【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电导孔及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年9月30日提交的美国专利申请序列号62/908,496，2019年10月21日提交的美国专利申请序列号62/923,737和2020年6月12日提交的美国专利申请序列号63/038,496的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术介绍
[0003]2.5
‑
D和3
‑
D封装是先前被称为多芯片模块(multichip modules,MCMs)的已经建立的概念的新实现。形成具有多个孔或导孔的薄玻璃，硅或其它介电基板材料，所述多个孔或导孔被金属化以形成电路径。集成电路封装工业将这些互连基板称为中介层。制成于中介层中的孔通常非常小，例如，直径为5微米至100微米，深度为50微米至500微米。每平方厘米的孔数可以在数百或甚至数千个。在制造这些孔所需的工艺之后，下一步骤是金属化孔，以提供从一个电路平面或基板到另一个电路平面或基板的导电通路。
[0004]现有技术中程为“铜电镀”方法的方法，用于金属化中间层和盲孔是非常昂贵的，并且通常缺乏制造可扩展性。金属化方法包括物理气相沉积(PVD)或蒸发或溅射沉积的组合，以形成粘附/屏障/或晶种层，随后电镀，通常是镀铜。运作这些工艺所需的设备是昂贵的并且难以大规模地制造。例如，取决于基板尺寸，孔直径和径深比，对于每个基板，铜电镀工艺通常可以耗时1至8小时。电镀工艺需要每个基板在具有复杂的分析和分配控制和精确的化学元素和跨基板的电场分布的单个处理单元中电镀。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电部件，包括：基板，所述基板定义有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，以及内表面，所述内表面定义有从所述第一表面延伸到所述第二表面的孔；以及导电填充体，所述导电填充体包括导电金属颗粒，所述导电金属颗粒实质上从所述第一表面延伸到所述第二表面，以定义导电导孔，其中所述导电填充体定义实质上从所述第一表面到所述第二表面的导电路径。2.根据权利要求1所述的电部件，其中所述基板是玻璃基板。3.根据前述权利要求中任一项所述的电部件，其中，所述金属包括烧结颗粒。4.如权利要求3所述的电部件，其特征在于，大部分所述颗粒实质上不致密化烧结。5.根据前述权利要求中任一项所述的电部件，其中，所述颗粒在由压力差、离心力和静电力之一定义的力下被迫进入所述孔中。6.根据前述权利要求中任一项所述的电部件，其中，所述导电填充体包括主体部分填充体及邻近所述主体部分填充体的端口填充体。7.根据权利要求6所述的电部件，其中，所述端口填充体朝向所述第一表面和所述第二表面中的每一个延伸。8.根据权利要求6至7中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体延伸到所述第一表面。9.根据权利要求6至8中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体被填充超出所述第一表面。10.根据权利要求5至9中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体延伸到所述第二表面。11.根据权利要求5至10中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体被填充超出所述第二表面。12.根据权利要求6至11中任一项所述的电部件，其中，所述填充体包括银。13.根据权利要求12所述的电部件，其中所述填充体包括银合金。14.根据权利要求6至11中任一项所述的电部件，其中所述填充体包括铜和覆银铜中的至少一种。15.根据权利要求14所述的电部件，其中所述填充体包括铜合金。16.根据权利要求6至15中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体包括与所述主体部分填充体相同的金属。17.根据权利要求6至15中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体包括与所述主体部分填充体不同的金属。18.根据权利要求16至17中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体包括钯。19.根据权利要求16至17中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体包括铟、铝、锡，铋、铜中的至少一个。20.根据权利要求6至20中任一项所述的电部件，其中，所述导电填充体还包括多个片状颗粒。21.根据权利要求6至19中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒设置在所述端口填充体上。
22.根据权利要求6至20中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒沉积到于所述端口填充体的相应外端上。23.根据权利要求21至22中任一项所述的电部件，其中所述片状颗粒具有在大约每克0.3平方米至大约每克1.5平方米范围内的比表面积。24.如权利要求23所述的电部件，其特征在于，所述比表面积的范围为大约每克0.3平方米到大约每克1平方米。25.如权利要求24所述的电部件，其特征在于，所述比表面积为大约每克0.76平方米。26.根据权利要求20至25中任一项所述的电部件，其中大部分所述片状颗粒具有在约2比1至约10比1的范围内的平均纵横比。27.根据权利要求20至26中任一项所述的电部件，其中大部分所述片状颗粒被压裂和填充以定义设置在所述端口填充体的外端上的层。28.根据权利要求20至27中任一项所述的电部件，其中所述片状颗粒具有约80％至约98％的密度。29.根据权利要求20至28中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是球磨的。30.根据权利要求20至28中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是磨碎的。31.根据权利要求20至28中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是行星磨碎的。32.根据权利要求20至28中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是冷冻粉碎的。33.根据权利要求6至32中任一项所述的电部件，还包括将所述导电填充体提结合于所述内表面的导电覆层。34.根据权利要求33所述的电部件，其中所述导电覆层将所述端口填充体结合于所述内表面。35.如权利要求34所述的电部件，其特征在于，所述主体部分填充体设置在所述导孔的中间区域中，并且所述覆层终止于所述内表面，而实质上不延伸到所述导孔的所述中间区域中。36.根据权利要求33至35中任一项所述的电部件，其中，所述覆层包括至少一种金属。37.根据权利要求36所述的电部件，其中，所述至少一种金属包括接合于所述基板的第一金属，以及接合于所述第一金属和所述端口填充体两者的第二金属。38.根据权利要求37所述的电部件，其中，所述第一金属包括粘附层。39.根据权利要求37至38中任一项所述的电部件，其中所述第一金属选自钛、钽、铬及其合金，所述合金包括钛钨合金。40.根据权利要求37至39中任一项所述的电部件，其中所述第一金属具有在约1纳米至约50纳米的范围内的厚度。41.如权利要求40所述的电部件，其特征在于，所述厚度在约5纳米至约10纳米的范围内。42.根据权利要求37至41中任一项所述的电部件，其中，所述第二金属包括粘结层。43.根据权利要求41至42中任一项所述的电部件，其中，所述第二金属是过渡金属。44.根据权利要求41至43中任一项所述的电部件，其中所述第二金属是银混溶性金属。45.根据权利要求37至44中任一项所述的电部件，其中所述第二金属选自铜、银和铝。46.根据权利要求37至45中任一项所述的电部件，其中，所述导电填充体烧结结合于所
