平面存储器、立体存储器以及电子设备制造技术

本申请提供了一种平面存储器、立体存储器以及电子设备，涉及存储器技术领域，用于减少平面存储器中存储单元的电极数量，简化平面存储器的结构。该平面存储器包括铁电薄膜以及相对设置于铁电薄膜两侧的第一电极和第二电极，铁电薄膜具有相对的第一表面和第二表面，第一电极设置于第一表面，第二电极设置于第二表面；铁电薄膜包括工作区以及与工作区邻接的参考区，读写信息时工作区的电极化方向与相邻的参考区的电极化方向相反或相同。参考区的电极化方向相反或相同。参考区的电极化方向相反或相同。参考区的电极化方向相反或相同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦健鹰，杨喜超，张岩，魏侠，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：