【技术实现步骤摘要】
闪存结构及其形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种闪存结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]闪存(Flash Memory)是一种非易失性存储器，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，即断电数据也不会丢失。根据结构不同，闪存可分为或非型闪存(NOR Flash)和与非型闪存(NAND Flash)两种。其中，或非型闪存因为具备可直接执行代码、可靠性强、读取速度快等特性，从而成为闪存技术中主流的非易失性存储器,被广泛应用于手机或主板等需要记录系统编码的领域。
[0003]随着半导体技术的不断发展，缩小或非型闪存的存储单元尺寸也势在必行。然而，尺寸缩小可能会给或非型闪存带来的，诸如可靠性失效、编程效率低等，问题会越发显著。
[0004]因此，现有技术形成的或非型闪存结构性能有待进一步提高。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种闪存结构及其形成方法，以提高形成的闪存结构的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面相互分立的两个存储栅结构，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅结构，所述控制栅结构包括控制栅和位于所述控制栅表面的第一侧墙；位于所述两个存储栅结构之间的擦除栅结构；位于所述控制栅结构侧壁和所述擦除栅极结构之间具有第一侧墙，所述第一侧墙顶部表面低于所述控制栅结构顶部。2.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，位于所述浮栅之间的所述擦除栅结构的顶部具有第一尺寸，位于所述控制栅结构之间的所述擦除栅结构的底部具有第二尺寸，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。3.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，所述擦除栅结构包括擦除栅介质层和位于所述擦除栅介质层上的擦除栅层。4.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，所述控制栅结构还包括位于所述浮栅与所述衬底之间的浮栅氧层。5.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，所述控制栅结构还包括位于所述浮栅和所述控制栅之间的控制栅介质层。6.一种闪存结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成浮栅材料层、位于所述浮栅材料层表面相互分立的两个初始控制栅结构，各初始控制栅结构包括初始控制栅、位于所述初始控制栅上的牺牲层和第一侧墙，所述初始控制栅之间具有控制栅开口，所述牺牲层之间具有暴露出所述控制栅开口的牺牲开口，所述第一侧墙位于所述牺牲开口侧壁；在所述控制栅开口和所述牺牲开口暴露出的所述初始控制栅结构侧壁形成初始第二侧墙和位于所述初始第二侧墙侧壁的第一介质层，所述第一介质层和所述初始第二侧墙的材料不同；刻蚀所述初始第二侧墙，直到所述初始第二侧墙顶部表面低于所述初始控制栅结构顶部表面，以形成第二侧墙；形成所述第二侧墙之后，刻蚀所述浮栅材料层，直到暴露出所述衬底，以形成过渡浮栅，所述过渡浮栅之间具有浮栅开口；在所述控制栅开口、所述牺牲开口和所述浮栅开口内形成擦除栅结构。7.如权利要求6所述的闪存结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始第二侧墙的工艺包括湿法刻蚀工艺。8.如权利要求7所述的闪存结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀液包括磷酸溶液，刻蚀温度范围120℃至180℃，刻蚀液浓度范围80％至90％。9.如权利要求6所述的闪存结构的形成方法，其特征在于，在形成所述浮栅开口之后，且在形成所述擦除栅结构之前，还去除所述第一介质层。10.如权利要求6所述的闪存结构的形成方法，其特征在于，在形成所述擦除栅结构之后，还包括：去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述初始控制栅、所述过渡浮栅，直到暴露出所述衬底表面，形成所述衬底上相互分立的两个存储
栅结构，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅结构，所述控制栅结构包括控制栅和所述第一侧墙，以所述过渡浮栅形成所述浮栅，以所述初始控制栅形成所述控制栅。11.如权利要求10所述的闪存结构的形成方法，其特征在于，所述控制栅结构还包括位于所述浮栅和所述衬底之间的浮栅氧化层；所述浮栅氧化层的形成方法包括：在形成所述浮栅材料层之前，在所述衬底表面形成浮栅氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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