一种半导体结构的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，所述方法包括：提供一基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区的基底内具有至少一个第一开口，所述第二区的基底内具有至少一个第二开口；向所述基底表面通入沉积气体和刻蚀气体，其中，所述沉积气体用于形成聚合物沉积下来，所述刻蚀气体用于消耗形成于所述基底表面的所述聚合物，所述聚合物在所述第一开口和所述第二开口内生长直至洞口停止生长，以在所述第一开口和所述第二开口内形成涂层，所述涂层充满所述第一开口和所述第二开口。本发明专利技术的方法能够解决进行膜沉积工艺中基底的不同开口内涂层厚度不同的问题。底的不同开口内涂层厚度不同的问题。底的不同开口内涂层厚度不同的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的形成方法及半导体结构


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在摩尔定律的持续推动下，半导体的技术节点迅速推进到10nm以下的节点。等离子体刻蚀工艺是制约其发展的重要技术环节之一，其中在光刻胶下填铺底部抗反射层(Bottom Anti
‑
Reflective Coating，BARC)及相应的等离子体刻蚀工艺是实现小尺寸的重要步骤之一，因此是离子注入等区域选择性制程得以实现的常见途径。
[0003]BARC涂层可以吸收曝光时透过胶膜的以及晶圆表面所反射的光，有效抑制驻波效应和防止光刻胶的多重曝光。BARC涂层在填铺过程中一般使用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)或CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法进行沉积，或旋涂法后进行烘干。但当底层结构(即基底中的开口)出现分布的疏密程度不同、关键尺寸不同或结构纵向尺寸不同等情况时，会造成不同开口内的BARC涂层最终本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区的基底内具有至少一个第一开口，所述第二区的基底内具有至少一个第二开口；向所述基底表面通入沉积气体和刻蚀气体，其中，所述沉积气体用于形成聚合物沉积下来，所述刻蚀气体用于消耗形成于所述基底表面的所述聚合物，所述聚合物在所述第一开口和所述第二开口内生长直至洞口停止生长，以在所述第一开口和所述第二开口内形成涂层，所述涂层充满所述第一开口和所述第二开口。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的容积大于所述第二开口的容积。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口的开口深度相等，所述第一开口的开口宽度大于所述第二开口的开口宽度。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口的开口宽度相等，所述第一开口的开口深度大于所述第二开口的开口深度。5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述聚合物在所述第二开口内生长至所述第二开口的洞口时停止生长，所述聚合物在所述第一开口内继续形成所述聚合物，直至所述第一开口内的聚合物也生长至所述第一开口的洞口停止生长。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积气体和所述刻蚀气体的比例的范围为2:3～4:1。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体为含H原子的还原性气体，或者为含O原子的氧化性气体。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体选择NH3，或者NO，或者CO，或者O2，或者H2和N2组合气体。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积气体为含C...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乔慈，赵军，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：