一种GaN基LED芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaN基LED芯片封装结构，包括内封装结构，所述内封装结构包括GaN基芯片，所述GaN基芯片的上方设置有蓝宝石层，所述GaN基芯片的下方设置有反射层，所述反射层的下方通过焊接层焊接有硅基板，所述硅基板通过粘接层粘接在热沉支架层上，所述内封装结构的外侧设置有封装壳体，所述内封装结构前后两侧引出一组引脚，所述封装壳体的前后两侧设置有用于加固引脚的加固侧板。本实用新型专利技术结构简单，封装体积小，引脚稳定性高。引脚稳定性高。引脚稳定性高。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN基LED芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体为一种GaN基LED芯片封装结构。

技术介绍

[0002]GaN即氮化镓，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。GaN具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。gan基材料在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管,蓝、紫色激光器以及抗辐射、高温大功率微波器件等领域有着广泛的应用潜力和良好的市场前景。因为GaN材料的优良性能被广泛应用于LED芯片制作中。然而，现有的GaN基LED芯片封装结构大多存在引脚稳定性不足的缺陷。因此，需要一种新型的GaN基LED芯片封装结构针对上述缺陷作出改进。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种GaN基LED芯片封装结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种GaN基LED芯片封装结构，包括内封装结构，所述内封装结构包括GaN基芯片，所述GaN基芯片的上方设置有蓝宝石层，所述GaN基芯片的下方设置有反射层，所述反射层的下方通过焊接层焊接有硅基板，所述硅基板通过粘接层粘接在热沉支架层上，所述内封装结构的外侧设置有封装壳体，所述内封装结构前后两侧引出一组引脚，所述封装壳体的前后两侧设置有用于加固引脚的加固侧板。
[0006]优选的，所述加固侧板与封装壳体为一体式结构。
[0007]优选的，所述引脚包括连接段，所述连接段从封装壳体的中部引出。
[0008]优选的，所述引脚连接段的末端设置有竖直向下伸出的下延段，所述下延段末端设置有水平向外伸出的焊接端。
[0009]优选的，所述热沉支架层采用陶瓷材质。
[0010]优选的，所述反射层采用金属银材质。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过在封装壳体引出引脚的两侧设置加固侧板有效提升引脚的稳定性，避免引脚在运输和安装过程中的损坏风险。一体式结构设置的加固侧板减少了后续安装的流程，且结构稳定性更高。引脚中部引出的方式，可以降低芯片封装结构的厚度。下延段紧贴封装壳体外壁，不易损坏。水平设置的焊接端方便焊接。本技术结构简单，封装体积小，引脚稳定性高。
附图说明
[0012]图1为一种GaN基LED芯片封装结构的结构示意图；
[0013]图2为一种GaN基LED芯片封装结构的结构分解示意图；
[0014]图3为一种GaN基LED芯片封装结构的内部结构示意图。
[0015]图中：1
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封装壳体，2
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加固侧板，3
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引脚，4
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蓝宝石层，5
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连接段，6
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下延段，7
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焊接端，8
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热沉支架层，9
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粘接层，10
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硅基板，11
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焊接层，12
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反射层，13
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GaN基芯片。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]实施例1：请参阅图1～2，一种GaN基LED芯片封装结构，包括内封装结构，所述内封装结构包括GaN基芯片13，所述GaN基芯片13的上方设置有蓝宝石层4，所述GaN基芯片13的下方设置有反射层12，所述反射层12的下方通过焊接层11焊接有硅基板10，所述硅基板10通过粘接层9粘接在热沉支架层8上，所述内封装结构的外侧设置有封装壳体1，所述内封装结构前后两侧引出一组引脚3，所述封装壳体1的前后两侧设置有用于加固引脚3的加固侧板2。
[0018]所述加固侧板2与封装壳体1为一体式结构。一体式结构设置的加固侧板2减少了后续安装的流程，且结构稳定性更高。
[0019]所述引脚3包括连接段5，所述连接段5从封装壳体1的中部引出。引脚3中部引出的方式，可以降低芯片封装结构的厚度。
[0020]所述引脚3连接段5的末端设置有竖直向下伸出的下延段6，所述下延段6末端设置有水平向外伸出的焊接端7。下延段6紧贴封装壳体1外壁，不易损坏。水平设置的焊接端7方便焊接。
[0021]工作原理是：本技术通过在封装壳体1引出引脚3的两侧设置加固侧板2有效提升引脚3的稳定性，避免引脚在运输和安装过程中的损坏风险。一体式结构设置的加固侧板2减少了后续安装的流程，且结构稳定性更高。引脚3中部引出的方式，可以降低芯片封装结构的厚度。下延段6紧贴封装壳体1外壁，不易损坏。水平设置的焊接端7方便焊接。
[0022]实施例2：请参阅图3，一种GaN基LED芯片封装结构，与实施例1的区别在于，所述热沉支架层8采用陶瓷材质。陶瓷材质的热沉支架层8具有良好的散热效果。
[0023]所述反射层12采用金属银材质。金属银材质的反射层12具有优良的反射效果，减少侧向的出光损失。
[0024]在本技术中，术语如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“侧”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，只是为了便于叙述本技术各部件或元件结构关系而确定的关系词，并非特指本技术中任一部件或元件，不能理解为对本技术的限制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN基LED芯片封装结构，包括内封装结构，其特征在于：所述内封装结构包括GaN基芯片(13)，所述GaN基芯片(13)的上方设置有蓝宝石层(4)，所述GaN基芯片(13)的下方设置有反射层(12)，所述反射层(12)的下方通过焊接层(11)焊接有硅基板(10)，所述硅基板(10)通过粘接层(9)粘接在热沉支架层(8)上，所述内封装结构的外侧设置有封装壳体(1)，所述内封装结构前后两侧引出一组引脚(3)，所述封装壳体(1)的前后两侧设置有用于加固引脚(3)的加固侧板(2)。2.根据权利要求1所述的一种GaN基LED芯片封装结构，其特征在于：所述加固侧板(2)与封...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫怀宝，邵春林，
申请(专利权)人：江西誉鸿锦材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：