一种磁场测量方法以及磁场测量系统技术方案

本发明专利技术涉及磁场测量技术领域，尤其涉及一种磁场测量方法以及磁场测量系统，方法包括：将霍尔片与磁场生成装置固定连接，霍尔片位于磁场生成装置的均匀磁场区内，且使霍尔片与均匀磁场区的均匀磁场的方向垂直，且磁场生成装置固定在三轴位移台上，芯片对磁场生成装置的施加电流进行调整，以对均匀磁场的大小的进行调整，并通过三轴位移台对磁场生成装置的位置进行调整，以对均匀磁场的方向进行调整，直至霍尔片的霍尔电压为零，根据当前均匀磁场，确定磁源在霍尔片所在位置的磁场的磁感应强度。若霍尔片的霍尔电压为零，说明霍尔片所在位置的磁场垂直于霍尔片的输入电流；且霍尔片的霍尔电压不会出现饱和，能够对强磁场进行测量，量程大。量程大。量程大。

【技术实现步骤摘要】
一种磁场测量方法以及磁场测量系统


[0001]本专利技术涉及磁场测量
，尤其涉及一种磁场测量方法以及磁场测量系统。

技术介绍

[0002]在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应，根据霍尔效应制作的霍尔片，在磁场测量过程中，存在如下问题：1）霍尔效应测量的是“与电流方向垂直的磁场”，由于磁场看不见摸不着，用户在使用过程中，往往凭借经验在待测位置上放置霍尔片，不能保证待测位置的磁场与霍尔片上施加的电流方向垂直，由此，导致待测位置的磁场的磁感应强度的精准不高；2）当待测位置的磁场的磁感应强度超过0.05T时，霍尔片的霍尔电压出现饱和，因此，霍尔片仅适用于磁感应强度低的情况，存在量程小的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是针对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场测量方法，其特征在于，包括：将霍尔片与磁场生成装置固定连接，霍尔片位于磁场生成装置的均匀磁场区内，且使霍尔片与所述均匀磁场区的均匀磁场的方向垂直，且所述磁场生成装置固定在三轴位移台上；芯片对所述磁场生成装置的施加电流进行调整，以对均匀磁场的大小的进行调整，并通过所述三轴位移台对所述磁场生成装置的位置进行调整，以对所述均匀磁场的方向进行调整，直至所述霍尔片的霍尔电压为零，根据当前均匀磁场，确定磁源在所述霍尔片所在位置的磁场的磁感应强度。2.根据权利要求1所述的一种磁场测量方法，其特征在于，还包括：当磁源为贴合在平面板上的磁力矩器时，且当待测位置位于所述磁力矩器的磁芯的轴线上时，芯片通过拍摄装置获取至少含有所述平面板、磁力矩器和霍尔片的图像，并根据所述图像的像素确定所述平面板与所述霍尔片是否平行，得到判断结果，当所述判断结果为是时，确定所述磁力矩器平行贴合在所述平面板上。3.根据权利要求2所述的一种磁场测量方法，其特征在于，所述根据所述图像的像素确定所述平面板与所述霍尔片是否平行，得到判断结果，包括：获取并将所述平面板所在位置的任一列像素作为第一对比列像素，获取并将所述霍尔片所在位置的任一列像素作为第二对比列像素，计算所述第一对比列像素与所述第二对比列像素中的同行之间的两个像素之间的间隔像素数量是否均相等，若是，则所述判断结果为是。4.根据权利要求2所述的一种磁场测量方法，其特征在于，还包括：当所述判断结果为否时，在所述图像上建立二维坐标系，将所述平面板、所述磁力矩器的磁芯的轴线的轴线和霍尔片映射到所述二维坐标系中，计算得到所述平面板的目标调整角度，根据所述目标调整角度对所述平面板进行调整，直至使所述判断结果为是。5.根据权利要求1至4任一项所述的一种磁场测量方法，其特征在于，所述磁场生成装置为亥姆霍兹线圈或螺线管。6.一种磁场测量系统，其特征在于，包括芯片、磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙少男，尹超，白东海，王超，孙志恒，秦士滕，李中涵，
申请(专利权)人：山东迈易特传动有限公司，
类型：发明
国别省市：