氮化镓衬底的处理方法技术

本公开涉及一种氮化镓衬底的处理方法。氮化镓衬底的处理方法，包括以下步骤：提供氮化镓衬底；对氮化镓衬底的表面进行研磨，研磨后，氮化镓衬底的表面形成有具有应力的损伤层；去除氮化镓衬底表面的损伤层；对去除部分损伤层后的氮化镓衬底进行化学机械抛光。由此，上述氮化镓衬底的处理方法，本公开在研磨和抛光之间增加了一步去除部分损伤层的步骤，进而降低了由于损伤导致的表面应力，降低了氮化镓衬底由于应力引起的翘曲，抛光良率会大大增加。另外，去除部分损伤层也减小了后续抛光的工作量，增加了氮化镓衬底的抛光速率。增加了氮化镓衬底的抛光速率。增加了氮化镓衬底的抛光速率。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓衬底的处理方法


[0001]本公开涉及半导体
，特别是涉及一种氮化镓衬底的处理方法。

技术介绍

[0002]氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性高等独特的优良性能，因此，氮化镓在光电子器件和微电子器件领域有着广阔的应用前景。氮化镓衬底生长完成之后，需要经过研磨抛光，才能使表面粗糙度达到所需的标准。
[0003]然而，现有的研磨抛光，研磨后氮化镓衬底内应力较大的损伤层，研磨后直接进行化学机械抛光容易发生破片，从而影响研磨抛光的良率。
[0004]因此，如何加快氮化镓晶衬底的抛光速率且防止抛光破片是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种氮化镓衬底的处理方法，以有效加快氮化镓晶衬底的抛光速率且防止抛光破片。
[0006]本申请实施例提供了一种氮化镓衬底的处理方法，包括以下步骤：提供氮化镓衬底；对氮化镓衬底的表面进行研磨，研磨后，氮化镓衬底的表面形成有具有应力的损伤层；去除氮化镓衬底表面的损伤层；对去除部分所述损伤层后的氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓衬底的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供氮化镓衬底；对所述氮化镓衬底的表面进行研磨，研磨后，所述氮化镓衬底的表面形成有具有应力的损伤层；去除所述氮化镓衬底表面的部分所述损伤层；对去除部分所述损伤层后的氮化镓衬底进行化学机械抛光。2.根据权利要求1所述的氮化镓衬底的处理方法，其特征在于，所述氮化镓衬底具有相对的镓面及氮面；所述对所述氮化镓衬底的表面进行研磨包括：使用第一研磨轮对所述氮化镓衬底的镓面进行研磨；使用第二研磨轮对所述氮化镓衬底的氮面进行研磨；研磨后所述镓面及所述氮面均形成有所述损伤层。3.根据权利要求2所述的氮化镓衬底的处理方法，其特征在于，使用第一研磨轮对所述氮化镓衬底的镓面进行研磨后，所述氮化镓衬底的厚度不均匀性小于10μm；氮面研磨的氮化镓衬底具有第一厚度，化学机械抛光后的氮化镓衬底具有第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度的差值为20μm～90μm。4.根据权利要求2所述的氮化镓衬底的处理方法，其特征在于，所述第一研磨轮的磨料粒径与所述第二研磨轮的磨料粒径相同，或所述第一研磨轮的磨料粒径大于所述第二研磨轮的磨料粒径。5.根据权利要求2所述的氮化镓衬底的处理方法，其特征在于，所述去除所述氮化镓衬底表面的部分所述损伤层包括：使用碱溶液对双面研磨后的所述衬底进行刻蚀处理，以去除部分所述损伤层。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖慧，罗晓菊，
申请(专利权)人：镓特半导体科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：