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一种闪存结构及其形成方法，其方法包括：位于浮栅材料层表面相互分立的两个初始控制栅结构，各初始控制栅结构包括初始控制栅、位于初始控制栅上的牺牲层和第一侧墙，初始控制栅之间具有控制栅开口，牺牲层之间具有暴露出控制栅开口的牺牲开口，第一侧墙位于牺...
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