述第一金属和所述第二金属中的一个。47.根据权利要求42至46中任一项所述的电部件，其中，所述粘结层具有在大约200纳米至大约5微米的范围内的厚度。48.根据权利要求42至45中任一项所述的电部件，其中所述结合层的厚度在约0.5微米至约2微米的范围内。49.根据权利要求36所述的电部件，其中，所述至少一种金属包括结合于所述内表面和所述导电填充体两者的单个金属。50.根据权利要求49所述的电部件，其中所述单个金属包括钛。51.根据权利要求36至50中任一项所述的电部件，其中，所述涂层通过气相沉积工艺被施加于所述内表面。52.根据权利要求51所述的电部件，其中，所述气相沉积是物理气相沉积(PVD)。53.根据权利要求36至50中任一项所述的电部件，其中所述覆层通过电离物理气相沉积(iPVD)、磁控溅射、DC溅射和蒸发沉积中的一种施加。54.根据权利要求36至50中任一项所述的电部件，其中所述覆层结合于所述内表面和所述端口填充体中的每一个。55.根据权利要求36至50中任一项所述的电部件，其中所述端口填充体烧结结合于所述涂层。56.根据权利要求36至55中任一项所述的电部件，其中所述覆层从所述内表面延伸到所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者上。57.根据权利要求6至56中任一项所述的电部件，其中所述端口填充体包括多模态颗粒。58.如权利要求57所述的电部件，其特征在于，所述端口填充体包括双模态颗粒。59.根据权利要求57至58中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体包括具有第一平均粒度的第一导电颗粒和具有第二平均粒度的第二导电颗粒，并且所述第一平均粒度和所述第二平均粒度限定在约1.5比1至约12体1的范围内的比率。60.如权利要求59所述的电部件，其特征在于，所述第一平均粒度在约1微米至约6微米之间。61.如权利要求60所述的电部件，其特征在于，所述第一平均粒度约为1.4微米。62.根据权利要求59至61中任一项所述的电部件，其中，所述第二平均粒度为约0.3微米至约1微米。63.如权利要求62所述的电部件，其特征在于，所述第二平均粒度约为0.6微米。64.根据权利要求33至63中任一项所述的电部件，其中，所述主体部分填充体定义有相对的端部，并且所述覆层进一步沿着所述相对的端部中的一个或两个延伸。65.根据权利要求33至64中任一项所述的电部件，其中，所述覆层定义有阻挡可渗透到所述导孔中的气体的屏障。66.根据权利要求33至64中任一项所述的电部件，其中，所述覆层定义有阻挡可渗透到所述导孔中的液体的屏障。67.根据前述权利要求中任一项所述的电部件，还包括布置在所述基板的所述第一表面和所述基板的所述第二表面中的至少一个上的再分布层。
68.根据权利要求67所述的电部件，其中，所述再分布层包括气相沉积的导电覆层。69.根据权利要求67至68中任一项所述的电部件，其中，所述再分布层包括结合于所述基板的第一层，以及结合于所述第一金属的第二层。70.根据权利要求69所述的电部件，其中，所述第一层包括粘附层。71.根据权利要求69至70中任一项所述的电部件，其中，所述第一层包括选自钛、钽、铬及其合金的金属，所述合金包括钛钨合金。72.根据权利要求69至71中任一项所述的电部件，其中，所述第二层包括金属。73.如权利要求72所述的电部件，其特征在于，所述金属包括铜、银和铝中的至少一种。74.根据权利要求72至73中任一项所述的电部件，还包括设置在所述第二层上的电导体的第三层。75.如权利要求74所述的电部件，其特征在于，所述第三层包括铜、银和铝中的一种。76.根据权利要求74至75中任一项所述的电部件，其中，所述第三层包括与所述第二层相同的金属。77.根据权利要求74至76中任一项所述的电部件，其中，所述第三层被电化学沉积到所述第二层上。78.根据权利要求74至77中任一项所述的电部件，其中，所述第三层比所述第二层厚。79.根据权利要求72至73中任一项所述的电部件，还包括设置在所述第二层上的抗反射金属第三层。80.根据权利要求79所述的电部件，其中所述第三层包括钛、钽、铬及其合金中的一种，所述合金包括钛钨合金。81.根据权利要求79至80中任一项所述的电部件，还包括设置在所述抗反射层上的电导体的第四层。82.根据权利要求81所述的电部件，其中所述第四层包括铜、银和铝中的一种。83.根据权利要求82所述的电部件，其中所述第四层包括与所述第二层相同的金属。84.根据权利要求81至83中任一项所述的电部件，其中，所述第四层比所述第二层厚。85.根据权利要求81至84中任一项所述的电部件，其中所述第四层被电化学沉积到所述第三层上。86.根据前述权利要求中任一项所述的电部件，其中所述基板的所述第一表面和所述第二表面沿一个方向彼此相对，并且所述基板定义有沟槽，所述沟槽具有基部，所述基部定义所述第一表面的第一部分，所述第一部分沿着朝向所述第二表面的方向从所述第一表面的第二部分偏移。87.如权利要求86所述的电部件，其特征在于，所述导孔终止于所述沟槽。88.根据权利要求86至87中任一项所述的电部件，还包括设置在所述沟槽中与所述导孔电连通的至少一个电导体。89.如权利要求88所述的电部件，其特征在于，所述至少一个电导体实质上填充所述沟槽。90.根据权利要求88至89中任一项所述的电部件，其中，所述至少一个电导体包括所述导电填充体。91.根据权利要求86至90中任一项所述的电部件，其中所述基板定义有第二沟槽，所述
