一种PAD加厚层双层正胶光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，固定基板；在基板的上表面均匀涂抹第一层正性光刻胶；在第一层正胶光刻胶的上方设置透明石英掩模，并对透明石英掩模进行曝光，对第一层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模；在第一层正胶光刻胶的顶部均匀涂抹第二层正性光刻胶；在第二层正胶光刻胶的上方设置使用图形石英掩模，并进行曝光，曝光完成后，取下图形石英掩模，得到双层正胶的基板，对基板进行显影，此时PAD图形已转移到基板上；再对基板进行金属镀膜，本方法，工艺稳定，可以代替负胶功能，弥补负胶厚度不足因素，剥离后加厚层侧壁毛边少，去胶溶剂易进入光刻胶的底部，更利于光刻胶剥离。更利于光刻胶剥离。更利于光刻胶剥离。

【技术实现步骤摘要】
一种PAD加厚层双层正胶光刻方法


[0001]本专利技术涉及光刻
，具体为一种PAD加厚层双层正胶光刻方法。

技术介绍

[0002]光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。
[0003]目前晶圆表面在光刻时，多数采用单层正胶和负胶的工艺，进行金属镀膜，而在后续去胶过程中，难以快速将胶进行剥离，致使金属镀膜出现毛边现象，影响芯片制作完成后的质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，S1、固定基板；S2、在基板的上表面均匀涂抹第一层正胶光刻胶；S3、在第一层正胶光刻胶的上方设置透明石英掩模，并通过透明石英掩模对基板进行曝光，对第一层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模；S4、在第一层正胶光刻胶的顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PAD加厚层双层正胶镀膜方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、固定基板（1）；S2、在基板（1）的上表面均匀涂抹第一层正胶光刻胶（2）；S3、在第一层正胶光刻胶（2）的上方设置透明石英掩模（3
‑
1），并通过透明石英掩模（3
‑
1）对基板进行曝光，对第一层正胶光刻胶（2）进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模（3
‑
1）；S4、在第一层正胶光刻胶（2）的顶部均匀涂抹第二层正胶光刻胶（4）；S5、在第二层正胶光刻胶（4）的上方设置图形石英掩模（3
‑
2），并通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩旭，
申请(专利权)人：王浩旭，
类型：发明
国别省市：