本发明专利技术公开了一种用于晶圆处理的供给通道清洗方法、装置和系统，其中方法包括：第一清洗步骤，在所述供给通道充满化学液之后，采用滴液的方式将化学液通入所述供给通道，以实现对所述供给通道的动态浸泡，从而溶解污染物；第二清洗步骤，所述第一清洗步骤执行一段时间之后，向所述供给通道通入清洗液进行冲洗；按照实际需求重复所述第一清洗步骤和所述第二清洗步骤。清洗步骤。清洗步骤。
【技术实现步骤摘要】
用于晶圆处理的供给通道的清洗方法、装置和系统
[0001]本专利技术涉及半导体晶圆加工
，尤其涉及一种用于晶圆处理的供给通道清洗方法、装置和系统。
技术介绍
[0002]在极大规模集成电路（GLSI）的制备中，化学机械平坦化（Chemical Mechanical Planarization，CMP）是目前唯一能够实现晶圆表面局部与全局平坦化的技术。经过CMP操作后，晶圆表面会残留大量的磨料颗粒、晶片碎屑等污染物，且随着特征尺寸的不断降低，对残留污染物的尺寸与数量的要求也是愈发严苛，而在CMP之后的晶圆处理工艺是去除这些污染物的重要步骤，愈发成为决定器件可靠性的关键工艺。
[0003]如图1所示，申请号为201310023763.3的专利文献公开了一种应用于晶圆处理的装置，该装置包括第一和第二清洗液供给单元，第一和第二清洗液供给单元中的每一个包括：清洗液输送管，所述清洗液输送管设在所述机架上；和多个喷嘴，多个所述喷嘴等间隔地设在所述清洗液输送管上用于向所述晶圆的表面供给清洗液。在芯片工厂等设置这样的处理装置的情况下，处理装置正常运转前，必须去除在管道以及喷嘴等的内部存在的粒子(尘埃)等污染物。另外，还必须在合适的时期去除因使用处理装置而附着在管道等上的附着物。因此，需要对处理装置的管道等进行清洗，提升液路箱内各管道与流量计等关键部分的洁净度，降低清洗单元自身影响，也是保证清洗效果稳定性和批量一致性的重要途径。
[0004]现有技术中对管道进行冲洗需要消耗大量的药液，并且清洗时间长，甚至长达六天之久，会产生大量的浪费，增加了生产成本。因此，对清洗的时间、成本进行控制是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供了一种用于晶圆处理的供给通道清洗方法、装置和系统，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0006]本专利技术实施例的第一方面提供了一种用于晶圆处理的供给通道的清洗方法，包括：第一清洗步骤，在所述供给通道充满化学液之后，采用滴液的方式将化学液通入所述供给通道，以实现对所述供给通道的动态浸泡，从而溶解污染物；第二清洗步骤，所述第一清洗步骤执行一段时间之后，向所述供给通道通入清洗液进行冲洗；按照实际需求重复所述第一清洗步骤和所述第二清洗步骤。
[0007]在一个实施例中，对于单路通道的清洗，包括：预冲洗步骤，使用高压清洗液快速冲洗所述单路通道；以及，如权利要求1所述的第一清洗步骤和第二清洗步骤。
[0008]在一个实施例中，对于具有多个支路的复杂通道的清洗，根据通道的复杂程度，在
所述第一清洗步骤中调整所述化学液的滴液频率和/或动态浸泡的时间，在所述第二清洗步骤中调整所述清洗液的流量和/或冲洗的时间。
[0009]在一个实施例中，所述清洗方法具有至少两种不同的模式选择功能，具体包括：按照操作指令，从预先设定的至少两种清洗模式中调取对应的清洗模式并执行清洗步骤；其中，所述清洗模式包括根据供给通道的复杂程度设定的清洗步骤。
[0010]在一个实施例中，所述化学液为SC1化学液，所述化学液的滴液频率为50~130滴/分钟，所述化学液的动态浸泡的时间为1~10小时。
[0011]在一个实施例中，所述清洗液为DIW去离子水，流量为0.4~0.6MPa，冲洗的时间为6~14小时。
[0012]在一个实施例中，所述供给通道的材质为塑料或不锈钢。
[0013]在一个实施例中，所述清洗方法还包括检测步骤，对所述供给通道进行颗粒检测，若检测结果不合格，则重新执行所述第一清洗步骤和/或所述第二清洗步骤。
[0014]在一个实施例中，所述清洗方法还包括干燥步骤，当所述供给通道的颗粒检测结果合格之后，使用PN2高纯氮气吹扫所述供给通道进行干燥，然后封堵所述供给通道。
[0015]本专利技术实施例的第二方面提供了一种用于晶圆处理的供给通道的清洗装置，包括：供液模块，用于提供所述化学液和清洗液；流速调节模块，利用阀门实现对所述化学液和清洗液的流速进行调节；控制模块，用于实现如上所述的供给通道清洗方法。