第二沟槽具有第二基部，所述第二基部定义所述第二表面的第一部分，所述第一部分沿着朝向所述第一表面的方向从所述第二表面的第二部分偏移。92.如权利要求91所述的电部件，其特征在于，所述导孔终止于所述沟槽。93.根据权利要求91至92中任一项所述的电部件，还包括设置在所述沟槽中与所述导孔电连通的至少一个电导体。94.如权利要求93所述的电部件，其特征在于，所述至少一个电导体实质上填充所述沟槽。95.根据权利要求6至94中任一项所述的电部件，还包括设置在所述端口填充体的空隙中的金属。96.如权利要求95所述的电部件，其特征在于，所述金属是可电镀金属。97.根据权利要求95至96中任一项所述的电部件，其中所述可电镀金属包括钨、铜、钛、铝银及其合金中的至少一种。98.根据前述权利要求中任一项所述的电部件，其中，所述孔是沙漏形的，并且所述基板还包括沿着所述内表面延伸的导电覆层，并且所述导电填充体设置在所述孔的剩余部分中。99.如权利要求98所述的电部件，其特征在于，所述导电涂层包括粘结于所述内表面的导电粘附层，以及粘结有所述粘附层的电导体，其中所述导电填充体烧结结合于所述电导体。100.如权利要求99所述的电部件，其特征在于，所述导电粘合层是无电镀覆于所述内表面上的。101.根据权利要求99至100中任一项所述的电部件，其中，所述电导体被电化学沉积到所述粘附层上。102.根据权利要求99至101中任一项所述的电部件，其中所述粘附层包括钛、钽、铬及其合金中的一种，所述合金包括钛钨合金。103.根据权利要求98至102中任一项所述的电部件，其中所述导电覆层沿着所述内表面的实质上整体的部分延伸。104.根据权利要求6至103中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体包括在其外端处的至少一个实质上无孔的激光熔化端盖。105.根据权利要求6至103中任一项所述的电部件，其中，所述端口填充体包括在其相对的外端中的每一处的实质上无孔的激光熔化端盖。106.一种电部件，包括：玻璃基板，所述玻璃基板定义有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及内表面，所述内表面定义有从所述第一表面延伸到所述第二表面的孔；以及导电填充体，所述导电填充件设置在所述孔中以至少部分地定义导电导孔，由此所述导电导孔定义从所述第一表面到所述第二表面的导电路径，其中所述导电填充体包括多个烧结的导电片状颗粒。107.如权利要求106所述的电部件，其特征在于，所述片状颗粒的比表面积在约每克0.3平方米至约每克1.5平方米的范围内。108.如权利要求107所述的电部件，其特征在于，所述比表面积的范围为大约每克0.3
米平方到大约每克1平方米，包括大约每克0.76平方米。109.根据权利要求105至108中任一项所述的电部件，其中大部分所述片状颗粒具有在约2比1至约10比1的范围内的平均纵横比。110.根据权利要求105至108中任一项所述的电部件，其中大部分所述片状颗粒被压裂和填充，以便定义设置在所述端口填充体的外端上的层。111.根据权利要求105至110中任一项所述的电部件，其中所述片状颗粒具有约90％至约98％的密度。112.根据权利要求105至111中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是球磨的。113.根据权利要求105至111中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是磨碎的。114.根据权利要求105至111中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是行星磨碎的。115.根据权利要求105至111中任一项所述的电部件，其中，所述片状颗粒是冷冻粉碎的。116.根据权利要求105至115中任一项所述的电部件，其中，所述导电填充体还包括导电颗粒的主体部分填充体和邻近所述主体部分填充体的导电颗粒的端口填充体，其中所述片状颗粒设置在所述端口填充体的相应相对的外端上。117.如权利要求116所述的电部件，其特征在于，所述片状颗粒是烧结的并且定义有阻挡可穿透到所述导孔中的气体和液体中的至少一种的屏障。118.一种电部件，包括：基板，所述基板定义有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及内表面，所述内表面定义有从所述第一表面延伸到所述第二表面的孔；以及导电填充体，所述导电填充体包括导电颗粒，所述导电颗粒实质上从所述第一表面延伸到所述第二表面，以至少部分地定义导电导孔，其中所述导电导孔定义实质上从所述第一表面到所述第二表面的导电路径；以及导电覆层，所述导电覆层将所述导电填充体的至少一部分键合到所述内表面。119.根据权利要求118所述的电部件，其中所述覆层包括从所述内表面的第一部分延伸到所述第一表面的第一部分和从所述内表面的第二部分延伸到所述第二表面的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分通过所述内表面彼此间隔开。120.根据权利要求128至128中任一项所述的电部件，其中所述导电涂层包括至少一种金属。121.如权利要求120所述的电部件，其特征在于，所述至少一种金属是沉积在所述内表面上的蒸汽。122.根据权利要求120至121中任一项所述的电部件，其中，所述至少一种金属包括接合于所述基板的第一金属，以及接合于所述第一金属和所述端口填充体两者的第二金属。123.如权利要求122所述的电部件，其特征在于，所述第一金属包括粘附层。124.根据权利要求122至123中任一项所述的电部件，其中所述第一金属选自钛、钽、铬及其合金，所述合金包括钛钨合金。125.根据权利要求122至124中任一项所述的电部件，其中所述第一金属具有在约1纳米至约50纳米的范围内的厚度。
126.如权利要求125所述的电部件，其特征在于，所述厚度约为5纳米至约10纳米。127.根据权利要求122至126中任一项所述的电部件，其中，所述第二金属包括粘结层。128.根据权利要求126至127中任一项所述的电部件，其中，所述第二金属是过渡金属。129.根据权利要求126至128中任一项所述的电部件，其中所述第二金属是银混溶金属。130.根据权利要求122至129中任一项所述的电部件，其中所述第二金属选自由铜、银和铝组成的组。131.根据权利要求122至130中任一项所述的电部件，其中，所述导电填充体烧结结合到所述第二金属。132.根据权利要求127至131中任一项所述的电部件，其中，所述接合层具有在大约200纳米至大约5微米的范围内的厚度。133.根据权利要求127至130中任一项所述的电部件，其中所述结合层的厚度在约0.5微米至约2微米的范围内。134.根据权利要求120至121所述的电部件，其中，所述至少一种金属包括结合到所述内表面和所述导电填充体两者的单个金属。135.如权利要求134所述的电部件，其特征在于，所述单个金属包括钛。136.根据权利要求118至135中任一项所述的电部件，其中所述覆层从所述内表面延伸到所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者上。137.根据权利要求118至136中任一项所述的电部件，其中，所述覆层定义有阻挡可渗透到所述导孔中的气体的屏障。138.根据权利要求118至137中任一项所述的电部件，其中，所述覆层定义有阻挡可渗透到所述导孔中的液体的屏障。139.一种将在基板中从第一表面延伸到相对的第二表面的孔进行金属化的方法，所述方法包括以下步骤：将所述基板放置在支撑构件上，使得所述基板的第一侧的第一表面面向所述支撑构件，并且暴露所述基板的第二侧的与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一表面的一部分与所述支撑构件的支撑表面的至少一部分间隔开，以及在离心力的作用下将至少一个填充体引入到基板的第一侧处的孔中，使得至少一个填充体向外延伸超出第一表面。140.根据权利要求139所述的方法，其中，所述至少一个填充体包括第一端口填充体，并且所述方法还包括以下步骤：在离心力的作用下在基板的第二侧处将主体部分填充体引入孔中，使得主体部分填充体从第一端口填充体朝向第二表面延伸；以及在离心力下将第二端口填充体引入到基板的第二侧处的孔中，使得第二端口填充体从主体部分填充体延伸到第二表面。141.根据权利要求139至140中任一项所述的方法，其中所述支撑构件定义有相对于所述支撑表面的第一部分凹陷的沟槽，所述沟槽部分地由定义所述支撑表面的第二部分的所述支撑构件的基部定义，所述第二部分与所述孔对准。142.如权利要求141所述的方法，其特征在于，引入所述至少一个填充体的步骤使所述第一端口填充体的一部分延伸到所述支撑结构的所述沟槽中。
