用于晶圆吸附的真空吸盘制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于晶圆吸附的真空吸盘。本实用新型专利技术的目的是提供一种在不降低支撑性能的前提下减小支撑面积，在同等真空度下增大吸附力的用于晶圆吸附的真空吸盘，具体包括吸盘本体、支撑单元、吸附单元，所述支撑单元为设置于吸盘本体表面的多个金字塔形状的凸块相邻两所述凸块之间的区域形成所述吸附单元，所述吸附单元连通抽真空装置。连通抽真空装置。连通抽真空装置。

【技术实现步骤摘要】
用于晶圆吸附的真空吸盘


[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于晶圆吸附的真空吸盘。

技术介绍

[0002]在晶圆制造设备中，需要稳固地将晶圆固定，以保证晶圆在加工过程中无滑动，无翘曲。常见的方式是采用真空吸盘将晶圆吸附在吸盘上，吸盘的吸力大小决定了是否可以稳固吸附晶圆，吸盘的支撑结构决定了能否将晶圆平整支撑。
[0003]现有技术中，常见的真空吸盘为环形沟槽吸盘。具体是，在平面上加工出一个或多个同心圆沟槽并互相连接，设置真空抽气孔连接真空气源。剩余区域磨平，作为支撑晶圆区域。这种真空吸盘结构简单，加工难度低，但由于支撑区域较大，导致真空作用区域很小，即使将真空度调到最大，产生的真空吸力也很小，这类真空吸盘通常只用来静态吸附晶圆，而不涉及晶圆高速运动时的吸附。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是提供一种在不降低支撑性能的前提下减小支撑面积，在同等真空度下增大吸附力的用于晶圆吸附的真空吸盘。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请提供了如下技术方案：
[0006]本技术一种用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆吸附的真空吸盘，其特征在于，包括吸盘本体(10)、支撑单元、吸附单元(12)，所述支撑单元为设置于吸盘本体(10)表面的多个金字塔形状的凸块(11)，相邻两所述凸块(11)之间的区域形成所述吸附单元(12)，所述吸附单元(12)连通抽真空装置。2.根据权利要求1所述的用于晶圆吸附的真空吸盘，其特征在于，多个所述凸块(11)在所述吸盘本体(10)表面首尾相接紧密排列。3.根据权利要求2所述的用于晶圆吸附的真空吸盘，其特征在于，相邻两所述凸块(11)顶部之间的间距为2mm
‑
4mm。4.根据权利要求3所述的用于晶圆吸附的真空吸盘，其特征在于，各所述凸块(11)顶部经尖角倒钝处理。5.根据权利要求4所述的用于晶圆吸附的真空吸盘，其特征在于，各所述凸块(11)顶部紧密贴合有接触层。6.根据权利要求5所述的用于晶圆吸附的真空吸盘，其特征在于，所述吸盘本体(10)内开设有至少一个负压气道(21)，所述负压气道(21)相互连通，其中一个所述负压气道(21)的一端连接抽真空装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：司伟，张昊，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：