一种高匹配带隔离一分三魔T功分器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高匹配带隔离一分三魔T功分器，包括第一魔T结构、H

【技术实现步骤摘要】
一种高匹配带隔离一分三魔T功分器


[0001]本技术属于微波功分器
，具体为一种高匹配带隔离一分三魔T功分器。

技术介绍

[0002]功分器是实现功率均分，降低单路承受功率的器件，通常情况下，功分器是按照2的次方倍进行均分，各级核心结构相同，结构简单，但该种功分器的使用具有局限性，当负载为奇数路时，偶数路的功分器不适用，多余的端口需加负载，这样会造成能源的浪费以及成本的增加，不利于控制生产成本。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种高匹配带隔离一分三魔T功分器，以解决
技术介绍
中当负载为奇数路时，偶数路的功分器不适用，多余的端口需加负载，这样会造成能源的浪费以及成本的增加，不利于控制生产成本的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：
[0005]一种高匹配带隔离一分三魔T功分器，包括第一魔T结构、H
‑
T分支以及结构相同的第二魔T结构和第三魔T结构；所述第一魔T结构包括一个输入端口、一个隔离端口和两个输出端口，两个输出端口输出的功率比例为1:1；所述第二魔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高匹配带隔离一分三魔T功分器，其特征在于：包括第一魔T结构(1)、H
‑
T分支(4)以及结构相同的第二魔T结构(2)和第三魔T结构(3)；所述第一魔T结构(1)包括一个输入端口、一个隔离端口和两个输出端口，两个输出端口输出的功率比例为1:1；所述第二魔T结构(2)包括一个输入端口、一个隔离端口、两个输出端口和使两个输出端口输出功率比例为1:2的第一匹配结构(51)；第一魔T结构(1)、第二魔T结构(2)和第三魔T结构(3)的隔离端口分别接一个负载吸收设备(6)；所述H
‑
T分支(4)包括两个输入端口和一个输出端口；第二魔T结构(2)和第三魔T结构(3)的输入端口分别与第一魔T结构(1)的两个输出端口连接，所述第二魔T结构(2)和第三魔T结构(3)输出功率较小的两个输出端口分别与H
‑
T分支(4)的两个输入端口连接。2.根据权利要求1所述的一种高匹配带隔离一分三魔T功分器，其特征在于：还包括两个用于使第一魔T结构(1)的两个输出端口输出的微波转向90度的转向结构(7)；所述第一魔T结构(1)的两个输出端口输出的微波传导方向经转向结构(7)转向后与第一魔T结构(1)的输入端口的微波传导方向相同。3.根据权利要求2所述的一种高匹配带隔离一分三魔T功分器，其特征在于：所述第二魔T结构(2)和第三魔T结构(3)对称设置，所述第二魔T结构(2)和第三魔T结构(3)之间是H
‑
T分支(4)，所述H
‑
T分支(4)的输出端口输出的微波传导方向与第一魔T结构(1)的输入端口的微波传导方向相同，所述第二魔T结构(2)和第三魔T结构(3)输出功率较小的两个输出端口分别与H
‑
T分支(4)的两个输入端口连接。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：何凤辉，王曙光，
申请(专利权)人：成都欧拉微波元器件有限公司，
类型：新型
国别省市：