半导体器件的制作方法、三维存储器及存储系统技术方案

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底上的堆叠结构和第一介质层，堆叠结构包括台阶结构、停止层、第二介质层，台阶结构包括层叠设置的栅极层和绝缘层；在台阶区形成第一台阶接触孔，第一台阶接触孔贯穿第一介质层和第二介质层并延伸到停止层；在第一介质层上形成掩膜层；形成包括第一台阶接触孔的第二台阶接触孔，第二台阶接触孔贯穿停止层并延伸到各相对应的栅极层；于第一介质层中形成第一开口；其中，第二台阶接触孔和第一开口在同一刻蚀步骤中形成。通过使第二台阶接触孔和第一开口在同一刻蚀步骤中形成，减少工艺步骤和降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法、三维存储器及存储系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件的制作方法、三维存储器及存储系统。

技术介绍

[0002]近年来，闪存存储器(Flash Memory)的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维存储器(例如3D NAND Flash)应运而生。三维存储器中形成有交替堆叠的多层数据存储单元，将平面结构转化为立体结构，以提高三维存储器的存储密度和集成度。三维存储器可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，从而带来很大程度的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
[0003]随着三维存储器的堆叠层数增加，形成三维存储器的工艺难度越来越大，导致三维存储器的良率和可靠性降低。与此同时，形成三维存储器的工艺步骤和工艺成本随之增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，包括：形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构和第一介质层，所述堆叠结构包括沿平行于所述衬底的横向分布的台阶区和存储区，且包括位于所述台阶区的台阶结构、停止层、第二介质层，所述台阶结构包括以台阶的形式层叠设置的栅极层和绝缘层，所述停止层完全覆盖所述台阶结构，所述第二介质层覆盖所述停止层；在所述台阶区形成第一台阶接触孔，所述第一台阶接触孔贯穿所述第一介质层和所述第二介质层并延伸到所述停止层；在所述第一介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有第一掩膜层开口和第二掩膜层开口，所述第一掩膜层开口与所述第一台阶接触孔相对应；依据所述第一掩膜层开口形成包括所述第一台阶接触孔的第二台阶接触孔，所述第二台阶接触孔贯穿所述停止层并延伸到各相对应的所述栅极层；依据所述第二掩膜层开口，于所述第一介质层中形成第一开口；其中，所述第二台阶接触孔和所述第一开口在同一刻蚀步骤中形成。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成半导体结构的步骤还包括，形成贯穿所述堆叠结构并向所述衬底延伸的沟道结构，所述半导体器件的制作方法，还包括：在所述第一开口中形成沟道接触块，所述沟道接触块与所述沟道结构连通。3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述台阶区形成第一台阶接触孔之后，还包括：对所述第一台阶接触孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾臻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：