143.根据权利要求139至140中任一项所述的方法，还包括在所述支撑表面和所述基板的所述第二表面之间放置至少一个独立构件的步骤。144.如权利要求143所述的方法，其特征在于，引入所述至少一个填充体的步骤使所述第一端口填充体的一部分延伸到所述基板和所述支撑表面之间的间隙中。145.根据权利要求139至144中任一项所述的方法，其中所述基板定义有第一沟槽，所述第一沟槽延伸到所述第一端中，使得所述第一沟槽的基部定义所述第一表面的一部分，并且所述孔通向所述第一沟槽，使得所述第一端口填充体实质上从所述基部朝向所述第二表面延伸。146.如权利要求145所述的方法，其特征在于，引入所述至少一个填充体的步骤使所述第一端口填充体实质上填充所述第一沟槽。147.根据权利要求145至146中任一项所述的方法，其中，所述基板定义有第二沟槽，所述第二沟槽延伸到所述第二助剂中，使得所述第二沟槽的第二基部定义所述第二表面的一部分，并且所述孔通向所述第二沟槽，使得所述第二端口填体实质上从所述主体部分填充体延伸到所述第二基部。148.如权利要求147所述的方法，其特征在于，引入所述第二端口填充体的步骤使所述第二端口填充体实质上填充所述第二沟槽。149.根据权利要求140至148中任一项所述的方法，其中，所述第一和第二端口填充体包括多模态颗粒。150.如权利要求149所述的方法，其特征在于，所述第一和第二端口填充体包括双模态颗粒。151.根据权利要求149至150中任一项所述的方法，其中，所述第一端口填充体和所述第二端口填充体包括具有第一平均粒度的第一导电颗粒和具有第二平均粒度的第二导电颗粒，并且所述第一平均粒度和所述第二平均粒度定义约1.5比1至约12比1的范围内的比率。152.如权利要求151所述的方法，其特征在于，所述第一平均粒度在约1微米至约6微米之间。153.如权利要求152所述的方法，其特征在于，所述第一平均粒度约为1.4微米。154.根据权利要求150至153中任一项所述的方法，其中，所述第二平均粒度为约0.3微米至约1微米。155.如权利要求154所述的方法，其特征在于，所述第二平均粒度约为0.6微米。156.根据权利要求139至155中任一项所述的方法，还包括抵靠所述主体部分填充体压实至少所述第一和第二端口填充体的步骤。157.如权利要求156所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括将等静压施加于所述第一和第二端口填充体的步骤。158.如权利要求157所述的方法，还包括在施加等静压机的步骤之前加热所述基板的步骤，使得在所述第一和第二端口填充体处于升高的温度时执行施加所述等静压的步骤。159.如权利要求158所述的方法，其特征在于，所述升高的温度在大约120摄氏度和大约250摄氏度之间。160.根据权利要求158至160中任一项所述的方法，其中加热所述基板并施加所述等静
压的步骤使得所述第一和第二端口填充体致密化。161.如权利要求156所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括硬压所述第一和第二端口填充体。162.根据权利要求156至161中任一项所述的方法，还包括在所述压实步骤之后去除多余的第一和第二端口填充体的步骤。163.根据权利要求162所述的方法，还包括在所述基板的所述第一表面上驱动棒以去除所述过量的第一端口填充体的步骤。164.根据权利要求163所述的方法，其中所述棒具有高于所述第一端口填充体且低于所述基板的硬度。165.根据权利要求163至164中任一项所述的方法，其中，所述棒是橡胶棒。166.根据权利要求163至164中任一项所述的方法，其中，所述棒是特氟龙棒。167.根据权利要求162至166中任一项所述的方法，还包括在所述去除步骤之后，所述实质上非致密化的步骤烧结所述第一端口填充体，所述主体部分填充体和所述第二端口填充体。168.如权利要求167所述的方法，其特征在于，还包括在所述烧结步骤之后，将再分布层施加到所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上。169.如权利要求168所述的方法，其特征在于，施加所述再分布层的步骤包括将粘附层蒸气沉积到所述基板的所述第一表面，以及将金属层蒸气沉积到所述粘附层。170.根据权利要求169所述的方法，其中所述粘附层包括钛、钽、铬及其合金中的一种，所述合金包括钛钨合金。171.根据权利要求169至170中任一项所述的方法，其中，所述金属层包括铜，银，铝及其合金中的至少一种，所述合金包括银钯合金。172.根据权利要求169至171中任一项所述的方法，还包括将抗反射层蒸气沉积到所述金属层上的步骤。173.如权利要求172所述的方法，其特征在于，所述抗反射层包括钛。174.根据权利要求172至173中任一项所述的方法，还包括图案化钛和金属层的步骤。175.根据权利要求174所述的方法，包括以下步骤：掩蔽所述抗反射层；以及湿蚀刻所述抗反射层的暴露部分和所述金属层的暴露部分。176.如权利要求175所述的方法，还包括将第二金属层电化学沉积到所述抗反射层上的步骤。177.根据权利要求169至171中任一项所述的方法，其中，所述金属层是第一金属层，所述方法还包括掩蔽所述第一金属层的部分的步骤，以及将第二金属层电镀到所述第一金属层的暴露部分上。178.根据权利要求176至177中任一项所述的方法，其中，所述第二金属层包括铜、银和铝中的至少一种。179.根据权利要求139至178中任一项所述的方法，还包括在施加所述离心力期间震动所述基板的步骤。180.根据权利要求139至179中任一项所述的方法，还包括在施加所述主体部分填充体的步骤的所述离心力的施加期间震动所述基板的步骤。
