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一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构，包括上层MOS器件、印制板、铝基板、下层MOS器件、外壳、导热橡胶垫；所述上层MOS器件的引脚焊接在印制板上，上层MOS器件底部散热焊盘焊接在铝基板上；所述下层MOS器件的引脚及底部散热焊盘均焊接在...
该专利属于贵州天义电器有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州天义电器有限责任公司授权不得商用。

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