一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法。其中，太赫兹波导器件的输出窗口，所述输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管中，其包括由内至外设置的第一介质组件、中间介质层、第二介质组件，通过第一介质组件、中间介质层、第二介质组件使基管与大气隔离。本发明专利技术采用激光切割及研磨制作中间介质层和石英层、采用热拉伸法或注塑法制作塑料层，从而形成三层或以上的介质层与单层介质结构的输出窗口相比，太赫兹真空电子器件可获得更低的太赫兹波反射率，而且更低反射率所对应的频带宽度也更宽，适用于工作频率更高的真空电子器件。子器件。子器件。

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法


[0001]本专利技术涉及真空电子器件
，特别涉及一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法。

技术介绍

[0002]输出窗口是太赫兹真空电子器件的一部分，其特性影响着整个太赫兹真空电子器件的性能。在太赫兹真空电子器件的内部，电子与电磁波互作用而实现能量交换是在真空环境下进行的，而真空电子器件的外部则是大气环境，因此太赫兹真空电子器件的输出窗口主要用于隔绝空气，使真空电子器件内部保持良好的真空环境。与此同时，由于产生的太赫兹波最终通过输出窗口输出到真空电子器件的外部，所以输出窗口必须具备以下两个重要特性：
[0003]①
在太赫兹波所处的频率范围内对太赫兹波具有高透射率或者低反射率，因为太赫兹波反射控制不当的话容易引起杂模振荡，并导致真空电子器件无法正常工作；
[0004]②
较高的机械强度，因为输出窗口作为真空电子器件的一部分，需要镶嵌进波导或与波导焊接在一起，因此高机械强度的输出窗口不易破碎，对真空电子器件的使用影响小。
[0005]现有的输出窗口采用单层介质结构，它在一定的频率范围内可以获得较低的太赫兹波反射率，但受限于两个波导介质之间大的阻抗失配，该频带宽度比较窄，而且随着太赫兹波频率的提高，低反射率所对应的频带宽度也会变得越来越窄，因此现有单层介质的输出窗口导致太赫兹真空电子器件的工作频率低。