181.根据权利要求139至180中任一项所述的方法，还包括在施加第二端口填充体步骤的步骤期间震动所述基板的步骤。182.一种填充由玻璃基板的内表面定义的孔的方法，所述玻璃基板从所述玻璃基板的第一表面延伸到与所述第一表面相对的玻璃基板的第二表面，所述方法包括以下步骤：执行至少一个填充步骤，所述至少一个填充步骤迫使多个第一导电颗粒进入所述孔中以定义主体部分填充；向所述内表面施加导电覆层；在所述施加步骤之后，执行至少一个端口填充操作，所述至少一个端口填充操作迫使多个第二导电颗粒进入所述孔，以定义从所述第一导电颗粒朝向所述第一表面和所述第二表面中的每一个延伸的端口填充；以及烧结所述第一导电颗粒和所述第二导电颗粒以产生导电导孔，所述导电导孔定义沿所述方向的导电路径。183.如权利要求182所述的方法，其特征在于，所述烧结步骤包括将所述第二导电颗粒烧结结合到所述涂层。184.根据权利要求182至183中任一项所述的方法，其中在执行所述至少一个填充操作的步骤之前执行所述施加步骤。185.根据权利要求184所述的方法，其中在执行所述至少一个填充操作的步骤之后执行所述施加步骤。186.如权利要求185所述的方法，其特征在于，所述施加步骤还将所述导电覆层施加到所述整体填充体的至少一个端部。187.如权利要求186所述的方法，其特征在于，所述施加步骤还将所述导电覆层施加到所述多个整体填充体的相对端。188.根据权利要求185所述的方法，其中所述施加步骤将所述导电涂层施加到所述基板的所述内表面的相对端。189.如权利要求188所述的方法，其特征在于，所述主体部分填充体设置在所述孔的中间区域中，所述施加步骤使所述涂层终止于所述内表面，而实质上不延伸到所述导孔的所述中间区域中。190.根据权利要求182至189中任一项所述的方法，其中，所述施加步骤包括将粘附层结合到所述内表面。191.如权利要求190所述的方法，其特征在于，所述施加步骤包括将所述粘附层蒸气沉积到所述内表面。192.如权利要求191所述的方法，其特征在于，所述粘附层包括第一金属。193.根据权利要求192所述的方法，其中所述第一金属包括钛、钽、铬及其合金中的一种，所述合金包括钛钨合金。194.根据权利要求190至193中任一项所述的方法，其中所述粘附层具有在约1纳米至约100纳米的范围内的厚度。195.如权利要求194所述的方法，其特征在于，所述厚度在约5纳米至约10纳米的范围内。196.根据权利要求190至195中任一项所述的方法，其中，所述施加步骤还包括将导电
粘结层施加到所述粘附层。197.根据权利要求196所述的方法，其中所述施加步骤包括将所述导电粘结层蒸气沉积到所述粘附层。198.根据权利要求196至197中任一项所述的方法，其中，所述粘结层包括第二金属。199.如权利要求198所述的方法，其特征在于，所述第二金属与所述第二导电颗粒可混溶。200.根据权利要求198至199中任一项所述的方法，其中，所述第二金属是过渡金属。201.根据权利要求198至200中任一项所述的方法，其中，所述第二导电颗粒是金属，并且所述第二金属与所述第二导电颗粒的所述金属混溶。202.根据权利要求198至201中任一项所述的方法，其中所述第二金属选自铜、银\铝及其合金，所述合金包括银钯合金。203.根据权利要求198至202中任一项所述的方法，还包括烧结将所述第二金属结合到所述第二导电颗粒。204.根据权利要求196至203中任一项所述的方法，其中所述结合层具有在约1纳米至约10微米的范围内的厚度。205.根据权利要求196至203中任一项所述的方法，其中所述结合层的厚度在约0.5微米至约2微米的范围内。206.根据权利要求182所述的方法，其中所述涂层包括结合到所述内表面和所述第二导电颗粒两者的单个金属。207.根据权利要求206所述的方法，其中所述单个金属包括钛。208.根据权利要求182至207中任一项所述的方法，其中所述涂层从所述内表面延伸到所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者上。209.根据权利要求182至207中任一项所述的方法，其中，所述第二导电颗粒包括多模态颗粒。210.权利要求209的方法，其中第二导电颗粒包括双模态颗粒。211.根据权利要求209至210中任一项所述的方法，其中所述第二导电颗粒具有第一平均粒度和具有第二平均粒度的第二导电颗粒，并且所述第一平均粒度和所述第二平均粒度限定在约1.5比1至约12比1的范围内的比率，包括约1.5比1至约3.5比1。212.如权利要求211所述的方法，其特征在于，所述第一平均粒度在约1微米至约6微米之间。213.如权利要求210所述的方法，其特征在于，所述第一平均粒度约为1.4微米。214.根据权利要求211至213中任一项所述的方法，其中，所述第二平均粒度为约0.3微米至约1微米。215.如权利要求214所述的方法，其特征在于，所述第二平均粒度约为0.6微米。216.根据权利要求182至215中任一项所述的方法，其中所述覆层定义阻挡可渗透到所述导孔中的气体的屏障。217.根据权利要求179至216中任一项所述的方法，其中所述覆层定义阻挡可渗透到所述导孔中的液体的屏障。218.根据权利要求182至217中任一项所述的方法，其中执行至少一个填充步骤的步骤
包括在压力差下迫使所述第一导电颗粒进入所述孔中。219.如权利要求218所述的方法，其中执行至少一个填充操作的步骤包括在离心力下将所述第二导电颗粒引入所述孔中。220.根据权利要求182至219中任一项所述的方法，还包括抵靠所述主体部分填充体压实至少所述第一和第二端口填充体的步骤。221.如权利要求220所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括将等静压施加到所述第一和第二端口填充体的步骤。222.如权利要求220所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括硬压所述第一和第二端口填充体。223.根据权利要求220至222中任一项所述的方法，还包括在所述压实步骤之后去除多余的第一和第二端口填充体的步骤。224.根据权利要求223所述的方法，其中所述去除步骤包括在所述基板的所述第一表面上驱动棒以去除所述过量的第一端口填充体。225.根据权利要求224所述的方法，其中所述棒具有高于所述第一端口填充体且低于所述基板的硬度。226.根据权利要求224至225中任一项所述的方法，其中，所述棒是橡胶棒。227.根据权利要求224至225中任一项所述的方法，其中，所述棒是特氟龙棒。228.根据权利要求223至227中任一项所述的方法，还包括在所述去除步骤之后，实质上非致密化烧结所述第一端口填充体、所述主体部分填充体和所述第二端口填充体的步骤。229.根据权利要求182至227中任一项所述的方法，还包括将热施加到气相沉积真空室到足以使所述第一导电颗粒和所述第二导电颗粒烧结的烧结温度的步骤。230.根据权利要求229所述的方法，其中所述烧结步骤在约80摄氏度至约400摄氏度的范围内的烧结温度下发生。231.根据权利要求230所述的方法，其中所述烧结温度为约300摄氏度至约400摄氏度。232.根据权利要求231所述的方法，其中所述范围为约300摄氏度至约350摄氏度。233.根据权利要求232所述的方法，其中所述烧结温度为约325摄氏度。234.根据权利要求229至233中任一项所述的方法，其中，所述施加和烧结步骤在共同的蒸气沉积室中执行。235.如权利要求234所述的方法，其特征在于，施加热的步骤和施加所述涂层的步骤同时发生在80摄氏度至400摄氏度的范围内。236.根据权利要求234至235中任一项所述的方法，其中施加热的步骤包括在施加所述体层的步骤期间将辐射热、对流热和传导热之一施加到所述沉积室中的烧结温度。237.如权利要求234所述的方法，其特征在于，包括在所述烧结步骤之后，降低所述热量并且随后将所述涂层蒸气沉积到所述内壁。238.根据权利要求237所述的方法，其中所述蒸气沉积步骤包括将所述粘附层蒸气沉积到所述内表面，以及将所述结合层蒸气沉积到所述粘附层。239.如权利要求234所述的方法，其特征在于，包括在所述烧结步骤之前，冷却所述蒸气沉积室以在所述蒸汽沉积步骤期间将所述内表面保持在低于100摄氏度的步骤。
