一种门磁异常检测系统及其检测方法技术方案

本发明专利技术公开了一种门磁异常检测系统及其检测方法，包括电池供电单元、低功耗MCU主控、两路路霍尔传感器和门磁磁铁；其中电池供电单元用于为门磁终端的各个模块供电，低功耗MCU主控主要用来采集霍尔传感器的状态信号；霍尔传感器用于感应当门打开或者关闭时，磁铁靠近、远离自身时通过感应磁场强度给出电平状态信号；门磁磁铁作为配件安装在门的移动侧，配合门的移动方向，改变霍尔传感器感应面的磁场强度。本发明专利技术利用两路低成本霍尔传感器即可判断门的开/关方向和最终状态，部署简单便利；进一步利用时间的一维不可逆特征，即可准确的判断给出门的开关方向；能有效降低传统门磁方案的频繁误判，提高异常判断精确性。提高异常判断精确性。提高异常判断精确性。

【技术实现步骤摘要】
一种门磁异常检测系统及其检测方法


[0001]本专利技术属于磁控开关
，具体涉及一种门磁异常检测方法。

技术介绍

[0002]随着移动物联网、智能家居以及传感器技术的飞速发展，智能传感器在人们日常生活当中得到了广泛普及。
[0003]目前，传统的门磁只能检测门的打开和关闭，在门被打开时报警，不能检测门是被用户在门内打开的还是从外面打开的，因而无法区分是用户正常开门还是非法开门。传统门磁方案依赖磁铁相互靠近以及单个传感器，频繁出现异常误判的弊端，且电路结构部署复杂，成本高，给使用者带来困扰。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种门磁异常检测装置及其检测方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种门磁异常检测系统，包括电池供电单元、低功耗MCU主控、两路路霍尔传感器和门磁磁铁；
[0006]其中所述电池供电单元用于为门磁终端的各个模块供电，低功耗 MCU主控主要用来采集霍尔传感器的状态信号；
[0007]所述霍尔传感器用于感应当门打开或者关闭时，磁铁靠近、远离自身时通过感应磁场强度给出电平状态信号；
[0008]所述门磁磁铁作为配件安装在门的移动侧，配合门的移动方向，改变霍尔传感器感应面的磁场强度。
[0009]一种门磁异常检测系统的检测方法：包括以下步骤：
[0010]当门处于关闭过程中时，此时安装门的移动侧的门磁磁铁首先靠近位于门主控板边缘的霍尔传感器，其电平发生由高变低变化，此时低功耗主控MCU从睡眠状态唤醒，进入工作状态，首先检测位于主控板边缘的霍尔传感器的状态变化；
[0011]进一步，随着门不断移动，门磁磁铁靠近位于主控板内侧的霍尔传感器状态也相应发生改变，低功耗MCU主控检测到第二路霍尔传感器变化；
[0012]若两路霍尔传感器的变化趋势均为由高电平到低电平的变化趋势，且变化顺序为主控板边缘霍尔传感器到主控板内侧霍尔传感器，则此时判断为门的移动方向为关闭；
[0013]当门完全关闭时，低功耗MCU主控检测到两路霍尔传感器输出电平一定时间内保持不变时，即进入休眠状态；
[0014]相反，当门处于打开状态时，则位于主控板内侧霍尔传感器状态由低电平变为高电平，唤醒低功耗MCU主控，紧接着低功耗MCU 主控判断位于主控板边缘的霍尔传感器电平变化；
[0015]若两路霍尔传感器电平均为由低变高，且状态改变时间顺序为：主控板内侧霍尔
传感器到主控板边缘霍尔传感器，则此时判断为门的移动方向为打开，同理，当低功耗MCU主控检测到两路霍尔传感器状态一定时间内一直维持高电平状态不变，则进入休眠状态。
[0016]本专利技术的技术效果和优点：
[0017]1.本专利技术利用两路低成本霍尔传感器即可判断门的开/关方向和最终状态，部署简单便利；
[0018]2.本专利技术巧妙的利用两路霍尔传感器在主板上的不同空间位置，结合霍尔传感器在磁铁靠近时的渐变过程，进一步利用时间的一维不可逆特征，即可准确的判断给出门的开关方向；
[0019]3.本专利技术结合空间和时间两个维度，能有效降低传统门磁方案的频繁误判，提高异常判断精确性。
[0020]4.本专利技术妙的利用霍尔传感器在磁铁靠近时的状态渐变过程和不同位置上霍尔传感器状态变化的先后时间顺序，从而精确判断给出门的开/关方向以及最终状态，最终综合判断给出门磁状态，规避传统门磁依靠磁铁相互靠近以及单个传感器频繁出现门磁异常误判弊端。。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的系统组成框架图；
