套件及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件。作为解决该课题的套件，提供包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)的套件，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。化树脂膜(r2)。化树脂膜(r2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】套件及半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及套件及半导体芯片的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及包含用于在半导体芯片形成固化树脂膜的固化性树脂膜的套件、以及利用了该套件的半导体芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，已使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，通过将在电路面具备凸块的半导体芯片和该半导体芯片搭载用基板以使该半导体芯片的电路面与该基板相对的方式层叠，从而将该半导体芯片搭载在该基板上。
[0003]需要说明的是，该半导体芯片通常是将在电路面具备凸块的半导体晶片进行单片化而得到的。
[0004]在具备凸块的半导体晶片上，有时出于对凸块与半导体晶片的接合部分(以下也称为“凸块颈部”)加以保护的目的而设有保护膜。
[0005]例如，在专利文献1及专利文献2中，将由支撑基材、粘合剂层及热固性树脂层依次层叠而成的层叠体以热固性树脂层为贴合面按压并粘贴于具备凸块的半导体晶片的凸块形成面之后，对该热固性树脂层进行加热以使其固化，由此形成了保护膜。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2015
‑
092594号公报
[0009]专利文献2：日本特开2012
‑
169484号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]近年来，伴随着电子设备等IC嵌入式产品的小型化及薄型化，对于半导体芯片的薄型化也不断提出了更高的要求。然而，当半导体芯片变薄时，会导致半导体芯片的强度降低。因此，例如在运送半导体芯片、或实施将半导体芯片封装化的后续工序时，存在半导体芯片容易发生破损的问题。
[0012]为此，可考虑在半导体晶片的凸块形成面形成保护膜，在保护凸块颈部的同时谋求半导体芯片的强度的提高。但是，仅通过在半导体晶片的凸块形成面形成保护膜，并无法充分实现半导体芯片的强度的提高。另外，该保护膜有时会发生膜剥落。
[0013]于是，本专利技术人等想到了：通过将出于保护凸块颈部的目的而设置的保护膜不仅设于半导体芯片的凸块形成面还设于侧面、以及与凸块形成面为相反侧的面(背面)，用保护膜覆盖半导体芯片全部面，能够使半导体芯片的强度提高，同时能够抑制保护膜的剥落，可以构建出极为合理的构成。
[0014]本专利技术是基于这样的想法而完成的，课题在于提供能够使半导体芯片的强度提
高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件、以及利用了该套件的半导体芯片的制造方法。
[0015]解决问题的方法
[0016]本专利技术人等经过了深入研究，结果发现了能够解决上述课题的专利技术的构成。
[0017]即，本专利技术涉及下述[1]～[15]。
[0018][1]一种套件，其包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)，
[0019]所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，
[0020]所述第二固化性树脂膜(x2)用于在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
[0021][2]上述[1]所述的套件，其中，上述第一固化性树脂膜(x1)满足下述条件(I)。
[0022]<条件(I)>
[0023]在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。
[0024]X＝Gc1/Gc300
····
(i)
[0025][3]上述[1]或[2]所述的套件，其中，上述第一固化性树脂膜(x1)的层(X1)是形成为层叠于第一支撑片(Y1)的第一复合片(α1)而包含的层。
[0026][4]上述[1]～[3]中任一项所述的套件，其中，上述第二固化性树脂膜(x2)的层(X2)是形成为层叠于第二支撑片(Y2)的第二复合片(α2)而包含的层。
[0027][5]上述[1]～[4]中任一项所述的套件的使用方法，该方法包括：
[0028]将上述套件的第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，并且，
[0029]将上述套件的第二固化性树脂膜(x2)用于在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
[0030][6]一种半导体芯片的制造方法，该方法使用上述[1]～[4]中任一项所述的套件，
[0031]该方法包括下述工序(S)及下述工序(T)，
[0032]·
工序(S)：使用上述套件的第一固化性树脂膜(x1)在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的工序
[0033]·
工序(T)：使用上述套件的第二固化性树脂膜(x2)在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)的工序
[0034][7]上述[6]所述的半导体芯片的制造方法，其中，上述工序(S)依次包括下述工序(S1)～(S4)，
[0035]·
工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的上述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；
[0036]·
工序(S2)：将上述套件的第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于上述半导体芯片制
作用晶片的上述凸块形成面，在利用第一固化性树脂(x1)包覆上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面的同时，使上述第一固化性树脂(x1)填入形成在上述半导体芯片制作用晶片上的上述槽部的工序；
[0037]·
工序(S3)：使上述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的工序；
[0038]·
工序(S4)：将上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着上述分割预定线进行单片化的工序
[0039]上述工序(S)在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前、上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前、或上述工序(S4)中进一步包括下述工序(S
‑
BG)。
[0040]·
工序(S
‑
BG)：对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行磨削的工序
[0041][8]上述[7]所述的半导体芯片的制造方法，其中，上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种套件，其包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述凸块形成面具备凸块，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。2.根据权利要求1所述的套件，其中，所述第一固化性树脂膜(x1)满足下述条件(I)，<条件(I)>在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的所述树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，在将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000，X＝Gc1/Gc300
····
(i)。3.根据权利要求1或2所述的套件，其中，所述第一固化性树脂膜(x1)的层(X1)是形成为层叠于第一支撑片(Y1)的第一复合片(α1)而包含的层。4.根据权利要求1～3中任一项所述的套件，其中，所述第二固化性树脂膜(x2)的层(X2)是形成为层叠于第二支撑片(Y2)的第二复合片(α2)而包含的层。5.权利要求1～4中任一项所述的套件的使用方法，该方法包括：将所述套件的第一固化性树脂膜(x1)用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述凸块形成面具备凸块，并且，将所述套件的第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。6.一种半导体芯片的制造方法，该方法使用权利要求1～4中任一项所述的套件，该方法包括下述工序(S)及下述工序(T)，
·
工序(S)：使用所述套件的第一固化性树脂膜(x1)在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的工序，所述凸块形成面具备凸块；
·
工序(T)：使用所述套件的第二固化性树脂膜(x2)在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)的工序。7.根据权利要求6所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述工序(S)依次包括下述工序(S1)～(S4)，
·
工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的所述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；
·
工序(S2)：将所述套件的第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面，在利用第一固化性树脂(x1)包覆所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面的同时，使所述第一固化性树脂(x1)填入形成在所述半导体芯片制作用晶片上的所述槽部的工序；
·
工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体
芯片制作用晶片的工序；
·
工序(S4)：将所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着所述分割预定线进行单片化的工序，所述工序(S)在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或所述工序(S4)中进一步包括下述工序(S
‑
BG)，
·
工序(S
‑
BG)：对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行磨削的工序。8.根据权利要求7所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述工序(S2)通过以下方式来实施：将具有使第一支撑片(Y1)和所述第一固化性树脂(x1)的层(X1)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以所述层(X1)为粘贴面按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面。9.根据权利要求8所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前包括所述工序(S
‑
BG)，所述工序(S
‑
BG)通过以下方式来实施：在粘贴有所述第一复合片(α1)的状态下对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行了磨削之后，将所述第一支撑片(Y1)从所述第一复合片(α1)剥离，所述工序(S4)通过以下方式来实施：对所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)中形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线进行切断。10.根据权利要求8所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前包括所述工序(S
‑
BG)...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠田智则，根本拓，田村樱子，森下友尧，四宫圭亮，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：