240.根据权利要求239所述的方法，其中，在所述蒸汽沉积步骤期间，所述内表面保持在约0摄氏度至约80摄氏度的温度范围内。241.根据权利要求240所述的方法，包括在所述蒸汽沉积步骤之后将所述烧结温度施加到所述蒸汽沉积室。242.根据权利要求229至241中任一项所述的方法，还包括在所述去除步骤之后，所述基本上非致密化的步骤烧结所述第一端口填充体、所述主体部分填充体和所述第二端口填充体。243.根据权利要求228至242中任一项所述的方法，还包括，在所述烧结步骤之后，将再分布层施加到所述第一表面上的步骤。244.根据权利要求243所述的方法，其中，施加所述再分布层的步骤包括将粘附层蒸气沉积到所述基板的所述第一表面，以及将金属层蒸气沉积到所述结合层。245.根据权利要求244所述的方法，其中所述粘附层包括钛、钽、铬及其合金中的一种，所述合金包括钛钨合金。246.根据权利要求244至245中任一项所述的方法，其中，所述金属层包括铜、银、铝及其合金中的至少一种，所述合金包括银钯合金。247.如权利要求244至246中任一项所述的方法，还包括将抗反射层蒸气沉积到所述金属层上的步骤。248.根据权利要求247所述的方法，其中所述抗反射层包括钛。249.根据权利要求247至248中任一项所述的方法，还包括图案化钛和金属层的步骤。250.如权利要求249所述的方法，包括以下步骤：掩蔽所述抗反射层；以及湿蚀刻所述抗反射层的暴露部分和所述金属层的暴露部分。251.如权利要求250所述的方法，还包括将第二金属层电化学沉积到所述抗反射层上的步骤。252.如权利要求244至246中任一项所述的方法，其中，所述金属层是第一金属层，所述方法还包括掩蔽所述第一金属层的部分的步骤，以及在所述第一金属层的暴露部分上电镀第二金属层。253.根据权利要求251至252中任一项所述的方法，其中，所述第二金属层包括铜、银和铝中的至少一种。254.根据权利要求220至222中任一项所述的方法，还包括将多个导电薄片施加到所述端口填充体的两个相对的外端中的至少一个。255.根据权利要求254所述的方法，还包括将多个导电板施加到所述端口填充体的两个相对的外端。256.根据权利要求254至255中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒具有在约每克0.3平方米至约每克1.5平方米的范围内的比表面积。257.如权利要求256所述的方法，其特征在于，所述比表面积为每克大约每克0.3平方米到大约每克1平方米。258.如权利要求257所述的方法，其特征在于，所述比表面积为约每克0.76平方米。259.根据权利要求255至258中任一项所述的方法，其中大部分所述片状颗粒具有在约2比1至约10比1的范围内的平均纵横比。
260.根据权利要求254至259中任一项所述的方法，其中大部分所述片状颗粒被压裂和填充以定义设置在所述端口填充体的外端上的层。261.根据权利要求254至260中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒具有约90％至约98％的密度。262.根据权利要求254至261中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒是球磨的。263.根据权利要求254至261中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒是磨碎的。264.根据权利要求254至261中任一项所述的方法，其中，所述片状颗粒是行星磨碎的。265.根据权利要求254至261中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒是冷冻粉碎的。266.根据权利要求254至265中任一项所述的方法，其中，所述压实步骤使大部分所述薄片破裂并定义所述薄片颗粒。267.根据权利要求264至266中任一项所述的方法，其中所述烧结步骤包括烧结所述片状颗粒以限定分别涂覆所述端口填充体的至少一个外表面的至少一个层。268.如权利要求267所述的方法，其特征在于，所述至少一个层包括在所述端口填充体的相对外表面处的相应层。269.根据权利要求267至268中任一项所述的方法，其中，所述至少一个层定义有阻挡可渗透到所述导孔中的液体的屏障。270.根据权利要求267至268中任一项所述的方法，其中，所述至少一个层定义有阻挡可穿透到所述导孔中的气体的屏障。271.根据权利要求182至270中任一项所述的方法，其中，所述端口填充体从所述第一导电颗粒实质上延伸到所述第一表面和所述第二表面中的每一个。272.根据权利要求182至271中任一项所述的方法，进一步将金属电镀到所述端口填充体的间隙中。273.根据权利要求272所述的方法，其中所述金属包括铝、铜、钛、银及其合金中的至少一种到所述空隙中。274.根据权利要求182至273中任一项所述的方法，其中，所述端口填充体包括银颗粒或银涂层铜颗粒。275.根据权利要求182至271中任一项所述的方法，还包括将金属沉积到所述端口填充体的间隙中。276.根据权利要求275所述的方法，其中所述金属包括钨、铜、钛、银及其合金中的至少一种。277.根据权利要求275至276中任一项所述的方法，其中，所述沉积步骤包括化学气相沉积工艺。278.根据权利要求277所述的方法，其中所述沉积步骤包括金属有机化学气相沉积工艺。279.根据权利要求278所述的方法，其中所述真空化学气相沉积工艺包括金属有机化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺中的一种。280.根据权利要求275至279中任一项所述的方法，其中，所述端口填充体包括银颗粒或银涂层铜颗粒。281.如权利要求182至280中任一项所述的方法，其特征在于，还包括在所述烧结步骤
