一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法技术

一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，包括：依序在玻璃基板上形成金属栅极、栅极绝缘层；栅极绝缘层上沉积有源层；在有源层上表面涂布一层第一正型光阻，进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；Pattern出有源层SE；继续涂布一层第二正型光阻，进行DC制程曝光显影；显影掉被ES光罩光照到的第二正型光阻；采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔；进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，有源层未被蚀刻；Pattern出源漏极；沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。本发明专利技术解决了现有的ESL转BCE架构遇到的有源层背沟道damage的制程问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法


[0001]本专利技术属于显示晶体管的
，具体是指一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法。

技术介绍

[0002]铟镓锌薄膜晶体管(IGZO
‑
TFT)是一种特殊类型的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT
‑
LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。传统a
‑
Si或IGZO TFT有两种常见结构：ESL(etch stop layer，蚀刻阻挡层)和BCE(Back channel etch，背沟道蚀刻)。
[0003]在现有的IGZOarray制程工艺中，常用的多为ESL的架构，这种架构下因为有蚀刻阻挡层的存在，TFT器件的电性表现更为稳定，产品的良率也相对更高。但是多一道光罩，也意味着工厂产能的缩减，制程pep数的增多，一定程度上增加了制程成本，为此，基于现有的IGZO array制程工艺—ESL架构，在不改变原有光罩情况下，若能直接将ESL架构转换为BCE架构的产品进行生产，可以使效益更大化。但是，这种直接转换难免会遇到一些技术难点，比如制程问题，如图1所示，原有的ES光罩会在TFT器件的channel处开ES孔，便于源漏极SD与有源层IGZO相连，然而去除ES层后，ES孔位置由于没有ES刻蚀阻挡层保护，有源层IGZO难免会受到ES孔位置的干蚀刻气体的轰击，造成IGZO背沟道damage，缺陷增加致使TFT器件不稳定。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，解决了目前现有的ESL转BCE架构遇到的有源层背沟道damage的制程问题。
[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，包括如下步骤：
[0007]第一步：依序在玻璃基板上Pattern形成金属栅极、栅极绝缘层；
[0008]第二步：在所述栅极绝缘层上采用物理气相沉积法沉积有源层；
[0009]第三步：在所述有源层上表面涂布一层第一正型光阻，该第一正型光阻遇光溶于显影液；
[0010]第四步：进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的所述第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；
[0011]第五步：Pattern出有源层；此处不进行薄膜制程，即不去除所述第一正型光阻；
[0012]第六步：随后继续涂布一层第二正型光阻，以原有的ES光罩进行DC制程曝光显影；
[0013]第七步：显影掉被ES光罩光照到的所述第二正型光阻；
[0014]第八步：采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔，而原有的ES孔位置因为有所述第一正型光
阻的保护，所述有源层SE未被蚀刻到；
[0015]第九步：进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，所述有源层SE未被蚀刻；
[0016]第十步：Pattern出源漏极；
[0017]第十一步：随后采用化学气相沉积法沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。
[0018]进一步地，所述金属栅极，为Mo/Al/Mo结构。
[0019]进一步地，所述栅极绝缘层，为SiOx。
[0020]进一步地，所述有源层，为TFT器件半导体层，包括：a
‑
Si，MOx或LTPS。
[0021]进一步地，所述有源层，为IGZO SE。
[0022]进一步地，所述源漏极，为Mo/Al/Mo结构。
[0023]进一步地，所述绝缘层，为SiOx。
[0024]本专利技术的优点在于：为解决目前现有的ESL转BCE架构遇到的有源层背沟道damage的制程问题，本专利技术是基于现有的制程工艺和光罩下，利用现有制程的特点，在IGZO曝光显影后，不进行剥膜制程，利用保留下来的光阻作为刻蚀阻挡层，在DC开孔过程中，曝光/蚀刻时IGZO表面都有一层光阻保护，从而避免了IGZO背沟道因为ES孔干刻蚀气体的轰击，使TFT器件更为稳定，从而保证显示屏画面的正常显示。
附图说明
[0025]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的描述。
[0026]图1是现有技术的ESL转BCE架构SE过蚀风险示意图。
[0027]图2是本专利技术的工艺第一步结构示意图。
[0028]图3是本专利技术的工艺第二步结构示意图。
[0029]图4是本专利技术的工艺第三步结构示意图。
[0030]图5是本专利技术的工艺第四步结构示意图。
[0031]图6是本专利技术的工艺第五步结构示意图。
[0032]图7是本专利技术的工艺第六步结构示意图。
[0033]图8是本专利技术的工艺第七步结构示意图。
[0034]图9是本专利技术的工艺第八步结构示意图。
[0035]图10是本专利技术的工艺第九步结构示意图。
[0036]图11是本专利技术的工艺第十步结构示意图。
[0037]图12是本专利技术的工艺第十一步结构示意图。
具体实施方式
[0038]如图2至图12所示，一种ESL转BCE架构的Array制造工艺方法，包括如下步骤：
[0039]第一步：依序在玻璃基板Glass上Pattern形成金属栅极GE
‑
2、栅极绝缘层GI
‑
3；
[0040]第二步：在GI
‑
3层上采用物理气相沉积法沉积有源层IGZO SE
‑
4；
[0041]第三步：在IGZO上表面涂布一层正型光阻PR
①‑
5，该光阻遇光溶于显影液；
[0042]第四步：进行曝光显影制程，将未被Mask遮挡的光阻PR
①‑
5显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；
[0043]第五步：Pattern出有源层SE
‑
4，此处不进行薄膜制程，即不去除PR
①‑
5，意即有源
层SE
‑
4经蚀刻后，此专利技术方案这里设计不会进行最终的剥膜制程，想要保留经图案化后有源层SE
‑
4上方的光阻PR
①‑
5，后面的工艺这个光阻PR
①‑
5起到关键性作用；
[0044]第六步：随后继续涂布一层正型光阻PR
②‑
6，以原有的ES光罩
‑
9进行DC制程曝光显影；
[0045]第七步：显影掉被ES光罩光照到的光阻PR
②
；
[0046]第八步：采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔，而原有的ES孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：依序在玻璃基板上Pattern形成金属栅极、栅极绝缘层；第二步：在所述栅极绝缘层上采用物理气相沉积法沉积有源层；第三步：在所述有源层上表面涂布一层第一正型光阻，该第一正型光阻遇光溶于显影液；第四步：进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的所述第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；第五步：Pattern出有源层；此处不进行薄膜制程，即不去除所述第一正型光阻；第六步：随后继续涂布一层第二正型光阻，以原有的ES光罩进行DC制程曝光显影；第七步：显影掉被ES光罩光照到的所述第二正型光阻；第八步：采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔，而原有的ES孔位置因为有所述第一正型光阻的保护，所述有源层SE未被蚀刻到；第九步：进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，所述有源层SE未被蚀刻；第十步：Pattern出源漏极；第十一步：随...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，潜垚，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：