二支撑条分别与所述立体TEM样品连接。
[0017]可选的，在所述的立体TEM样品结构中，所述立体TEM样品结构还包括：第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部分别连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置上；其中，所述第一支撑条通过所述第一连接部与所述立体TEM样品连接，所述第二支撑条通过所述第二连接部与所述立体TEM样品连接。
[0018]可选的，在所述的立体TEM样品结构中，所述立体TEM样品结构还包括：第一遮挡部和第二遮挡部，所述第一遮挡部和所述第二遮挡部分别连接于所述立体TEM样品的第二组相对位置上。
[0019]可选的，在所述的立体TEM样品结构中，所述第一连接部包括第一外连接部以及与所述第一外连接部连接的第一内连接部，所述第一外连接部还与所述第一支撑条连接，所
述第一内连接部连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置中的一个位置上；所述第二连接部包括第二外连接部以及与所述第二外连接部连接的第二内连接部，所述第二外连接部还与所述第二支撑条连接，所述第二内连接部连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置中的另一个位置上。
[0020]可选的，在所述的立体TEM样品结构中，所述第一遮挡部、所述第二遮挡部、所述第一内连接部和所述第二内连接部均呈条状，并且所述第一遮挡部和所述第一内连接部平行布置，所述第二遮挡部和所述第二内连接部平行布置。
[0021]可选的，在所述的立体TEM样品结构中，所述第一遮挡部和所述第二内连接部呈一直线布置，所述第二遮挡部和所述第一内连接部呈一直线布置。
[0022]可选的，在所述的立体TEM样品结构中，所述立体TEM样品呈长方体，并且所述立体TEM样品的横截面的长度和宽度均小于300nm。
[0023]可选的，在所述的立体TEM样品结构中，所述第一支撑条和所述第二支撑条的宽度均小于1.5μm。
[0024]在本专利技术提供的立体TEM样品结构及其制备方法，所述立体TEM样品结构包括：立体TEM样品；以及第一支撑条和第二支撑条，所述第一支撑条和所述第二支撑条分别与所述立体TEM样品连接。由此，可以从至少两个方向观测所述立体TEM样品，从而可以提高采用透射电子显微镜对样品进行缺陷分析时的准确性。
附图说明
[0025]图1是本专利技术实施例的立体TEM样品结构的制备方法的流程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，所述立体TEM样品结构的制备方法包括：提供一待制备结构，所述待制备结构包括中间结构以及围绕所述中间结构的周边结构，所述中间结构包括目标结构以及围绕所述目标结构的保护结构；利用聚焦离子束切割所述周边结构以形成连接于所述中间结构的一组相对位置上的第一支撑条和第二支撑条；利用聚焦离子束切割所述中间结构以形成立体TEM样品，所述立体TEM样品与所述第一支撑条以及所述第二支撑条连接；以及，形成脱离于所述待制备结构的立体TEM样品结构，所述立体TEM样品结构包括所述立体TEM样品、所述第一支撑条以及所述第二支撑条。2.如权利要求1所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，利用聚焦离子束切割所述中间结构以形成立体TEM样品，还包括：形成连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置上的第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第一支撑条连接，所述第二连接部和所述第二支撑条连接。3.如权利要求2所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，利用聚焦离子束切割所述中间结构以形成立体TEM样品，还包括：形成连接于所述立体TEM样品的第二组相对位置上的第一遮挡部和第二遮挡部。4.如权利要求3所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，所述第一连接部包括第一外连接部以及与所述第一外连接部连接的第一内连接部，所述第一外连接部还与所述第一支撑条连接，所述第一内连接部连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置中的一个位置上；所述第二连接部包括第二外连接部以及与所述第二外连接部连接的第二内连接部，所述第二外连接部还与所述第二支撑条连接，所述第二内连接部连接于所述立体TEM样品的第一组相对位置中的另一个位置上。5.如权利要求4所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，所述第一遮挡部、所述第二遮挡部、所述第一内连接部和所述第二内连接部均呈条状，并且所述第一遮挡部和所述第一内连接部平行布置，所述第二遮挡部和所述第二内连接部平行布置。6.如权利要求5所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，所述第一遮挡部和所述第二内连接部呈一直线布置，所述第二遮挡部和所述第一内连接部呈一直线布置。7.如权利要求1所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，所述立体TEM样品呈长方体，并且所述立体TEM样品的横截面的长度和宽度均小于300nm。8.如权利要求1所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，所述第一支撑条和所述第二支撑条的宽度均小于1.5μm。9.如权利要求1所述的立体TEM样品结构的制备方法，其特征在于，所述中间结构的横截面呈长方形，所述第一支撑条和所述第二支撑条分别连接于所述中间结构的两对角位置上。10.如权利要求1~...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明辉，俞佩佩，王丽雅，王成龙，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：