吸附辅助膜及半导体晶片的吸附方法技术

本发明专利技术的课题在于提供能够抑制吸附不良的发生的吸附辅助膜和半导体晶片的吸附方法，作为其解决手段，在将半导体晶片10的形成有电路的非磨削面11吸附于固定件41时，介于上述固定件41与上述半导体晶片10之间的吸附辅助膜30具有：粘贴于形成有上述电路的上述非磨削面11一侧的基材层31，以及以被上述基材层31支撑的状态与上述固定件41接触而辅助吸附的辅助层32。层32。层32。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】吸附辅助膜及半导体晶片的吸附方法


[0001]本专利技术涉及将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件时辅助该吸附的吸附辅助膜、以及使用了该吸附辅助膜的半导体晶片的吸附方法。

技术介绍

[0002]在半导体部件的制造时，半导体晶片在表面侧形成电路等之后实施磨削背面侧的加工而被薄层化。在将该背面侧进行磨削的加工时，半导体晶片110在其表面111粘贴保护膜130，在利用该保护膜130被覆电路等进行保护后，该表面111隔着该保护膜130而被吸附于固定件141(参照图9)。
[0003]作为磨削上述保护膜和背面侧的加工相关的技术，公开了专利文献1。专利文献1的加工方法具备下述切削步骤(剪裁加工)：对于在表面形成有膜层且在外周侧面形成有倒棱部的半导体晶片，将切削刮刀从半导体晶片的表面切入至外周缘的同时使半导体晶片旋转，从而至少将倒棱部上的膜层切削除去为圆形。
[0004]实施了该剪裁加工的半导体晶片110在表面111的外周缘具有台阶113。因此，吸附半导体晶片110的固定件141考虑该台阶113而设计。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2012
‑
43825号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]已知具有上述那样的台阶113的半导体晶片110存在在固定件141上发生真空泄露等吸附不良的情况。关于该吸附不良，例如，在剪裁加工的情况下，认为是由于加工精度的极限等引起的台阶113的尺寸、形状的偏差等而发生的。
[0010]本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供能够抑制吸附不良的发生的吸附辅助膜以及半导体晶片的吸附方法。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]作为解决上述问题的手段，本专利技术如下。
[0013][1]权利要求1所述的专利技术的主旨在于，一种在将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件时，介于上述固定件与上述半导体晶片之间的吸附辅助膜，其具有：
[0014]粘贴于形成有上述电路的面一侧的基材层、以及
[0015]以被上述基材层支撑的状态与上述固定件接触而辅助吸附的辅助层。
[0016][2]权利要求2所述的专利技术的主旨在于，在权利要求1所述的专利技术中，上述辅助层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下的层。
[0017][3]权利要求3所述的专利技术的主旨在于，在权利要求1或2所述的专利技术中，上述半导体晶片为通过在形成有上述电路的上述面的外周缘具有台阶，从而减少了该面对于上述固
定件的吸附面积的半导体晶片。
[0018][4]权利要求4所述的专利技术的主旨在于，在权利要求1～3中任一项所述的专利技术中，上述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体所组成的组中的1种或2种以上。
[0019][5]权利要求5所述的专利技术的主旨在于，在权利要求1～4中任一项所述的专利技术中，上述辅助层的厚度为100μm以上500μm以下。
[0020][6]权利要求6所述的专利技术的主旨在于，在权利要求1～5中任一项所述的专利技术中，上述基材层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。
[0021][7]权利要求7所述的专利技术的主旨在于，在权利要求1～6中任一项所述的专利技术中，上述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。
[0022][8]权利要求8所述的专利技术的主旨在于，在权利要求1～7中任一项所述的专利技术中，上述基材层的厚度为10μm以上200μm以下。
[0023][9]权利要求9所述的专利技术的主旨在于，具备吸附工序：使吸附辅助膜介于半导体晶片的形成有电路的面与吸附上述半导体晶片的固定件之间，经由该吸附辅助膜将该半导体晶片吸附于上述固定件，
[0024]上述半导体晶片为通过在形成有上述电路的面的外周缘具有台阶，从而减少了该面对于上述固定件的吸附面积的半导体晶片，
