一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法技术

一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，包括：依序在玻璃基板上形成金属栅极、栅极绝缘层；栅极绝缘层上沉积有源层；在有源层上表面涂布一层第一正型光阻，进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；Pattern出有源层SE；继续涂布一层第二正型光阻，进行DC制程曝光显影；显影掉被ES光罩光照到的第二正型光阻；采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔；进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，有源层未被蚀刻；Pattern出源漏极；沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。本发明专利技术解决了现有的ESL转BCE架构遇到的有源层背沟道damage的制程问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法


[0001]本专利技术属于显示晶体管的
，具体是指一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法。

技术介绍

[0002]铟镓锌薄膜晶体管(IGZO
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TFT)是一种特殊类型的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT
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LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。传统a
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Si或IGZO TFT有两种常见结构：ESL(etch stop layer，蚀刻阻挡层)和BCE(Back channel etch，背沟道蚀刻)。
[0003]在现有的IGZOarray制程工艺中，常用的多为ESL的架构，这种架构下因为有蚀刻阻挡层的存在，TFT器件的电性表现更为稳定，产品的良率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：依序在玻璃基板上Pattern形成金属栅极、栅极绝缘层；第二步：在所述栅极绝缘层上采用物理气相沉积法沉积有源层；第三步：在所述有源层上表面涂布一层第一正型光阻，该第一正型光阻遇光溶于显影液；第四步：进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的所述第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；第五步：Pattern出有源层；此处不进行薄膜制程，即不去除所述第一正型光阻；第六步：随后继续涂布一层第二正型光阻，以原有的ES光罩进行DC制程曝光显影；第七步：显影掉被ES光罩光照到的所述第二正型光阻；第八步：采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔，而原有的ES孔位置因为有所述第一正型光阻的保护，所述有源层SE未被蚀刻到；第九步：进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，所述有源层SE未被蚀刻；第十步：Pattern出源漏极；第十一步：随...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，潜垚，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：