之后，将激光引导到所述端口填充体的至少一个端部的步骤足以使所述端口填充体熔化并限定致密端盖。282.根据权利要求281所述的方法，其中所述第二执行步骤使所述多个第二导电颗粒被填充超出所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个。283.根据权利要求282所述的方法，其中所述过填充的端口填充部分被填充到所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一个之外。284.根据权利要求281至283中任一项所述的方法，其中，在受控脉冲时间和所述激光的强度下执行所述引导步骤，以熔化所述溢出的端口填充，从而定义所述密实端盖。285.根据权利要求281至284中任一项所述的方法，其中，所述密实端盖定义有阻挡可渗透到所述孔中的气体和液体中的一种或两种的屏障。286.根据权利要求281至285中任一项所述的方法，其中，所述激光器是绿色激光器。287.一种填充由玻璃基板的内表面限定的孔的方法，所述玻璃基板从所述玻璃基板的第一表面延伸到与所述第一表面相对的玻璃基板的第二表面，所述方法包括以下步骤：执行至少一个填充步骤，所述至少一个填充步骤迫使多个导电颗粒进入所述孔中，以定义导电填充体，所述导电填充体定义相对端；在所述执行步骤之后，将导电薄片施加到所述导电填充体的相对端中的至少一个；以及在所述施加步骤之后，烧结所述导电颗粒和所述导电薄片，以至少部分地定义导电导孔，其中所述导电导孔是从所述第一表面到所述第二表面的导电路径。288.根据权利要求287所述的方法，其中所述烧结步骤使所述薄片涂覆所述导电填充体的相对端中的所述至少一个，以针对气体和液体中的一个或两个定义屏障。289.根据权利要求287所述的方法，其中所述施加步骤包括将导电薄片施加到所述导电填充体的所述相对端中的每一个。290.如权利要求288所述的方法，其特征在于，所述烧结步骤使所述薄片涂覆所述导电填充体的相对端中的每一个，以便针对气体和液体中的一个或两个定义屏障。291.根据权利要求287至290中任一项所述的方法，还包括压实所述至少一个填充体的步骤。292.如权利要求291所述的方法，其特征在于，所述压实步骤在所述施加步骤之前执行。293.如权利要求291所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括将等静压施加到所述至少一个填充体的步骤。294.如权利要求293所述的方法，其特征在于，所述压实步骤在所述施加步骤之后执行，使得所述压实步骤进一步将所述薄片压靠在所述至少一个填充体上。295.如权利要求294所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括对所述薄片和所述至少一个填充体施加等静压的步骤。296.根据权利要求285至295中任一项所述的方法，其中所述执行步骤包括执行第一填充步骤，所述第一填充步骤迫使第一多个导电颗粒进入所述孔中以定义主体部分填充，以及执行第二填充步骤，所述第二填充步骤迫使第二多个导电颗粒进入所述孔中，以定义从所述主体部分填充朝向所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一个延伸的端口填充。
297.根据权利要求296所述的方法，还包括将所述导电板施加到所述端口填充体的相对外端。298.根据权利要求287至297中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒具有在大约每克0.3平方米至大约每克1.5平方米的范围内的比表面积。299.如权利要求288所述的方法，其特征在于，所述比表面积为大约每克0.3平方米到大约每克1平方米。300.如权利要求299所述的方法，其特征在于，所述比表面积为约每克0.76平方米。301.根据权利要求297至300中任一项所述的方法，其中大部分所述片状颗粒具有在约2比1至约10比1的范围内的平均纵横比。302.根据权利要求296至301中任一项所述的方法，其中大部分所述片状颗粒被压裂和压制，以定义设置在所述端口填充体的外端上的层。303.根据权利要求296至302中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒具有约80％至约98％的密度。304.根据权利要求287至303中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒是球磨的。305.根据权利要求287至303中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒是磨碎的。306.根据权利要求287至303中任一项所述的方法，其中，所述片状颗粒是行星磨碎的。307.根据权利要求287至303中任一项所述的方法，其中所述片状颗粒是冷冻粉碎的。308.根据权利要求287至299中任一项所述的方法，还包括在所述烧结步骤之后，将再分布层施加到所述第一表面上的步骤。309.根据权利要求308所述的方法，其中，施加所述再分布层的步骤包括将粘附层蒸气沉积到所述基板的所述第一表面，以及将金属层蒸气沉积到所述粘附层。310.根据权利要求309所述的方法，其中所述粘附层包括钛、钽\铬及其合金中的一种，所述合金包括钛钨合金。311.根据权利要求309至310中任一项所述的方法，其中所述金属层包括铜、银、铝及其合金中的至少一种，所述合金包括银钯合金。312.根据权利要求309至311中任一项所述的方法，还包括将抗反射层蒸气沉积到所述金属层上的步骤。313.根据权利要求312所述的方法，其中所述抗反射层包括钛。314.根据权利要求312至313中任一项所述的方法，还包括图案化钛和金属层的步骤。315.根据权利要求314所述的方法，包括以下步骤：掩蔽所述抗反射层；以及湿蚀刻所述抗反射层的暴露部分和所述金属层的暴露部分。316.根据权利要求315所述的方法，还包括将第二金属层电化学沉积到所述抗反射层上的步骤。317.根据权利要求309至311中任一项所述的方法，其中，所述金属层是第一金属层，所述方法还包括掩蔽所述第一金属层的部分的步骤，以及将第二金属层电镀到所述第一金属层的暴露部分上。318.根据权利要求316至317中任一项所述的方法，其中，所述第二金属层包括铜、银和铝中的至少一种。319.一种填充由玻璃基板的内表面限定的孔的方法，所述玻璃基板从所述玻璃基板的
第一表面延伸到与所述第一表面相对的玻璃基板的第二表面，所述方法包括以下步骤：执行至少一个填充步骤，所述至少一个填充步骤迫使多个第一导电颗粒进入所述孔中以定义主体部分填充；在所述执行步骤之后，执行至少一个端口填充操作，所述至少一个端口填充操作迫使多个第二导电颗粒进入所述孔，以定义从所述第一导电颗粒朝向所述第一表面和所述第二表面中的每一个延伸的端口填充，其中所述端口填充定义所述第二导电颗粒之间的多个间隙；以及在最后的填充步骤之后，将金属引入空隙中。320.如权利要求319所述的方法，其特征在于，所述引入步骤包括将所述金属电镀到所述端口填充体的间隙中。321.根据权利要求320所述的方法，其中所述金属包括钨、铜、钛、银及其合金中的至少一种到所述间隙中。322.根据权利要求320至321中任一项所述的方法，其中，所述端口填充体包括银颗粒或银涂层铜颗粒。323.如权利要求319所述的方法，其特征在于，所述引入步骤包括将金属沉积到所述端口填充体的空隙中。324.根据权利要求323所述的方法，其中所述金属包括钨、铜、钛、银及其合金中的至少一种。325.如权利要求323至324中任一项所述的方法，其中，所述沉积步骤包括化学气相沉积工艺。326.根据权利要求325所述的方法，其中所述沉积步骤包括金属有机化学气相沉积工艺。327.根据权利要求326所述的方法，其中所述真空化学气相沉积工艺包括金属有机化学气相沉积工艺，等离子体增强化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺中的一种。328.根据权利要求323至327中任一项所述的方法，其中，所述端口填充体包括银颗粒或银涂层铜颗粒。329.根据权利要求319至328中任一项所述的方法，还包括压实至少所述第一和第二端口填充体的步骤。330.如权利要求329所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括将等静压施加到所述第一和第二端口填充体的步骤。331.如权利要求329所述的方法，其特征在于，所述压实步骤包括硬压所述第一和第二端口填充体。332.根据权利要求329至331中任一项所述的方法，还包括在所述压实步骤之后去除多余的第一和第二端口填充体的步骤。333.根据权利要求332所述的方法，还包括在所述基板的所述第一表面上驱动棒以去除所述过量的第一端口填充体的步骤。334.根据权利要求333所述的方法，其中所述棒具有高于所述第一端口填充且低于所述基板的硬度。335.根据权利要求333至334中任一项所述的方法，其中，所述棒是橡胶棒。