[0025]上述吸附辅助膜具有：
[0026]粘贴于形成有上述电路的上述面一侧的基材层、以及
[0027]以被上述基材层支撑的状态与上述固定件接触而辅助吸附的辅助层。
[0028][10]权利要求10所述的专利技术的主旨在于，在权利要求9所述的专利技术中，上述辅助层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下的层。
[0029][11]权利要求11所述的专利技术的主旨在于，在权利要求9或10所述的专利技术中，上述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体所组成的组中的1种或2种以上。
[0030][12]权利要求12所述的专利技术的主旨在于，在权利要求9～11中任一项所述的专利技术中，上述辅助层的厚度为100μm以上500μm以下。
[0031][13]权利要求13所述的专利技术的主旨在于，在权利要求9～12中任一项所述的专利技术中，上述基材层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。
[0032][14]权利要求14所述的专利技术的主旨在于，在权利要求9～13中任一项所述的专利技术中，上述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。
[0033][15]权利要求15所述的专利技术的主旨在于，在权利要求9～14中任一项所述的专利技术中，上述基材层的厚度为10μm以上200μm以下。
[0034]专利技术的效果
[0035]根据本专利技术的吸附辅助膜以及半导体晶片的吸附方法，能够抑制吸附不良的发生。
附图说明
[0036]图1为说明本专利技术涉及的半导体晶片的正截面图。
[0037]图2为说明本专利技术的吸附辅助膜的放大后的正截面图。
[0038]图3为说明本专利技术涉及的半导体晶片的剪裁加工的正截面图。
[0039]图4为说明本专利技术的吸附辅助膜的粘贴工序的正截面图。
[0040]图5为说明本专利技术的半导体晶片的吸附方法涉及的吸附工序的正截面图。
[0041]图6为说明本专利技术涉及的半导体晶片的加工工序的正截面图。
[0042]图7为说明本专利技术涉及的其它方式的半导体晶片的加工工序的正截面图。
[0043]图8为说明本专利技术涉及的其它方式的半导体晶片的正截面图。
[0044]图9为说明以往的半导体晶片的吸附方法的正截面图。
具体实施方式
[0045]以下，一边参照附图一边说明本专利技术。这里所示的事项为例示的事项以及用于例示地说明本专利技术的实施方式的事项，其目的在于提供被认为能够最有效且不难理解本专利技术的原理和概念性特征的说明。基于这一点，是为了本专利技术的根本性理解而需要的，并不意图在某种程度以上显示本专利技术的结构的详细情况，而是通过与附图结合的说明，使本领域技术人员明确在实际中怎样实现本专利技术的若干方式。
[0046][1]半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种吸附辅助膜，其特征在于，为在将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件时，介于所述固定件与所述半导体晶片之间的吸附辅助膜，其具有：粘贴于形成有所述电路的面一侧的基材层、以及以被所述基材层支撑的状态与所述固定件接触而辅助吸附的辅助层。2.根据权利要求1所述的吸附辅助膜，所述辅助层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下的层。3.根据权利要求1或2所述的吸附辅助膜，所述半导体晶片为通过在形成有所述电路的所述面的外周缘具有台阶，从而减少了该面对于所述固定件的吸附面积的半导体晶片。4.根据权利要求1～3中任一项所述的吸附辅助膜，所述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体所组成的组中的1种或2种以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的吸附辅助膜，所述辅助层的厚度为100μm以上500μm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的吸附辅助膜，所述基材层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。7.根据权利要求1～6中任一项所述的吸附辅助膜，所述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的吸附辅助膜，所述基材层的厚度为10μm以上200μm以下。9.一种半导体晶片的吸附方法，其特征在于，具备吸附工序：使吸附...

【专利技术属性】
技术研发人员：林下英司，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：