一种同轴相对论速调管放大器内馈入式输入腔制造技术

本发明专利技术涉及高功率微波技术领域同轴相对论速调管放大器的输入腔，具体涉及一种同轴相对论速调管放大器内馈入式输入腔，属于高功率微波技术领域，其包括外导体、第一内导体、第二内导体、注入圆波导、弯曲波导、输入腔间隙、左端漂移管、右端漂移管和支撑杆组成，整个结构关于中心轴线旋转对称。本发明专利技术提供的一种同轴相对论速调管放大器内馈入式输入腔，在保证输入腔高吸收率的基础上解决现有外馈入式输入腔分断导引磁场、大过模比情况下易激励非旋转对称模式两大难题，对类似的相对论速调管放大器所需的输入腔设计具有重要借鉴意义。器所需的输入腔设计具有重要借鉴意义。器所需的输入腔设计具有重要借鉴意义。

【技术实现步骤摘要】
一种同轴相对论速调管放大器内馈入式输入腔


[0001]本专利技术涉及高功率微波
同轴相对论速调管放大器的输入腔，具体涉及一种同轴相对论速调管放大器内馈入式输入腔，属于高功率微波


技术介绍

[0002]高功率微波(High Power Microwave,HPM)通常是指功率大于100MW，频率处于1GHz～300GHz的电磁波。高功率微波技术是传统电真空器件向更高输出功率水平的拓展，其广泛应用于雷达、功率传送、等离子体加热、高能粒子加速、定向能等研究领域。高功率微波源是高功率微波系统的核心部件，其基于强流相对论电子束(Intense Relativistic Electron Beam,IREB)与高频结构的相互作用而产生高功率微波。
[0003]追求高功率水平的微波输出一直是高功率微波源的重要发展方向，随着高功率微波源技术的不断进步，目前单台高功率微波源的输出功率已到达10GW水平。然而，受到腔内强场击穿、空间电荷效应等物理机制以及材料水平、加工工艺等限制，单个高功率微波源的输出功率存在物理限制。为了使高功率微波系统的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴相对论速调管放大器内馈入式输入腔，其特征在于：包括外导体(201)、第一内导体(202a)、第二内导体(202b)、注入圆波导(203)、弯曲波导(204)、输入腔间隙(205)、左端漂移管(206a)、右端漂移管(206b)和支撑杆(207)组成，整个结构关于中心轴线旋转对称；所述阳极外筒(201)由内半径为R2、轴向长度为L1和内半径为R3、轴向长度为L
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的两个圆柱筒组成，满足R2>R3，L1的取值为60mm
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90mm，L
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的取值为工作波长λ的3.8
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4倍；第一内导体(202a)和第二内导体(202b)分别由一个实心异形圆柱体和一个空心异形圆柱筒组成，圆柱体和圆柱筒相互嵌套：第一内导体(202a)为一半径为R4、轴向长度为L2的实心圆柱体，满足R4<R1，L2的取值为工作波长λ的1.8
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2.2倍，在其右侧挖出一个横截面为倒卧的“山”字结构，其中“山”字底下一横的轴向长度为L3，“山”字边上两竖的轴向长度均为L4，内半径为R5，满足R5<R4，L3的取值为工作波长λ的0.5
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0.8倍，L4的取值为工作波长λ的0.8
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1倍，“山”字中间一竖坐落在一个半径为R6，轴向长度为L5的平台上，满足R6<R5，L5的取值为工作波长λ的0.2
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0.4倍，中间一竖的半径为R7，轴向长度为L6，满足R7<R6，L6的取值为工作波长λ的0.8
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1.2倍；第二内导体(202b)为一外半径为R4、内半径为R8的空心圆柱筒，满足R7<R8<R6，且0.05λ<R8‑
R7<0.2λ，在圆柱筒的左侧外部挖出一个轴向长度为L7，内半径为R6，外半径为R4的圆环，L7的取值为工作波长λ的0.8
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1倍，这样第二内导体(202b)左侧剩余的部分就伸入第一内导体(202a)右侧的异形空腔形成嵌套，两者之间的轴向距离为L8，L8的取值为工作波长λ的0.05
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0.2倍，第一内导体(202a)与第二内导体(202b)之间的空腔形成弯曲波导(204)；注入圆波导(203)为第二内导体(202b)中半径为R8的圆柱形空腔，用于传输TM
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模式的注入微波，注入圆波导(203)左端连接弯曲波导(204)；输入腔间隙(205)为阳极外筒(201)上正对弯曲波导(204)输出口的轴向长度为L9、外半径为R9的圆环状凹槽，满...

【专利技术属性】
技术研发人员：党方超，张鹏，阳福香，周宁，葛行军，张晓萍，巨金川，张威，贺军涛，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：