一种干燥装置和抛光系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种干燥装置和抛光系统，所述干燥装置包括升降部件，所述升降部件具有一承载面，所述承载面用于承载待干燥物体，所述承载面上设置有承载面导流槽，所述承载面导流槽用于排出所述承载面上的溶液。所述承载面导流槽将所述承载面上的溶液排出，可减少或者完全去除在晶圆边缘的水痕残留，使得晶圆的良率提高。圆的良率提高。圆的良率提高。

【技术实现步骤摘要】
一种干燥装置和抛光系统


[0001]本技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种干燥装置和抛光系统。

技术介绍

[0002]在半导体领域，通常利用化学机械研磨(CMP)工艺对晶圆进行抛光。在12 寸晶圆抛光清洗工艺中，抛光后干燥的方式一般分为三大类：离心旋转干燥(SpinDry)、红外线提拉干燥(Infrared drying，IR Dry)、异丙醇(IPA)喷淋提拉干燥，其中，IPA喷淋提拉干燥是比较常用的干燥方式。
[0003]目前的IPA喷淋提拉方式设计会使用升降部件(Lift Pin)将晶圆慢慢地从底部顶起，以进行整面的IPA干燥，但晶圆与升降部件的接触点附近容易出现水痕残留的问题。水痕缺陷是一种常见的缺陷类型，其对芯片的良率具有较大的影响，特别是在前段抛光清洗工艺中影响较大。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种干燥装置和抛光系统，能够解决晶圆与升降部件的接触点产生水痕缺陷的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种干燥装置，包括：升降部件，所述升降部件具有一用于承载待干燥物体的承载面，所述承载面上设置有承载面导流槽。
[0006]可选的，所述待干燥物体为晶圆，所述承载面位于所述升降部件的顶部并用于与所述晶圆的侧壁相接触。
[0007]可选的，所述承载面为弧形面。
[0008]可选的，所述承载面导流槽为条形凹槽且设置于所述承载面的最低点。
[0009]可选的，所述升降部件还具有两个斜面，两个所述斜面分别位于所述承载面的两侧并与所述承载面相接，至少一个所述斜面上设置有斜面导流槽，所述斜面导流槽与所述承载面导流槽连通。
[0010]可选的，所述斜面导流槽为条形凹槽且沿所述升降部件的长度方向延伸布置。
[0011]可选的，两个所述斜面的夹角为50
°
～90
°
。
[0012]可选的，所述斜面导流槽的宽度大于或者等于1.6mm，所述斜面导流槽的槽深大于或等于0.8mm。
[0013]可选的，所述斜面导流槽的落差大于或者等于8.3mm。
[0014]基于同一专利技术构思，本技术还提供一种抛光系统，包括上述任一项所述的干燥装置。
[0015]与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下有益效果：
[0016]本技术提供的干燥装置和抛光系统，包括升降部件，所述升降部件具有一承载面，所述承载面上设置有承载面导流槽，所述承载面导流槽将所述承载面上的溶液排出，减少或者完全去除在待干燥物体边缘的水痕残留，进一步的，所述待干燥物体为晶圆，使得
晶圆的良率提高。进一步的，所述承载面设置为倒角圆弧，以防止晶圆的边缘侧滑掉片。
附图说明
[0017]图1是现有的升降部件与晶圆的位置示意图；
[0018]图2是现有的晶圆的缺陷示意图；
[0019]图3是本技术一实施例的干燥装置的升降部件的立体图；
[0020]图4是本技术一实施例的干燥装置的升降部件的俯视图；
[0021]图5是本技术一实施例的干燥装置的升降部件的正视图；
[0022]图6是本技术一实施例的干燥装置的升降部件的右视图；
[0023]图7是图5所示的干燥装置的升降部件的A
‑
A截面图；
[0024]图8是使用本技术一实施例的干燥装置后的晶圆表面缺陷图；
[0025]其中，
[0026]10
‑
晶圆；11