技术实现思路

[0006]鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法，通过将输出窗口设置成多介质结构，可适用于工作频率更高的真空电子器件。
[0007]为解决以上技术问题，本专利技术采取了以下技术方案：
[0008]一种太赫兹真空电子器件输出窗口，其所述输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管中，其包括由内至外设置的第一介质组件、中间介质层、第二介质组件，通过第一介质组件、中间介质层、第二介质组件使基管与大气隔离。
[0009]所述的太赫兹真空电子器件输出窗口中，所述第一介质组件包括第一石英层和第一塑料层，所述第一塑料层设置于第一石英层的外侧。
[0010]所述的太赫兹波导器件中，所述中间介质层为氧化铝陶瓷层或蓝宝石层。
[0011]所述的太赫兹真空电子器件输出窗口中，所述第二介质组件包括设置于中间介质层外侧的第二塑料层和设置于第二塑料层外侧的第二石英层。
[0012]一种太赫兹波导器件的输出窗口的制作方法，其包括如下步骤：
[0013]仿真设定第一介质组件、中间介质层、第二介质组件的形状、尺寸和厚度；
[0014]制作第一介质组件、第二介质组件和中间介质层；
[0015]将第一介质组件、中间介质层、第二介质组件依次组贴合成太赫兹波导器件的输出窗口；
[0016]使所述输出窗口嵌入太赫兹波导器件的基管内壁中。
[0017]所述的制作方法中，所述第一介质组件包括第一石英层和第一塑料层，所述第一塑料层设置于第一石英层的外侧，所述中间介质层为氧化铝陶瓷层或蓝宝石层，所述第二介质组件包括设置于中间介质层外侧的第二塑料层和设置于第二塑料层外侧的第二石英层。
[0018]所述的制作方法中，制作中间介质层的方法包括：
[0019]采用激光切割机将中间介质层原料切割为设定形状和尺寸的中间介质层毛料；
[0020]采用研磨机将中间介质层毛料研麿至设定的厚度。
[0021]所述的制作方法中，制作第一塑料层或第二塑料层的方法包括：
[0022]加热热塑性塑料至第一设定温度；
[0023]通过横向拉伸及纵向拉伸使热塑性塑料拉伸为预设厚度的热塑性薄膜；
[0024]在拉伸状态下，通过热定型或冷却处理使热塑性薄膜冷却。
[0025]所述的制作方法中，制作第一塑料层或第二塑料层的方法包括：
[0026]采用注塑机加热热塑性塑料至黏流态；
[0027]使黏流态的热塑性塑料注入注塑机模具的型腔中；
[0028]通过保压冷却，使热塑性塑料固化。
[0029]所述的制作方法中，所述将第一介质组件、中间介质层、第二介质组件依次组贴合成太赫兹波导器件的输出窗口包括：
[0030]在第一石英层、第一塑料层、中间介质层、第二塑料层、第二石英层的周缘涂敷粘合剂；
[0031]依次将第一石英层、第一塑料层、中间介质层、第二塑料层、第二石英层粘合。相较于现有技术，本专利技术提供的太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法，其所述输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管中，其包括由内至外设置的第一介质组件、中间介质层、第二介质组件，通过第一介质组件、中间介质层、第二介质组件使基管与大气隔离，本专利技术采用激光切割及研磨制作中间介质层和石英层、采用热拉伸法或注塑法制作塑料层，从而形成三层或以上的介质层与单层介质结构的输出窗口相比，太赫兹真空电子器件可获得更低的太赫兹波反射率，而且更低反射率所对应的频带宽度也更宽，适用于工作频率更高的真空电子器件。
附图说明
[0032]图1为本专利技术提供的太赫兹波导器件的输出窗口的结构示意图。
[0033]图2为本专利技术提供的太赫兹波导器件的输出窗口的制作方法流程图。
[0034]图3为本专利技术提供的太赫兹波导器件的输出窗口的中间介质层的方法流程图。
[0035]图4为本专利技术提供的太赫兹波导器件的输出窗口的第一塑料层或第二塑料层的第一种方式的流程图。
[0036]图5为本专利技术提供的太赫兹波导器件的输出窗口的第一塑料层或第二塑料层的第
二种方式的流程图。
[0037]附图标记说明：
[0038]基管1、第一介质组件2、第一石英层21、第一塑料层22、中间介质层3、第二介质组件4、第二塑料层41、第二石英层42
具体实施方式
[0039]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0040]需要说明的是，当部件被称为“装设于”、“固定于”或“设置于”另一个部件上，它可以直接在另一个部件上或者可能同时存在居中部件。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接连接到另一个部件或者可能同时存在居中部件。
[0041]还需要说明的是，本专利技术实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
[0042]请参阅图1，本专利技术提供的太赫兹真空电子器件输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管1中，其包括由内至外设置的第一介质组件2、中间介质层3、第二介质组件4，通过第一介质组件2、中间介质层3、第二介质组件4使基管1与大气隔离，本专利技术采用三层介质与单层介质结构的输出窗口相比，太赫兹真空电子器件可获得更低的太赫兹波反射率，而且更低反射率所对应的频带宽度也更宽，适用于工作频率更高的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管中，其包括由内至外设置的第一介质组件、中间介质层、第二介质组件，通过第一介质组件、中间介质层、第二介质组件使基管与大气隔离。2.根据权利要求1所述的太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述第一介质组件包括第一石英层和第一塑料层，所述第一塑料层设置于第一石英层的外侧。3.根据权利要求2所述的太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述中间介质层为氧化铝陶瓷层或蓝宝石层。4.根据权利要求2所述的太赫兹真空电子器件输出窗口，其特征在于，所述第二介质组件包括设置于中间介质层外侧的第二塑料层和设置于第二塑料层外侧的第二石英层。5.一种太赫兹波导器件的输出窗口的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：仿真设定第一介质组件、中间介质层、第二介质组件的形状、尺寸和厚度；制作第一介质组件、第二介质组件和中间介质层；将第一介质组件、中间介质层、第二介质组件依次组贴合成太赫兹波导器件的输出窗口；使所述输出窗口嵌入太赫兹波导器件的基管内壁中。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质组件包括第一石英层和第一塑料层，所述第一塑料层设置于第一石英层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：深圳奥镨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：