一种BiVO4/g-C3N4/AgBr三元复合光催化剂及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种BiVO4/g

【技术实现步骤摘要】
一种BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光催化材料领域，具体涉及一种BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]钒酸铋(BiVO4)作为一种新型的半导体材料，因其带隙窄(2.4eV)，具有出色的化学稳定性，绿色无毒，制备简单而备受关注，然而BiVO4受到了电子
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空穴对分离能力差和利用光能力相对较弱的限制。为了克服这些障碍，研究者目前主要采用构建异质结光催化剂的方法促进BiVO4激发电子空穴对分离，从而提高光催化性能。其中，g
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C3N4因其良好的可见光活性、化学稳定性和强还原性而被认为是构建BiVO4异质结的优良半导体材料。
[0003]公开号为CN112871194A的专利技术专利公开了一种钒酸铋复合光催化材料及其制备方法，该方法将三聚氰胺进行第一煅烧处理，得到蜜勒胺；将所述蜜勒胺与均苯四甲酸酐混合后，进行第二煅烧处理，得到连接有芳香二亚胺结构的碳化氮材料；将所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备BiVO4粉体：硝酸铋超声分散于去离子水中制备溶液A，向溶液A中加入钒酸钠制备溶液B，将溶液B加入到水热反应釜中进行水热反应，反应结束后，清洗干燥，得到BiVO4粉体，备用；制备g
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C3N4粉体：取双聚氰胺进行煅烧处理得到g
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C3N4粗颗粒，制备得到的g
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C3N4粗颗粒经过球磨处理后得到g
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C3N4粉体，备用；制备BiVO4/g
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C3N4预复合体：取制备得到的BiVO4粉体和g
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C3N4粉体溶于溶剂中，经过超声处理后，搅拌反应，结束后，干燥得到BiVO4/g
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C3N4预复合体，备用；制备BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂：取制备得到的BiVO4/g
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C3N4预复合体溶于去离子水中超声处理后得到溶液C，在溶液C中加入硝酸银得到溶液D，在溶液D中加入溴化钾溶液进行搅拌反应，反应结束后，离心洗涤、干燥得到BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂。2.根据权利要求1所述的BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂的制备方法，其特征在于，制备BiVO4粉体的步骤中，硝酸铋采用Bi(NO3)3·
5H2O，钒酸钠采用Na3VO4·
12H2O，并且Bi(NO3)3·
5H2O和Na3VO4·
12H2O的质量比为(6～12):(10～20)，水热反应的温度为150～170℃，保温时间为6～9h。3.根据权利要求1所述的BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂的制备方法，其特征在于，制备g
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C3N4粉体的步骤中，双聚氰胺煅烧处理的温度为550～600℃，保温时间为4～6h，g
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C3N4粗颗粒球磨处理前加入助磨剂，球料比为10:1～20:1，球磨时间为10～30h，球磨转速为100
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600rpm。4.根据权利要求1所述的BiVO4/g
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C3N4/AgBr三元复合光催化剂的制备方法，其特征在于，制备BiVO4/g
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C3N4预复合体的步骤中，BiVO4和g
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C3N4的质量比为(4～6):(2～4)，溶剂采用无水乙醇，超声功率为90
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120W，超声时间为10～30min，搅拌时间为10～30min，搅拌转速为100～300rpm。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙艳，汪东营，陈双洋，任炳华，刘思南，张永超，罗栖，蒲树兰，陈永民，张云涛，董驭钦，
申请(专利权)人：成都大学，
类型：发明
国别省市：