一种EUV掩膜板对准标记的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种EUV掩膜板对准标记的制备方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：S1：通过仿真手段对EUV掩膜板对准标记的凹槽结构参数进行优化，确定EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，用于改善对准标记位置探测的准确性和重复性；S2：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，对金刚石针尖刀具进行选型；S3：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，利用所述步骤S2中所选金刚石针尖刀具对EUV掩模白板进行对准标记加工。本发明专利技术采用金刚石加工方法制备掩模对准标记的凹槽，可以高效获得具有特定具体结构的EUV掩模对准标记凹槽，用于解决现有EUV掩模板对准标记加工步骤多、流程长、时间长、重复性差等问题。等问题。等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种EUV掩膜板对准标记的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种EUV掩膜板对准标记的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体产业的进步得益于极大规模集成电路的发展，光刻是制造芯片的核心技术，在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术。正是通过不断发展光刻技术以减小半导体器件的加工线宽，从而实现集成电路的高集成度、高性能及低功耗。投影曝光光刻技术是利用光学投影成像原理，将掩模版的图案转移到涂敷有光刻胶的晶圆表面的曝光过程，是当今极大规模集成电路制造生产线上应用最广、最具生命力的光刻技术。
[0003]根据瑞利公式，要提高投影光刻系统的成像分辨率，可通过减小曝光波长、降低工艺因子或增加投影光刻物镜数值孔径实现，其中，减小曝光波长已经被认为是提高光刻分辨率的最有效途径。采用13.5nm极紫外光作为工作波长的EUVL投影光刻技术，目前已实现5nm技术节点的量产，正迈向3nm技术节点，成为当前及今后最重要的光刻技术。
[0004]EUVL投影光刻过程中芯片的图案是通过掩模板投影到晶圆表面来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，采用金刚石纳米加工技术，包括以下步骤：S1：通过仿真手段对EUV掩膜板对准标记的凹槽结构参数进行优化，确定EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，用于改善对准标记位置探测的准确性和重复性；S2：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，对金刚石针尖刀具进行选型；S3：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，利用所述步骤S2中所选金刚石针尖刀具对EUV掩模白板进行对准标记加工。2.根据权利要求1所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，所述EUV掩膜板对准标记凹槽的结构参数包括横向宽度、深度和边缘侧壁形状。3.根据权利要求2所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：利用基于电磁场数值计算模块的光学成像仿真软件，分别对不同凹槽的宽度、深度和侧壁形状的参数组合进行暗场成像特性的仿真，其中，所采用的成像系统参数由EUV掩膜白板缺陷检测系统的光学成像参数确定；利用得到的对准标记结构的暗场成像仿真数据，综合评估EUV掩膜白板对准标记边缘的散射信号强弱以及由成像光斑计算得到的对准标记位置探测误差，确定拟采用的对准标记凹槽的结构优化参数。4.根据权利要求1所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，金刚石针尖为单颗粒天然金刚石加工的针尖，金刚石针尖的尖端曲率半径和顶面夹角根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的优化深度参数决定。5.根据权利要求4所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，用于边缘加工的金刚石针尖的形状还经过抛光处理，用以实现一次性...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓文渊，喻波，金春水，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：