[0016]在一个实施例中，所述控制模块包括模式选择单元，用于接收用户的操作指令，并将用户选择的相应清洗模式信息发送至所述控制模块。
[0017]本专利技术实施例的第三方面提供了一种晶圆处理系统，包括：多个处理单元；供给通道，与所述处理单元连接，用于向所述处理单元提供清洗流体；其中，所述供给通道连接如上所述的清洗装置以进行清洗。
[0018]本专利技术实施例的有益效果包括：采用滴液的方式将化学液通入供给通道，对供给通道进行动态浸泡，以溶解污染物，从而在时间短并且耗费流量少的情况下达到较好的清洗效果。
附图说明
[0019]通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本专利技术的保护范围，其中：图1示出了现有技术中一种应用于晶圆处理的装置；图2示出了本专利技术一实施例提供的晶圆加工系统；图3示出了本专利技术一实施例提供的晶圆处理系统；图4示出了本专利技术一实施例提供的清洗方法；图5示出了本专利技术一实施例提供的复杂通道。
具体实施方式
[0020]下面结合具体实施例及其附图，对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本专利技术具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
[0021]此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。
[0022]为了说明本专利技术所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
[0023]在本申请中，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）也称为化学机械平坦化（Chemical Mechanical Planarization），晶圆（wafer）也称为晶片、硅片、基片或基板（substrate），其含义和实际作用等同。
[0024]如图2所示，本专利技术一实施例提供的晶圆加工系统100包括前端模块110、传输模块120和加工模块130，其中，加工模块130包括两组化学机械抛光单元131以及多个处理单元。多个处理单元包括第一清洗单元132、第二清洗单元133、第三清洗单元134以及干燥单元135，清洗单元13本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆处理的供给通道的清洗方法，其特征在于，包括：第一清洗步骤，在所述供给通道充满化学液之后，采用滴液的方式将化学液通入所述供给通道，以实现对所述供给通道的动态浸泡，从而溶解污染物；第二清洗步骤，所述第一清洗步骤执行一段时间之后，向所述供给通道通入清洗液进行冲洗；按照实际需求重复所述第一清洗步骤和所述第二清洗步骤。2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，对于单路通道的清洗，包括：预冲洗步骤，使用高压清洗液快速冲洗所述单路通道；以及，如权利要求1所述的第一清洗步骤和第二清洗步骤。3.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，对于具有多个支路的复杂通道的清洗，根据通道的复杂程度，在所述第一清洗步骤中调整所述化学液的滴液频率和/或动态浸泡的时间，在所述第二清洗步骤中调整所述清洗液的流量和/或冲洗的时间。4.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，具有至少两种不同的模式选择功能，具体包括：按照操作指令，从预先设定的至少两种清洗模式中调取对应的清洗模式并执行清洗步骤；其中，所述清洗模式包括根据供给通道的复杂程度设定的清洗步骤。5.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述化学液为SC1化学液，所述化学液的滴液频率为50~130滴/分钟，所述化学液的动态浸泡的时间为1~10小时。6...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙传恽，郑树茂，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。