‑
水痕缺陷；12
‑
升降部件；
[0027]20
‑
升降部件；21
‑
承载部；22
‑
支撑部；21a
‑
第一斜面；21b
‑
第二斜面；21c
‑ꢀ
斜面导流槽；21d
‑
承载面；a
‑
斜面导流槽的落差；b
‑
承载面的半径；c
‑
支撑部高度；d
‑
承载面底部到支撑部底部的距离；e
‑
承载面最高点到支撑部底部的距离； f
‑
支撑部两个平面之间的距离；θ
‑
斜面导流槽的斜角；g
‑
支撑部两个圆弧面之间的距离；R
‑
斜面导流槽的半径；h
‑
斜面导流槽的槽深；i
‑
斜面导流槽的槽宽。
具体实施方式
[0028]为使本技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图对本技术提出的一种干燥装置和抛光系统作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0029]专利技术人研究发现，现有的化学机械研磨(CMP)抛光机台采取的IPA喷淋提拉干燥方式之所以存在天然的缺陷，是因为升降部件与晶圆接触的位置即是晶圆的最低点又是升降部件的接触点，使得IPA溶液汇集在这个低点位置，造成最终出货的晶圆由于缺陷颗粒数量较高而被拒收。图1是现有的升降部件与晶圆的示意图，图2是现有的晶圆的缺陷示意图。如图1所示，现有的干燥装置中的升降部件12没有设计导流槽，溶液残留在晶圆边缘无法排走，导致了晶圆边缘出现了严重的晶圆边缘水痕缺陷11，这是因为，现有的升降部件12在最低点与晶圆10表面的接触点较大，且由于液体的张力作用易于在晶圆10最低点与升降部件12接触点形成边缘水痕缺陷11。
[0030]基于上述发现，专利技术人对大量缺陷的晶圆采用颗粒检测机进行晶圆颗粒检测，并依据颗粒分布(Mapping，Map)图得出颗粒聚集的位置，并根据清洗技术中采用的干燥机构原理分析出造成这个边缘颗粒缺陷的最终原因,进而通过改善升降部件的承载面导流槽减少或者彻底去除晶圆边缘水痕。具体的，本技术实施例提供的干燥装置，包括升降部件，所述升降部件具有一承载面，所述承载面上设置有承载面导流槽，所述承载面导流槽将所述承载面上的溶液排出，减少或者完全去除在晶圆边缘的水痕残留，使得晶圆的良率提高。进一步的，所述承载面设置为倒角圆弧，以防止晶圆的边缘侧滑掉片。
[0031]图3是本技术一实施例的干燥装置的升降部件立体图，图4是本技术一实
施例的干燥装置的升降部件俯视图。如图3和图4所示，干燥装置包括升降部件20和驱动装置(图中未示出)，所述升降部件20具有一承载面21d，所述承载面为弧形面，所述承载面21d用于支撑所述待干燥物体，所述承载面 21d上设置有承载面导流槽，所述承载面导流槽为条形凹槽且设置于所述承载面的最低点。在本实施例中，所述待干燥物体例如是晶圆10。
[0032]所述干燥装置包括承载部21和支撑部22，所述承载部21用于承载晶圆10，所述承载面21d位于所述升降部件的顶部并用于与所述晶圆的侧壁相接触，所述支撑部22用于连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干燥装置，其特征在于，包括升降部件，所述升降部件具有一用于承载待干燥物体的承载面，所述承载面上设置有承载面导流槽。2.如权利要求1所述的干燥装置，其特征在于，所述待干燥物体为晶圆，所述承载面位于所述升降部件的顶部并用于与所述晶圆的侧壁相接触。3.如权利要求1所述的干燥装置，其特征在于，所述承载面为弧形面。4.如权利要求1所述的干燥装置，其特征在于，所述承载面导流槽为条形凹槽且设置于所述承载面的最低点。5.如权利要求1至4中任一项所述的干燥装置，其特征在于，所述升降部件还具有两个斜面，两个所述斜面分别位于所述承载面的两侧并与所述承载面相接，至少一个所述斜面上设置有斜面导流槽，所述斜面导流...

【专利技术属性】
技术研发人员：权林，季文明，蒋策策，胡建平，王红磊，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：