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本发明公开了一种GaN基增强型HEMT的ESD保护电路，所述ESD保护电路连接于功率HMET的栅极和源极之间，所述功率HMET采用GaN基增强型HEMT；其中，所述ESD保护电路包括并联的正向增压导流二极管和反向增压导流二极管；当发生正向E...
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