【技术实现步骤摘要】
用于电流感测的设备和方法
[0001]本公开总体涉及用于感测磁场和/或电流的设备和方法,并且更具体地涉及磁电流传感器和感测方法。
技术介绍
[0002]磁(电流)传感器可以用于开关模式电力供应和马达驱动器中,其中,电流隔离和宽带宽(BW)都是期望的。在CMOS中,霍尔效应传感器被广泛使用,但是它们的电阻导致BW和分辨率之间的基本权衡。线圈具有微分特性并且因此可以获得宽得多的BW和分辨率,但是不能感测直流(DC)。通过使用用于低频的霍尔传感器和用于高频的线圈,可以实现宽带宽的混合传感器。例如,两个霍尔/线圈对可以感测电流轨周围的差分磁场,从而抑制共模(CM)外部场。然而,在一个示例中,其前端感测线圈电压,这限制了其高频动态范围(DR)并且需要基于大的外部电容器的DC伺服回路。在另一个示例中,前端感测单个线圈的电流,并且因此以对作为CM场而交互的干扰场的鲁棒性为代价来实现更宽的带宽。此外,其霍尔和线圈路径在芯片外组合,并且其实现了较低的分辨率并消耗更多的功率。
[0003]因此,可能存在对改进的磁电流传感器的需求。
技术实现思路
[0004]这种需求通过根据独立权利要求的设备和方法来满足。一些有益的实施例由从属权利要求来解决。
[0005]根据第一方面,本公开提出了一种磁场传感器电路,磁场传感器电路也可以用作电流传感器电路。磁场传感器电路包括用于测量磁场的至少一个线圈(电感)。例如,磁场可以由电流引起。磁场传感器电路还包括第一级放大器电路,第一级放大器电路耦合到线圈并且具有第一传递函数,该 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁场传感器电路(100;200;600),包括:至少一个线圈(102),用于测量磁场;第一级放大器电路(110;112),被耦合到所述线圈(102),并且具有第一传递函数,所述第一传递函数具有在第一频率处的极点;以及第二级放大器电路(120;122),被耦合到所述第一级放大器电路(110;112)的输出,并且具有第二传递函数,所述第二传递函数具有在所述第一频率处的零点。2.根据权利要求1所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,第一滤波器电路(114)被包括在所述第一级放大器电路(110;112)中,所述第一滤波器电路(114)被配置为具有所述第一传递函数的所述极点的温度相关的频率漂移,第二滤波器电路(124)被包括在所述第二级放大器电路(120;122)中,所述第二滤波器电路(124)被配置为具有所述第二传递函数的所述零点的温度相关的频率漂移,其中,所述第一传递函数的所述极点的温度相关的频率漂移对应于所述第二传递函数的所述零点的温度相关的频率漂移。3.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,所述第一级放大器电路(110;112)包括第一RC滤波器(114),所述第一RC滤波器(114)被耦合在第一放大器(112)的输入与输出之间,所述第一RC滤波器引起在所述第一频率处的所述极点(114),所述第二级放大器电路(120;122)包括第二RC滤波器(124),所述第二RC滤波器(124)被耦合在第二放大器(122)的输入与输出之间,所述第二RC滤波器(124)引起在所述第一频率处的所述零点,其中,所述第一RC滤波器(114)的电阻器和所述第二RC滤波器(124)的电阻器两者都被实现为硅化多晶硅电阻器。4.根据权利要求3所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,所述硅化多晶硅电阻器的温度系数与所述线圈(102)的电阻的温度系数的比率r在0.9≤r≤1.2内。5.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,所述第二级放大器电路(120;122)被配置为在第二频率处具有所述第二传递函数的极点。6.根据权利要求5所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,所述极点的第二频率低于所述零点的第一频率。7.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100;200;600),还包括:RC高通滤波器电路(126),被耦合在所述第一级放大器电路(110;112)与所述第二级放大器电路(120;122)之间,所述RC高通滤波器电路(126)具有第三传递函数,所述第三传递函数具有在第三频率处的极点。8.根据权利要求7所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,所述第三频率低于所述第一频率、并且低于所述第二频率。9.根据权利要求7或8所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,所述RC高通滤波器电路(126)的一个或多个电阻器被实现为非硅化多晶硅电阻器。10.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100;200;600),还包括:霍尔传感器电路,被耦合到所述第二级放大器电路(122)的输入。11.根据权利要求10所述的磁场传感器电路(100;200;600),其中,所述霍尔传感器电
路包括:至少一个自旋电流霍尔传感器(502);以及斩...
【专利技术属性】
技术研发人员:M,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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