GaN基增强型HEMT的ESD保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种GaN基增强型HEMT的ESD保护电路，所述ESD保护电路连接于功率HMET的栅极和源极之间，所述功率HMET采用GaN基增强型HEMT；其中，所述ESD保护电路包括并联的正向增压导流二极管和反向增压导流二极管；当发生正向ESD事件时，所述正向增压导流二极管导通，所述反向增压导流二极管截止；而当发生反向ESD事件时，所述反向增压导流二极管导通，所述正向增压导流二极管截止。与现有技术相比，本发明专利技术提供的ESD保护电路具有更高的负向触发电压，可以减少在功率HEMT开关过程中的ESD保护电路负向误开启，从而更好地满足功率HEMT的动态可靠性测试需求，同时也可以有效降低栅极驱动电路的功率损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电释放(electro-static discharge，esd)保护电路，特别涉及一种gan基增强型高电子迁移率晶体管(hemt)的esd保护电路，属于半导体。

技术介绍

1、以gan为代表的iii族氮化物半导体具有禁带宽度大、化学稳定性好、击穿电压高等优势。尤其是由algan/gan等异质结构成的gan基hemt具有高电子浓度和迁移率的特点，在高频、低导通电阻、高功率密度等方面表现优异，可用作各类电力转化系统、射频功放系统的核心器件，在消费电子、工业电子以及汽车电子等应用领域具有广阔的前景。

2、目前，作为更具竞争优势的增强型器件，多种gan基增强型功率hemt已经开始逐步商业化应用。例如，图1示出了一种p型栅gan基增强型功率hemt(p-gan e-hemt)。然而，由于p-gan栅极电容小、最大正向耐受电压低(最大耐压通常≤12v，工作电压≤6v)，导致器件极易在静电释放事件中损毁，进而引发功率转换电路的故障。具体而言，当带静电的人体、机器、或器件等接近或接触封装好的p-gan e-hemt时，静电电荷将通过器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基增强型HEMT的ESD保护电路，所述ESD保护电路连接于功率HMET的栅极和源极之间，所述功率HMET采用GaN基增强型HEMT；其特征在于：所述ESD保护电路包括并联的正向增压导流二极管和反向增压导流二极管；当发生正向ESD事件时，所述正向增压导流二极管导通，所述反向增压导流二极管截止；而当发生反向ESD事件时，所述反向增压导流二极管导通，所述正向增压导流二极管截止。

2.根据权利要求1所述的GaN基增强型HEMT的ESD保护电路，其特征在于：所述ESD保护电路还包括二极管串、触发三极管和电阻，所述功率HMET的栅极通过所述二极管串与所述触发三极管的栅极电连...

【技术特征摘要】

1.一种gan基增强型hemt的esd保护电路，所述esd保护电路连接于功率hmet的栅极和源极之间，所述功率hmet采用gan基增强型hemt；其特征在于：所述esd保护电路包括并联的正向增压导流二极管和反向增压导流二极管；当发生正向esd事件时，所述正向增压导流二极管导通，所述反向增压导流二极管截止；而当发生反向esd事件时，所述反向增压导流二极管导通，所述正向增压导流二极管截止。

2.根据权利要求1所述的gan基增强型hemt的esd保护电路，其特征在于：所述esd保护电路还包括二极管串、触发三极管和电阻，所述功率hmet的栅极通过所述二极管串与所述触发三极管的栅极电连接，所述电阻并联于所述触发三极管的栅极与源极之间，所述正向增压导流二极管和反向增压导流二极管并联后连接于所述触发三极管的源极与地端之间，所述触发三极管的漏极与所述功率hmet的栅极连接，所述功率hmet的源极与地端连接。

3.根据权利要求2所述的gan基增强型hemt的esd保护电路，其特征在于：用于形成所述二极管串的二极管包括将gan基hemt的栅极与源极短接而成的混合阳极二极管、ms型二极管或者pn二极管；和/或，所述二极管串包括串联设置的3～15个二极管。

4.根据权利要求2所述的gan基增强型hemt的esd保护电路，其特征在于：所述触发三极管选用电流输出能力在1a以上的增强型hemt；和...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙钱，张书明，钟耀宗，陈昕，郭小路，高宏伟，代全，杨辉，
申请(专利权)人：江西誉鸿锦材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：