一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构制造技术

一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构，包括上层MOS器件、印制板、铝基板、下层MOS器件、外壳、导热橡胶垫；所述上层MOS器件的引脚焊接在印制板上，上层MOS器件底部散热焊盘焊接在铝基板上；所述下层MOS器件的引脚及底部散热焊盘均焊接在印制板上；所述上层MOS器件与下层MOS器件之间的间隙及铝基板与外壳之间的间隙均通过方便拆卸的导热橡胶垫进行填充。本实用新型专利技术主要解决功率控制单元在结构布局上空间受限，且具有并联要求的同规格、大电流多MOS器件的散热难题，该结构能够使MOS器件根据功能分配进行分组分区域集中布局，且能够使MOS器件散热满足要求，在空间受限的约束下有效地利用高度空间，最大限度地提高空间利用率，实现集成化设计。实现集成化设计。实现集成化设计。

【技术实现步骤摘要】
一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构


[0001]本技术涉及一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构。

技术介绍

[0002]功率控制单元中经常会用到MOS器件，实现多路负载的接通和断开。通常每一路采用单个MOS器件能够实现产品的功能和性能，但当负载电流较大时，随之带来的热功耗增大，MOS器件散热无法满足要求。因此，我们经常采用多个低功率MOS器件并联代替单个高功率MOS器件的方式，以降低单个MOS器件的热功耗来保证其散热满足要求，但同时该方式会导致MOS器件数量增多，在空间受限的约束下给功率控制单元的结构布局带来一定的困难。因此，在进行多MOS器件并联的集成化结构布局及散热设计时，如何更好的把空间利用起来，使结构尽可能简单，布局紧凑，空间利用率高，且通过散热设计手段使MOS器件满足散热要求，这两点成为集成化布局设计时考虑的主要问题。而用于功率控制单元中内装功率器件——多MOS器件并联的集成化结构布局及散热设计，这些MOS器件在功率控制单元的功能和性能实现中起到至关重要的作用，其数量多，安装要求均采用并联形式，且规格相同，电流较大。因此，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构，其特征在于：它包括上层MOS器件（1）、印制板（2）、铝基板（3）、下层MOS器件（4）、外壳（5）、导热橡胶垫（6）；所述上层MOS器件（1）的引脚焊接在印制板（2）上，上层MOS器件（1）底部散...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔婷婷，
申请(专利权)人：贵州天义电器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：