固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。<条件(I)>在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1/Gc300

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及固化性树脂膜及具备该固化性树脂膜的复合片、以及通过利用这些材料来制造设有固化树脂膜作为保护膜的半导体芯片的方法。

技术介绍

[0002]近年来，已使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，通过将在电路面具备凸块的半导体芯片和该半导体芯片搭载用基板以使该半导体芯片的电路面与该基板相对的方式层叠，从而将该半导体芯片搭载在该基板上。
[0003]需要说明的是，该半导体芯片通常是将在电路面具备凸块的半导体晶片进行单片化而得到的。
[0004]在具备凸块的半导体晶片上，有时出于对凸块与半导体晶片的接合部分(以下也称为“凸块颈部”)加以保护的目的而设有保护膜。
[0005]例如，在专利文献1及专利文献2中，将由支撑基材、粘合剂层及热固性树脂层依次层叠而成的层叠体以热固性树脂层为贴合面按压并粘贴于具备凸块的半导体晶片的凸块形成面之后，对该热固性树脂层进行加热以使其固化，由此形成了保护膜。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2015
‑
092594号公报
[0009]专利文献2：日本特开2012
‑
169484号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]近年来，伴随着电子设备等IC嵌入式产品的小型化及薄型化，对于半导体芯片的薄型化也不断提出了更高的要求。然而，当半导体芯片变薄时，会导致半导体芯片的强度降低。因此，例如在运送半导体芯片、或实施将半导体芯片封装化的后续工序时，存在半导体芯片容易发生破损的问题。
[0012]为此，可考虑在半导体晶片的凸块形成面形成保护膜，在保护凸块颈部的同时谋求半导体芯片的强度的提高。但是，仅通过在半导体晶片的凸块形成面形成保护膜，并无法充分实现半导体芯片的强度的提高。另外，该保护膜有时会发生膜剥落。
[0013]于是，本专利技术人等想到了：通过将出于保护凸块颈部的目的而设置的保护膜不仅设于半导体芯片的凸块形成面、还设于侧面，能够使半导体芯片的强度提高，同时能够抑制保护膜的剥落，可以构建出极为合理的构成。基于这样的想法，本专利技术人等经过深入研究而创造出了能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。
[0014]因此，本专利技术的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜、具备该固化性树脂膜的复合片、以及利用了这些材料(该固化性树脂膜及该复合片)的半导体芯片的制造方法。
[0015]解决问题的方法
[0016]本专利技术人等经过了深入研究，结果发现，通过着眼于可由固化性树脂膜所具有的特定的物性值计算出的参数，能够解决上述课题，进而完成了本专利技术。
[0017]即，本专利技术涉及下述[1]～[14]。
[0018][1]一种固化性树脂膜，其用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。
[0019]<条件(I)>
[0020]在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。
[0021]X＝Gc1/Gc300
····
(i)
[0022][2]上述[1]所述的固化性树脂膜，其中，
[0023]在上述条件(I)中，Gc300低于15,000。
[0024][3]一种复合片，其用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，
[0025]上述复合片具有使支撑片和固化性树脂的层层叠而成的层叠结构，
[0026]上述固化性树脂为上述[1]或[2]所述的固化性树脂膜。
[0027][4]一种使用方法，该方法包括：
[0028]将上述[1]或[2]所述的固化性树脂膜用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块。
[0029][5]一种使用方法，该方法包括：
[0030]将上述[3]所述的复合片用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块。
[0031][6]一种半导体芯片的制造方法，该方法依次包括下述工序(S1)～(S4)，
[0032]·
工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的上述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；
[0033]·
工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面，在利用上述第一固化性树脂(x1)包覆上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面的同时，使上述第一固化性树脂(x1)填入形成在上述半导体芯片制作用晶片上的上述槽部的工序；
[0034]·
工序(S3)：使上述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的工序；
[0035]·
工序(S4)：将上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着上述分
割预定线进行单片化，得到至少上述凸块形成面及侧面被上述第一固化树脂膜(r1)包覆的半导体芯片的工序，
[0036]在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前、上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前、或上述工序(S4)中，进一步包括下述工序(S
‑
BG)，
[0037]·
工序(S
‑
BG)：对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行磨削的工序，
[0038]作为上述第一固化性树脂(x1)，使用上述[1]或[2]所述的固化性树脂膜。
[0039][7]上述[6]所述的半导体芯片的制造方法，其中，
[0040]上述工序(S2)通过以下方式来实施：将具有使第一支撑片(Y1)和上述第一固化性树脂(x1)的层(X1)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以上述层(X1)为粘贴面按压并粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面。
[0041][8]上述[7]所述的半导体芯片的制造方法，其中，
[0042]在上述工序(S2)之后且上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固化性树脂膜，其用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)，<条件(I)>在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的所述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，在将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000，X＝Gc1/Gc300
····
(i)。2.根据权利要求1所述的固化性树脂膜，其中，在所述条件(I)中，Gc300低于15,000。3.一种复合片，其用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，所述复合片具有使支撑片和固化性树脂的层层叠而成的层叠结构，所述固化性树脂为权利要求1或2所述的固化性树脂膜。4.一种使用方法，该方法包括：将权利要求1或2所述的固化性树脂膜用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块。5.一种使用方法，该方法包括：将权利要求3所述的复合片用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块。6.一种半导体芯片的制造方法，该方法依次包括下述工序(S1)～(S4)，
·
工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的所述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；
·
工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面，在利用所述第一固化性树脂(x1)包覆所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面的同时，使所述第一固化性树脂(x1)填入形成在所述半导体芯片制作用晶片上的所述槽部的工序；
·
工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的工序；
·
工序(S4)：将所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着所述分割预定线进行单片化，得到至少所述凸块形成面及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)包覆的半导体芯片的工序，在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或所述工序(S4)中，进一步包括下述工序(S
‑
BG)，
·
工序(S
‑
BG)：对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行磨削的工序，作为所述第一固化性树脂(x1)，使用权利要求1或2所述的固化性树脂膜。7.根据权利要求6所述的半导体芯片的制造方法，其中，
所述工序(S2)通过以下方式来实施：将具有使第一支撑片(Y1)和所述第一固化性树脂(x1)的层(X1)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以所述层(X1)为粘贴面按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面。8.根据权利要求7所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前包括所述工序(S
‑
BG)，所述工序(S
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠田智则，根本拓，田村樱子，森下友尧，四宫圭亮，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：