温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种EUV掩膜板对准标记的制备方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：S1：通过仿真手段对EUV掩膜板对准标记的凹槽结构参数进行优化，确定EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，用于改善对准标记位置探测的准确性和重复性；S2...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。