一种用于MPCVD的样品台水冷结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于MPCVD的样品台水冷结构，包括用于滑动安装在沉积腔锥底板内的样本台结构，样本台结构包括内部中空的样品台支撑柱，安装在样品台支撑柱上方的台柱、安装在台柱上的样品台上盖；样品台上盖顶部设置有放置钼托的定位环；台柱上设置有安装孔和与安装孔连通的阶梯通孔，台柱上安装孔与样品台上盖之间形成水冷安装区域，水冷结构安装区域内设置有水路板，水路板中部设置有进水孔，水路板顶部设置若干与进水孔连通的第一水槽，水路板下端面设置有与阶梯通孔对应的凸起，水路板上的凸起与台柱通孔配合后。本实用新型专利技术在实际的使用中能够保证样品台面温度的均匀性，具备能够保护样品基片不受热应力而破裂的优点。备能够保护样品基片不受热应力而破裂的优点。备能够保护样品基片不受热应力而破裂的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于MPCVD的样品台水冷结构


[0001]本技术涉及一种微波等离子体化学气相沉积
，具体涉及一种用于MPCVD的样品台水冷结构。

技术介绍

[0002]微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长技术由于其微波能量无污染、气体原料纯净等优势而在众多单晶金刚石制备方法中脱颖而出，成为制备大尺寸、高品质单晶金刚石最有发展前景的技术之一。目前，微波等离子体CVD被认为是一种理想的沉积金刚石的方法。其原理为：在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其他的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，产生更高密度的等离子体的产生。在反应过程中原料气体电离化程度达到10％以上，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善。
[0003]如何制备更高品质的单晶金刚石是MPCVD金刚石生长领域学者们重点关注的问题之一。
[0004]现有技术中存在样品台结构不合理导致生长过程中台面温差过大，致使单晶片受热应力破裂，而增加生产成本的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种用于MPCVD的样品台水冷结构，其在实际的使用中能够保证样品台面温度的均匀性，具备能够保护样品基片不受热应力而破裂的优点。
[0006]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：
[0007]一种用于MPCVD的样品台水冷结构，包括用于滑动安装在沉积腔锥底板内的样本台结构，样本台结构包括内部中空的样品台支撑柱，安装在样品台支撑柱上方的台柱、安装在台柱上的样品台上盖；样品台上盖顶部设置有放置钼托的定位环；
[0008]其中，台柱上设置有安装孔和与安装孔连通的阶梯通孔，台柱上安装孔与样品台上盖之间形成水冷安装区域，水冷结构安装区域内设置有水路板，水路板中部设置有进水孔，水路板顶部设置若干与进水孔连通的第一水槽，水路板下端面设置有与阶梯通孔对应的凸起，水路板上的凸起与台柱通孔配合后，水路板边缘与安装孔边缘形成水道，水路板下端面设置有若干与水道及阶梯通孔连通的第二水槽；
[0009]样品台支撑柱下端设置有堵头，进水孔连接有冷却水进水管，冷却水进水管下端穿过堵头，堵头上设置有冷却水出水管。
[0010]其中，样品台上盖与台柱之间设置有密封圈且通过螺钉连接。
[0011]进一步优化，样品台上盖由铜制成，样品台支撑柱、台柱均由不锈钢制成。
[0012]其中，样品台支撑柱下端连接有用于驱动样品台支撑柱在沉积腔锥底板内移动的
升降机构。
[0013]其中，冷却水出水管及冷却水进水管均由铜制成。
[0014]进一步优化，沉积腔锥底板由不锈钢材料制成。
[0015]其中，沉积腔锥底板上与样品台支撑柱接触一面设置有燕尾槽，燕尾槽内填充有铜制密封填料。
[0016]其中，沉积腔锥底板上端具有一个圆锥台型结构的沉积腔底板，位于圆锥台型结构的外侧面设置有由铜材料制成的水冷盘管，水冷盘管呈螺旋上升状设置。
[0017]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0018]本技术通过设置的水路板与台柱形成一花洒水冷结构，冷却水从冷却水进水管进入进水孔后，然后均匀的通过第一水槽时冷却水均匀的分布流动至水道内，然后流经第二水槽后从阶梯孔内返回至冷却水出水管处；形成的花洒水冷结构保证了样品台面温度的均匀性，使得保护晶片不受热应力而破裂，结构简单合理降低了生产成本。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0020]图1为本技术整体结构示意图。
[0021]图2为本技术内部结构示意图。
[0022]图3为本技术图1的主视图。
[0023]图4为本技术水路板的结构示意图。
[0024]图5为本技术图4的仰视图。
[0025]图6为本技术图2中A处局部放大示意图。
[0026]附图标记：
[0027]1‑
样品台上盖，2
‑
样品台支撑柱，3
‑
冷却水进水管，4
‑
冷却水出水管，5
‑
沉积腔锥底板，6
‑
水冷盘管，7
‑
水路板，8
‑
燕尾槽，9
‑
定位环， 10
‑
进水接头，11
‑
出水接头，12
‑
台柱，13
‑
安装孔，14
‑
阶梯通孔，15
‑ꢀ
沉积腔底板，16
‑
进水孔，17
‑
第一水槽，18
‑
凸起，19
‑
水道，20
‑
第二水槽，21
‑
堵头。
具体实施方式
[0028]在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术实施例的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0029]在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术实施例的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。
[0032]在本技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于MPCVD的样品台水冷结构，包括用于滑动安装在沉积腔锥底板内的样本台结构，其特征在于：样本台结构包括内部中空的样品台支撑柱，安装在样品台支撑柱上方的台柱、安装在台柱上的样品台上盖；样品台上盖顶部设置有放置钼托的定位环；其中，台柱上设置有安装孔和与安装孔连通的阶梯通孔，台柱上安装孔与样品台上盖之间形成水冷安装区域，水冷结构安装区域内设置有水路板，水路板中部设置有进水孔，水路板顶部设置若干与进水孔连通的第一水槽，水路板下端面设置有与阶梯通孔对应的凸起，水路板上的凸起与台柱通孔配合后，水路板边缘与安装孔边缘形成水道，水路板下端面设置有若干与水道及阶梯通孔连通的第二水槽；样品台支撑柱下端设置有堵头，进水孔连接有冷却水进水管，冷却水进水管下端穿过堵头，堵头上设置有冷却水出水管。2.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD的样品台水冷结构，其特征在于：样品台上盖与台柱之间设置有密封圈且通过螺钉连接。3.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐挺，刘艺昭，王曙光，
申请(专利权)人：成都欧拉微波元器件有限公司，
类型：新型
国别省市：