本申请提供了一种套刻误差量测的抽样方法、抽样装置、电子设备、存储介质及光刻系统，该抽样方法包括：获取第一制程信息，第一制程信息为目标前层图形的制程信息，目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形；至少根据第一制程信息，确定多个待抽样批次，其中，同一个待抽样批次中各目标前层图形的第一制程信息相同；分别对各待抽样批次的套刻误差进行抽测。本申请保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到，避免了部分组合层监控不到位的问题，保证了制程监控能力较好，套刻精度较为可控，有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。套刻误差监控不到位的问题。套刻误差监控不到位的问题。
【技术实现步骤摘要】
套刻误差量测的抽样方法以及抽样装置
[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种套刻误差量测的抽样方法、抽样装置、电子设备、计算机可读存储介质以及光刻系统。
技术介绍
[0002]当前层光刻图层与前层光刻图层的套刻误差，用以表征两个或多个关联层的相对位移。为了保证光刻图层之间的套刻误差可控，并为后续制程提供较为准确的参数调整依据，现有技术会采用线上抽样方法对光刻图层的套刻误差进行确定。当前的线上抽样规则基于光刻图层的LOT ID(即晶圆批次ID)，比如，定义LOT ID的最后一位数字为1或者2的光刻图层批次采用20％的抽样比例，LOT ID的最后一位数字为3、4或者5的光刻图层批次采用30％的抽样比例。
[0003]上述的设置方法可能导致部分关联层组合被漏抽检，进而造成部分关联层的套刻误差监控不到位的问题。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
[0005]本申请的主要目的在于提供一种套刻误差量测的抽样方法、抽样装置、电子设备、计算机可读存储介质以及光刻系统，以解决现有技术中光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
[0006]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种套刻误差量测的抽样方法，包括：获取第一制程信息，所述第一制程信息为目标前层图形的制程信息，所述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形；至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次，其中，同一个所述待抽样批次中各所述目标前层图形的所述第一制程信息相同；分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
[0007]可选地，获取第一制程信息，包括：确定影响所述套刻精度的前层因素；确定与所述前层因素有关的所述前层光刻图形为所述目标前层图形；获取所述目标前层图形的所述制程信息，得到所述第一制程信息。
[0008]可选地，在至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次之前，所述方法还包括：获取第二制程信息，所述第二制程信息为所述当前层光刻图形的制程信息。
[0009]可选地，至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次，包括：根据所述第一制程信息以及所述第二制程信息，确定多个所述待抽样批次，同一个所述待抽样批次中，所述当前层光刻图形的所述第二制程信息相同。
[0010]可选地，根据所述第一制程信息以及所述第二制程信息，确定多个所述待抽样批次，包括：将不同的所述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次，其中，
所述最终图形由套刻的所述前层光刻图形与所述当前层光刻图形构成；将所述第一预定批次中，不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第二预定批次，得到多个所述待抽样批次。
[0011]可选地，所述第一制程信息包括第一加工时段信息，将不同的所述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次，包括：将不同的所述第一制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第三预定批次；根据各所述目标前层图形的第一加工时段信息，将各所述第三预定批次中，位于同一个第一加工周期内的所述目标前层图形对应的所述最终图形作为一个所述第一预定批次，得到多个所述第一预定批次。
[0012]可选地，所述第二制程信息包括第二加工时段信息，将所述第一预定批次中，不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第二预定批次，包括：将所述第一预定批次中，不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第四预定批次；根据所述当前层光刻图形的第二加工时段信息，将各所述第四预定批次中，位于同一个第二加工周期内的所述当前层光刻图形对应的所述最终图形作为一个所述第二预定批次，得到多个所述第二预定批次。
[0013]可选地，分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测，包括：获取不同的所述待抽样批次对应的抽样比例；按照所述抽样比例对对应的所述待抽样批次的套刻误差进行抽样检测。
[0014]可选地，所述第一制程信息包括所述目标前层图形的加工机台信息以及所述加工机台对应的综合制程能力指数，获取不同的所述待抽样批次对应的抽样比例，包括：根据各所述待抽样批次对应的所述综合制程能力指数，确定对应的所述抽样比例，所述综合制程能力指数与所述抽样比例负相关。
[0015]可选地，在分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测之后，所述方法还包括：根据所述套刻误差，确定修正后的用于减小所述套刻误差的制程参数；发送所述制程参数至加工机台。
[0016]可选地，所述第一制程信息包括所述目标前层图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。
[0017]可选地，所述第二制程信息包括所述当前层光刻图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。
[0018]根据本申请实施例的另一方面，还提供了一种套刻误差量测的抽样装置，包括第一获取单元、第一确定单元以及抽测单元，其中，所述第一获取单元用于获取第一制程信息，所述第一制程信息为目标前层图形的制程信息，所述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形；所述第一确定单元用于至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次，其中，同一个所述待抽样批次中各所述目标前层图形的所述第一制程信息相同；所述抽测单元用于分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
[0019]根据本申请实施例的再一方面，还提供了一种电子设备，所述电子设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现本申请任一种所述的方法的步骤。
[0020]根据本申请实施例的又一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本申请任一种所述的方法的步骤。
[0021]根据本申请实施例的另一方面，还提供了一种光刻系统，所述光刻系统包括光刻机以及所述光刻机的控制装置，所述控制装置包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现本申请任一种所述的方法的步骤。
[0022]采用本申请的技术方案，所述的套刻误差量测的抽样方法中，首先，获取目标前层图形的第一制程信息，所述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形；然后，至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次，每个待抽样批次中的所述目标前层图形的所述第一制程信息相同；最后，分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测。本申请的所述方法，根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息，将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次，使得不同的所述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同，这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到，避免了部分组合层监控不到位的问题，保证了制程监控能力较好，套刻精度较为可控，有效地缓解了现有技术的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种套刻误差量测的抽样方法，其特征在于，包括：获取第一制程信息，所述第一制程信息为目标前层图形的制程信息，所述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形；至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次，其中，同一个所述待抽样批次中各所述目标前层图形的所述第一制程信息相同；分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取第一制程信息，包括：确定影响所述套刻精度的前层因素；确定与所述前层因素有关的所述前层光刻图形为所述目标前层图形；获取所述目标前层图形的所述制程信息，得到所述第一制程信息。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次之前，所述方法还包括：获取第二制程信息，所述第二制程信息为所述当前层光刻图形的制程信息。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，至少根据所述第一制程信息，确定多个待抽样批次，包括：根据所述第一制程信息以及所述第二制程信息，确定多个所述待抽样批次，同一个所述待抽样批次中，所述当前层光刻图形的所述第二制程信息相同。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述第一制程信息以及所述第二制程信息，确定多个所述待抽样批次，包括：将不同的所述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次，其中，所述最终图形由套刻的所述前层光刻图形与所述当前层光刻图形构成；将所述第一预定批次中，不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第二预定批次，得到多个所述待抽样批次。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一制程信息包括第一加工时段信息，将不同的所述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次，包括：将不同的所述第一制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第三预定批次；根据各所述目标前层图形的第一加工时段信息，将各所述第三预定批次中，位于同一个第一加工周期内的所述目标前层图形对应的所述最终图形作为一个所述第一预定批次，得到多个所述第一预定批次。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二制程信息包括第二加工时段信息，将所述第一预定批次中，不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第二预定批次，包括：将所述第一预定批次中，不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第四预定批次；根据所述当前层光刻图形的第二加工时段信息，将各所述第四预定批次中，位于同一个...
【专利技术属性】
技术研发人员：许威，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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