一种避免电应力薄弱点的片式电阻器制造技术

本实用新型专利技术提供一种避免电应力薄弱点的片式电阻器，包括相对布置的两电极、设置在两电极之间且与两电极导电连接的电阻体和设置在电阻体上的切割槽，切割槽包括第一直线槽、第二直线槽和圆角槽，第一、第二直线槽相互垂直布置，圆角槽连接在第一、第二直线槽端部之间，第一直线槽从电阻体未与电极连接的一侧面切入，第一、第二直线槽和圆角槽宽度相同。本实用新型专利技术能够避免出现电应力的薄弱点，分散或者减少负载的集中，实现高功率、高负载的电性能要求。要求。要求。

【技术实现步骤摘要】
一种避免电应力薄弱点的片式电阻器


[0001]本技术涉及一种避免电应力薄弱点的片式电阻器。

技术介绍

[0002]随着新一代电子信息技术的快速发展，片式电阻器元器件发展十分迅速，已逐渐成为应用范围广、市场前景好的新一代片式元器件，它是电子元器件向小型化、轻量化、高可靠发展的具体体现。片式电阻器作为厚膜电路中最重要的元器件，具有产品体积小、重量轻，阻值精度高、温度系数小、适用于各种SMT安装工艺、降低装配成本、具有高可靠性和高稳定性等特点。制作片式电阻器的关键工艺为激光切割调阻，因为经过丝网印刷后的片式电阻器，其阻值会偏离规定的标称值，为此必须进行激光切割阻值的调整，使其达到电阻标称值，并满足规定的阻值精度。
[0003]现有技术中，片式电阻器的激光切割方法为L型切割，第一刀从电阻体的侧面激光切入到1/2左右的深度，对电阻体进行第一次修调阻值，为粗调；第二刀连接第一刀的尾处90℃转直角进行激光切割，对电阻体进行第二次修调阻值，为精调；经过两步的激光切割调阻，使其达到目标阻值。但这种方式有一个最大的问题，在第一刀和第二刀的直角拐角处会出现电应力的薄弱点，此薄弱点遇到较高的电压负载使用环境时，会在这个薄弱点发生过载失效，从而导致该激光切割后的电阻体烧毁，进而导致整个片式电阻器失效。

技术实现思路

[0004]本技术提出一种避免电应力薄弱点的片式电阻器，能够避免出现电应力的薄弱点，分散或者减少负载的集中，实现高功率、高负载的电性能要求。
[0005]本技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种避免电应力薄弱点的片式电阻器，包括相对布置的两电极、设置在两电极之间且与两电极导电连接的电阻体和设置在电阻体上的切割槽，切割槽包括第一直线槽、第二直线槽和圆角槽，第一、第二直线槽相互垂直布置，圆角槽连通在第一、第二直线槽端部之间，第一直线槽从电阻体未与电极连接的一侧面切入，第一、第二直线槽和圆角槽宽度相同。
[0007]进一步的，所述第一直线槽长度小于电阻体宽度的1/2，所述第二直线槽长度小于电阻体长度的1/2。
[0008]进一步的，所述第一直线槽从所述侧面中部切入。
[0009]进一步的，所述第二直线槽端部不超过电极与电阻体搭接位置
[0010]进一步的，所述第一、第二直线槽和圆角槽由激光切割而成。
[0011]进一步的，片式电阻器还包括陶瓷基板。
[0012]本技术具有如下有益效果：
[0013]1、本技术的切割槽包括第一直线槽、第二直线槽和圆角槽，第一、第二直线槽相互垂直布置，圆角槽连接在第一、第二直线槽端部之间，且第一、第二直线槽和圆角槽宽
度相同，第一、第二直线槽之间不再是直角连接，而是通过圆角槽连接，能够使瞬时电压和瞬时功率均匀分布，保证电流密度的一致性，避免出现电应力的薄弱点，保证片式电阻器的抗电压性能，能够分散或者减少负载的集中，实现高功率、高负载的电性能要求。
[0014]2、第一直线槽从侧面中部切入，能够使调阻效果最好。
附图说明
[0015]下面结合附图对本技术做进一步详细说明。
[0016]图1为本技术的结构示意图。
[0017]其中，1、陶瓷基体；2、电极；3、电阻体；4、切割槽；41、第一直线槽；42、第二直线槽；43、圆角槽。
具体实施方式
[0018]如图1所示，避免电应力薄弱点的片式电阻器包括陶瓷基板1、两电极2、电阻体3和切割槽4。陶瓷基板1为长方体，两电极2相对设置在陶瓷基板1左右两端。电阻体3也为长方体，其设置在陶瓷基板1上且位于两电极2之间，电阻体3与两电极2导电连接。切割槽4设置在电阻体3上，具体包括第一直线槽41、第二直线槽42和弧形的圆角槽43，第一直线槽41从电阻体3未与电极2连接的一侧面切入，并沿电阻体3宽度方向延伸，第二直线槽42则沿电阻体3长度方向延伸，第二直线槽42与第一直线槽41相互垂直布置，圆角槽43则连通在第一直线槽41和第二直线槽42端部之间，第一直线槽41、第二直线槽42和圆角槽43的宽度均相同。
[0019]第一直线槽41长度应小于电阻体3宽度的1/2，第二直线槽42长度应小于电阻体3长度的1/2，且第二直线槽42端部不可超过电极2与电阻体3搭接位置。为了使调阻效果最好，在本实施例中，第一直线槽41从电阻体3侧面中部切入。
[0020]第一直线槽41、第二直线槽42和圆角槽43由激光切割而成，激光切割的功率范围设置在0.3W
‑
6W之间，其中，激光切割过程为现有技术。
[0021]以上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，故不能以此限定本技术实施的范围，即依本技术申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本技术专利涵盖的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种避免电应力薄弱点的片式电阻器，其特征在于：包括相对布置的两电极、设置在两电极之间且与两电极导电连接的电阻体和设置在电阻体上的切割槽，切割槽包括第一直线槽、第二直线槽和圆角槽，第一、第二直线槽相互垂直布置，圆角槽连通在第一、第二直线槽端部之间，第一直线槽从电阻体未与电极连接的一侧面切入，第一、第二直线槽和圆角槽宽度相同。2.根据权利要求1所述的一种避免电应力薄弱点的片式电阻器，其特征在于：所述第一直线槽长度小于电阻体宽度的1/2，所述第二直线槽长度小于电阻体长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：严勇，曾小力，潘甲东，陈冬梅，郑金兰，
申请(专利权)人：福建毫米电子有限公司，
类型：新型
国别省市：