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本发明公开了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，所述方法包括：提供一基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区的基底内具有至少一个第一开口，所述第二区的基底内具有至少一个第二开口；向所述基底表面通入沉积气体和刻蚀气体，其中，所述沉积气体...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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