粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板制造技术

提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中能兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的界面扩展面积比Sdr为3.50％以上且12.00％以下。该粗糙化处理铜箔的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的中心部的水平差Sk为0.15μm以上且0.35μm以下。μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板


[0001]本专利技术涉及粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。

技术介绍

[0002]近年来，作为适于电路的微细化的印刷电路板的制造工法，广泛采用MSAP(改良型半添加工艺)法。MSAP法为适于形成极微细的电路的方法，为了利用其特征，使用带载体的铜箔来进行。例如，如图1和2所示，使用预浸料12和底漆层13将极薄铜箔10压制在绝缘树脂基板11上使其密合，所述绝缘树脂基板11在基底基材11a上具备下层电路11b(工序(a))；将载体(未图示)剥离后根据需要通过激光穿孔形成导通孔14(工序(b))。接着，实施化学镀铜15(工序(c))后，通过使用干膜16的曝光及显影，以规定的图案进行掩蔽(工序(d))，实施电镀铜17(工序(e))。将干膜16去除而形成布线部分17a后(工序(f))，通过蚀刻将彼此相邻的布线部分17a与17a间的不要的极薄铜箔等从它们的厚度整体上去除(工序(g))，得到以规定的图案形成的布线18。此处，为了提高电路
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基板间的物理密合性，通常对极薄铜箔10的表面进行粗糙化处理。
[0003]作为进行了这样的粗糙化处理的铜箔，例如专利文献1(日本特许第6462961号公报)公开了在铜箔的至少单面依次层叠有粗糙化处理层、防锈处理层及硅烷偶联层的表面处理铜箔。专利文献1中还公开了：出于制造传输损耗少、具有优异的回流耐热性的印刷电路板的目的，所述表面处理铜箔的由硅烷偶联层的表面测定的界面扩展面积比Sdr为8％以上且140％以下、均方根斜率Sdq为25
°
以上且70
°
以下、以及表面性状的高宽比Str为0.25以上且0.79以下。
[0004]实际上提出了一些基于MSAP法等的微细电路形成性优异的带载体的铜箔。例如，专利文献2(国际公开第2016/117587号)中记载了一种带载体的铜箔，其具备剥离层侧的面的表面峰间平均距离为20μm以下、并且与剥离层相反侧的面的波纹的最大高低差为1.0μm以下的极薄铜箔，根据所述方式，能够兼顾微细电路形成性和激光加工性。另外，专利文献3(日本特开2018
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26590号公报)中，出于提高微细电路形成性的目的公开了一种带载体的铜箔，其极薄铜层侧表面的依据ISO25178的最大峰高Sp与突出峰部高度Spk之比Sp/Spk为3.271以上且10.739以下。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特许第6462961号公报
[0008]专利文献2：国际公开第2016/117587号
[0009]专利文献3：日本特开2018
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26590号公报

技术实现思路

[0010]近年来，为了通过上述MSAP法等形成更微细的电路，对铜箔要求进一步的平滑化和粗糙化颗粒的微小化。但是，通过铜箔的平滑化和粗糙化颗粒的微小化，与电路的微细化
相关的铜箔的蚀刻性虽然会提高，但铜箔与基板树脂等的物理密合力降低。特别是，随着电路的细线化发展，在印刷电路板的安装工序中，对电路施加来自横向的物理应力(即剪切应力)会导致电路容易剥离，成品率降低这一问题明显化。关于该点，电路与基板的物理密合指标之一有抗剪强度(剪切强度)，为了有效地避免上述的电路剥离，要求将抗剪强度保持为一定以上。但是，为了确保一定以上的抗剪强度，不得不增大铜箔的粗糙化颗粒，存在难以实现与蚀刻性的兼顾的问题。
[0011]本专利技术人等此次得到如下见解：在粗糙化处理铜箔中，通过赋予将ISO25178中规定的界面扩展面积比Sdr和中心部的水平差Sk分别控制在规定范围的表面轮廓，在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中，能够兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度。
[0012]因此，本专利技术的目的在于，提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中能兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。
[0013]根据本专利技术的一个方式，提供一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，
[0014]前述粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的界面扩展面积比Sdr为3.50％以上且12.00％以下、依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的中心部的水平差Sk为0.15μm以上且0.35μm以下。
[0015]根据本专利技术的另一方式，提供一种带载体的铜箔，其具备：载体、设置在该载体上的剥离层、和以前述粗糙化处理面为外侧地设置在该剥离层上的前述粗糙化处理铜箔。
[0016]根据本专利技术的另一方式，提供一种覆铜层叠板，其具备前述粗糙化处理铜箔。
[0017]根据本专利技术的另一方式，提供一种印刷电路板，其具备前述粗糙化处理铜箔。
附图说明
[0018]图1为用于对MSAP法进行说明的工序流程图，为示出前半部分工序(工序(a)～(d))的图。
[0019]图2为用于对MSAP法进行说明的工序流程图，为示出后半部分工序(工序(e)～(g))的图。
[0020]图3为用于对依据ISO25178决定的负载曲线及负载面积率进行说明的图。
[0021]图4为用于对依据ISO25178决定的将突出峰部和中心部分离的负载面积率Smr1、将突出谷部和中心部分离的负载面积率Smr2、以及中心部的水平差Sk进行说明的图。
[0022]图5为示出即将进行电路形成性(蚀刻性评价)中的蚀刻前的评价用层叠体的一例的截面示意图。
[0023]图6为用于对抗剪强度的测定方法进行说明的示意图。
具体实施方式
[0024]定义
[0025]以下示出用于限定本专利技术的术语和/或参数的定义。
[0026]本说明书中，“界面扩展面积比Sdr”是指：依据ISO25178测定的、表示定义区域的扩展面积(表面积)相对于定义区域的面积增大多少的参数。需要说明的是，本说明书中，将
界面扩展面积比Sdr表示为表面积的增加部分(％)。该值越小，表示越为接近平坦的表面形状，完全平坦的表面的Sdr为0％。另一方面，该值越大，表示越为凹凸多的表面形状。例如，表面的Sdr为40％时，表示该表面从完全平坦的表面增大40％的表面积。
[0027]本说明书中“面的负载曲线”(以下简称为“负载曲线”)是指：依据ISO25178测定的、表示负载面积率从0％到100％高度的曲线。负载面积率如图3所示为表示某一高度c以上的区域的面积的参数。高度c下的负载面积率相当于图3中的Smr(c)。如图4所示，沿着负载曲线从负载面积率为0％起，取将负载面积率的差设为40％而画出负载曲线的割线，使该负载曲线的割线从负载面积率为0％起移动，将割线的斜率的最平缓的位置称作负载曲线的中央部分。相对于该中央部分，将与纵轴方向的偏差的平方和最小的直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的界面扩展面积比Sdr为3.50％以上且12.00％以下、依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的中心部的水平差Sk为0.15μm以上且0.35μm以下。2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述中心部的水平差Sk(μm)相对于所述界面扩展面积比Sdr(％)之比即Sk/Sdr为0.038以上且0.050以下。3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的、最大高度Sz(μm)与所述中心部的水平差Sk(μm)的积即Sz
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Sk为0.25以上且0.50以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述界面扩展面积比Sdr为4.50％以上且8.50％以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：细川真，高梨哲聪，沟口美智，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：