一种百瓦级超紧凑高隔离度Ku波段共面魔T制造技术

本实用新型专利技术公开了一种百瓦级超紧凑高隔离度Ku波段共面魔T，包括T形连接的全高矩形波导段，和T形连接在全高矩形波导段两侧的两个半高矩形波导段；在全高矩形波导段上设置有和端口，在两侧半高矩形波导段上通过同轴波导匹配单元分别连接有分端口，同轴波导匹配单元用于调节分端口的匹配特性；在全高矩形波导段的外端面上设置有隔离端口，在隔离端口上通过安装槽安装有微带波导匹配单元，微带波导匹配单元用于调节隔离端口的匹配特性。本实用新型专利技术具有差损小、体积小及可与微组装芯片组成模块化功放模块的特点。实现了现有Ku波段介质微波功率合成难以满足的大功率容量、低插损与可模块化使用的要求。化使用的要求。化使用的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种百瓦级超紧凑高隔离度Ku波段共面魔T


[0001]本技术涉及功率合成
，具体涉及一种百瓦级超紧凑高隔离度Ku波段共面魔T。

技术介绍

[0002]传统大功率微波通过电真空器件产生，随着有源固态器件输出功率的提高，通过多个固态放大器合成可产生与电真空器件相比拟的输出功率。功率合成的主要合成方式包括二进制功率合成、波导行波功率合成、径向波导功率合成和空间功率合成等。
[0003]其中基于介质微带的二进制功率合成无法满足大功率容量和低差损要求；常规波导魔T(一种四分支波导接头)尺寸大且结构复杂；波导行波功率合成的端口间隔离度与端口驻波差；径向波导功率合成尺寸大，且用于功率合成时功放散热较难处理；空间功率合成的合成效率较低。
[0004]因此，现有功率合成技术大都不能同时满足百瓦级Ku波段大功率容量、低插损、高隔离度及小体积的要求。

技术实现思路

[0005]为此，本技术提供一种百瓦级超紧凑高隔离度KU波段共面魔T，以解决现有技术中绝大多数功率合成结果的几项重要指标不能同时满足高水准的问题。r/>[0006]为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种百瓦级超紧凑高隔离度Ku波段共面魔T，包括T形波导主体(3)，所述T形波导主体(3)包括全高矩形波导段，和设置在所述全高矩形波导段两侧且关于所述全高矩形波导段的中心轴线对称设置的半高矩形波导段；其特征在于，在所述全高矩形波导段上设置有和端口(1)，在两侧所述半高矩形波导段上通过同轴波导匹配单元(5)分别连接有分端口(2)，所述同轴波导匹配单元(5)用于调节所述分端口(2)的匹配特性；在所述全高矩形波导段的外端面上设置有隔离端口(4)，在所述隔离端口(4)上通过安装槽(9)安装有微带波导匹配单元(7)，所述微带波导匹配单元(7)用于调节所述隔离端口(4)的匹配特性。2.根据权利要求1所述的一种百瓦级超紧凑高隔离度Ku波段共面魔T，其特征在于，所述同轴波导匹配单元(5)包括设置在所述半高矩形波导段内的介质匹配同轴波导段，和设置在所述半高矩形波导段外端面上用于外连接所述分端口(2)的空气匹配同轴波导段，所述介质匹配同轴波导段、所述空气匹配同轴波导段及所述分端口(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚灿，
申请(专利权)人：北京麦克斯韦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：