[0022]图2为本专利技术检测工作流程图；
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]如图1
‑
图2示出了本专利技术一种具体实施方式：
[0025]一种门磁异常检测系统，包括电池供电单元、低功耗MCU主控、两路路霍尔传感器和门磁磁铁；
[0026]其中所述电池供电单元用于为门磁终端的各个模块供电，低功耗 MCU主控主要用来采集霍尔传感器的状态信号；
[0027]所述霍尔传感器用于感应当门打开或者关闭时，磁铁靠近、远离自身时通过感应磁场强度给出电平状态信号；
[0028]所述门磁磁铁作为配件安装在门的移动侧，配合门的移动方向，改变霍尔传感器感应面的磁场强度。
[0029]一种门磁异常检测系统的检测方法(以异常开门为例，具体门磁异常检测流程如图2所示)：包括以下步骤：
[0030]当门处于关闭过程中时，此时安装门的移动侧的门磁磁铁首先靠近位于门主控板边缘的霍尔传感器，其电平发生由高变低变化，此时低功耗主控MCU从睡眠状态唤醒，进入工作状态，首先检测位于主控板边缘的霍尔传感器的状态变化；
[0031]进一步，随着门不断移动，门磁磁铁靠近位于主控板内侧的霍尔传感器状态也相
应发生改变，低功耗MCU主控检测到第二路霍尔传感器变化；
[0032]若两路霍尔传感器的变化趋势均为由高电平到低电平的变化趋势，且变化顺序为主控板边缘霍尔传感器到主控板内侧霍尔传感器，则此时判断为门的移动方向为关闭；
[0033]当门完全关闭时，低功耗MCU主控检测到两路霍尔传感器输出电平一定时间内保持不变时，即进入休眠状态；
[0034]相反，当门处于打开状态时，则位于主控板内侧霍尔传感器状态由低电平变为高电平，唤醒低功耗MCU主控，紧接着低功耗MCU 主控判断位于主控板边缘的霍尔传感器电平变化；
[0035]若两路霍尔传感器电平均为由低变高，且状态改变时间顺序为：主控板内侧霍尔传感器到主控板边缘霍尔传感器，则此时判断为门的移动方向为打开，同理，当低功耗MCU主控检测到两路霍尔传感器状态一定时间内一直维持高电平状态不变，则进入休眠状态。
[0036]本专利技术通过部署在门磁主控不同空间位置上的霍尔传感器，巧妙的利用霍尔传感器在磁铁靠近时的状态渐变过程和不同位置上霍尔传感器状态变化的先后时间顺序，从而精确判断给出门的开/关方向以及最终状态，最终综合判断给出门磁状态，规避传统门磁依赖磁铁相互靠近以及单个传感器频繁出现异常误判的弊端，能够作为当前疫情防控的有效手段。
[0037]申请人又一声明，本专利技术通过上述实施例来说明本专利技术的实现方法及装置结构，但本专利技术并不局限于上述实施方式，即不意味着本专利技术必须依赖上述方法及结构才能实施。所属
的技术人员应该明了，对本专利技术的任何改进，对本专利技术所选用实现方法等效替换及步骤的添加、具体方式的选择等，均落在本专利技术的保护范围和公开的范围之内。
[0038]本专利技术并不限于上述实施方式，凡采用和本专利技术相似结构及其方法来实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种门磁异常检测系统，其特征在于：包括电池供电单元、低功耗MCU主控、两路路霍尔传感器和门磁磁铁；其中所述电池供电单元用于为门磁终端的各个模块供电，低功耗MCU主控主要用来采集霍尔传感器的状态信号；所述霍尔传感器用于感应当门打开或者关闭时，磁铁靠近、远离自身时通过感应磁场强度给出电平状态信号；所述门磁磁铁作为配件安装在门的移动侧，配合门的移动方向，改变霍尔传感器感应面的磁场强度。2.一种如权利要求1所述的门磁异常检测系统的检测方法：其特征在于：包括以下步骤：当门处于关闭过程中时，此时安装门的移动侧的门磁磁铁首先靠近位于门主控板边缘的霍尔传感器，其电平发生由高变低变化，此时低功耗主控MCU从睡眠状态唤醒，进入工作状态，首先检测位于主控板边缘的霍尔传感器的状态变化；进一步，随着门不断移动，门磁磁铁靠近位于主控板内侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓燕，高健，武建平，
申请(专利权)人：南通华卓医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：