336.根据权利要求333至334中任一项所述的方法，其中，所述棒是特氟龙棒。337.根据权利要求332至336中任一项所述的方法，还包括在所述去除步骤之后，实质上非致密化烧结所述导电颗粒以产生导电导孔的步骤。338.根据权利要求337所述的方法，还包括在所述烧结步骤之后，将再分布层施加到所述第一表面上的步骤。339.一种填充由玻璃基板的内表面定义的孔的方法，所述玻璃基板从所述玻璃基板的第一表面延伸到与所述第一表面相对的玻璃基板的第二表面，所述方法包括以下步骤：执行至少一个填充步骤，所述至少一个填充步骤迫使多个第一导电颗粒进入所述孔中以定义主体部分填充；在所述执行步骤之后，执行至少一个端口填充操作，所述至少一个端口填充操作迫使多个第二导电颗粒进入所述孔，以定义从所述第一导电颗粒朝向所述第一表面和所述第二表面中的每一个延伸的端口填充，其中所述端口填充定义所述第二导电颗粒之间的多个间隙；以及当基板设置在腔室中时，使氮气和氧气混合物流过孔。340.如权利要求339所述的方法，其特征在于，所述室是真空室。341.根据权利要求340所述的方法，其中在所述第二执行步骤之后执行所述放置步骤。342.根据权利要求339至341中任一项所述的方法，还包括以下步骤：升高所述室中的温度，以使有机物形成氧化物并且从所述颗粒中排空。343.如权利要求342所述的方法，其中升高所述温度的步骤包括将所述温度升高到大约120摄氏度。344.根据权利要求339至343中任一项所述的方法，其中，当所述室已经被加热到大约50摄氏度时，执行使氮气和氧气混合物流动的步骤。345.根据权利要求339至344中任一项所述的方法，还包括在使所述氮和氧混合物流过所述孔的步骤之后，所述随后的使氮气流过所述孔并去除所述氮气和氧气混合物的步骤。346.如权利要求345所述的方法，其特征在于，在从大约0TORR到大约760TORR的范围内的压力下执行使氮气流动的后续步骤。347.根据权利要求345至34中任一项所述的方法，其中在约120摄氏度至约180摄氏度的范围内的温度下执行使氮气流动的后续步骤。348.根据权利要求345至347中任一项所述的方法，还包括在随后的使氮气流动的步骤之后，使氮气和氢气混合物流过所述孔，以便减少所述颗粒上的金属氧化物的量。349.如权利要求348所述的方法，其特征在于，包括在使所述氮和氢气混合物流过所述孔的步骤之后，使氮气流过所述孔，以便从所述孔吹扫所述氮气和氢气混合物。350.如权利要求349所述的方法，还包括在使氮气流过所述孔以从所述孔中除去金属氧化物的步骤之后烧结所述颗粒的步骤。351.如权利要求350所述的方法，其特征在于，所述烧结步骤是实质上非致密化的烧结步骤。352.根据权利要求350至351中任一项所述的方法，还包括，在所述烧结步骤之后，将激光引导到所述端口填充体的至少一个端部的步骤足以使所述端口填充体熔化并限定致密端盖。
353.根据权利要求352所述的方法，其中所述第二执行步骤使所述多个第二导电颗粒被填充超过所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个。354.根据权利要求353所述的方法，其中所述过填充的端口填充部分被填充到所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一个之外。355.根据权利要求353至354中任一项所述的方法，其中，所述引导步骤在受控脉冲时间和所述激光的强度下执行，以熔化所述溢出的端口填充体，从而定义所述密集端盖。356.根据权利要求352至355中任一项所述的方法，其中，所述密实端盖定义主档可渗透到所述孔中的气体和液体中的一种或两种的屏障。357.根据权利要求352至356中任一项所述的方法，其中，所述激光器是绿色激光器。358.一种填充由玻璃基板的内表面限定的孔的方法，所述玻璃基板从所述玻璃基板的第一表面延伸到与所述第一表面相对的玻璃基板的第二表面，所述方法包括以下步骤：执行至少一个填充步骤，所述至少一个填充步骤迫使多个第一导电颗粒进入所述孔中以定义主体部分填充；在所述执行步骤之后，执行至少一个端口填充操作，所述至少一个端口填充操作迫使多个第二导电颗粒进入所述孔，以定义从所述第一导电颗粒朝向所述第一表面和所述第二表面中的每一个延伸的端口填充；烧结体填充和端口填充以至少部分地定义导电导孔；以及在烧结步骤之后，引导激光至少一个端口填充体的一端足以使端口填充体的端部熔化并限定实质上无孔的端盖。359.根据权利要求358所述的方法，其中所述第二执行步骤使所述多个第二导电颗粒被填充超过所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个。360.根据权利要求359所述的方法，其中所述过填充的端口填充部分被填充超过所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一个。361.根据权利要求359至360中任一项所述的方法，其中，所述引导步骤在受控脉冲时间和所述激光的强度下执行，以便熔化所述溢出的端口填充，从而定义所述实质上无孔的端盖。362.根据权利要求358至361中任一项所述的方法，其中，所述实质上无孔的端盖定义有阻挡可渗透到所述孔中的气体和液体中的一种或两种的屏障。363.根据权利要求358至362中任一项所述的方法，其中，所述激光器是绿色激光器。364.根据权利要求358至363中任一项所述的方法，其中所述烧结步骤包括非致密化烧结。365.根据权利要求358至364中任一项所述的方法，还包括在所述孔中压实所述导电颗粒的步骤，并且随后在执行所述烧结步骤之前实质上平整化所述端口填充体的任一个或两个相对端。366.根据权利要求365所述的方法，其中所述平整化步骤包括沿着所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的一个驱动棒以抛光所述端口填充体的任一端或两个端部的步骤。367.一种制造导电部件的方法，所述导电部件包括玻璃基板，所述玻璃基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及从所述第一表面延伸到所述第二表面的孔，
所述方法包括以下步骤：执行至少一个填充步骤，所述至少一个填充步骤迫使多个第一导电颗粒进入所述孔中以定义主...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。