使用产物离子碰撞截面信息进行样品分析的技术制造技术

本发明专利技术描述了用于确定产物离子的原子级配置的技术和装置。在一些实施方案中，产物离子CCS信息可用于确定产物离子的亚结构配置，诸如异构体。例如，在一个实施方案中，装置可包括至少一个存储器和逻辑，该逻辑耦接到该至少一个存储器以：接收多个产物离子的解析信息，该解析信息包括产物离子碰撞截面(CCS)信息；对于该多个产物离子中的至少一个产物离子，确定该产物离子CCS信息的方差值。本发明专利技术描述了其他实施方案。其他实施方案。其他实施方案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用产物离子碰撞截面信息进行样品分析的技术
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年1月29日提交的英国专利申请第2001249.8号的优先权和权益，其全部内容以引用方式并入本文。


[0003]本文的实施方案整体涉及样品的质量分析，并且更具体地，涉及基于产物离子的碰撞截面(CCS)信息来确定经由一个或多个产物离子的碎片化获得的产物离子。

技术介绍

[0004]常规分析技术(诸如质谱(MS))不能有效且准确地解析复杂样品组分的低水平结构识别。例如，可以使用MS谱来确定药品化合物的特定代谢物的存在，但不足以辨别特定异构体的存在和/或浓度或代谢物的其他低水平特性。这种挑战对于产物离子特别严重，因为尤其是对于大多数类别的分子，前体离子的碎片的处理质量分析数据已经严重不足或者甚至不存在。因此，期望提供用于解析复杂样品的产物离子的低水平结构特性的技术。
附图说明
[0005]图1示出了第一操作环境的实施方案。
[0006]图2示出了第二操作环境的实施方案。
[0007]图3A示出了可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：至少一个存储器；以及逻辑，所述逻辑耦接到所述至少一个存储器，所述逻辑用于：接收针对多个产物离子的解析信息，所述解析信息包括产物离子碰撞截面(CCS)信息，以及对于所述多个产物离子中的至少一个产物离子，确定所述产物离子CCS信息的方差值。2.根据权利要求1所述的装置，所述逻辑用于确定所述解析信息包括响应于所述方差值超过方差阈值的所述至少一个产物离子的多个子结构配置的信息。3.根据权利要求1所述的装置，所述逻辑用于确定所述解析信息包括响应于所述方差值超过方差阈值的所述至少一个产物离子的多个异构体的信息。4.根据权利要求1所述的装置，所述逻辑用于基于所述产物离子CCS信息排除所述至少一个产物离子的候选离子。5.根据权利要求1所述的装置，所述解析信息包括产物离子的二维(2D)指纹，所述2D指纹包括产物离子CCS信息和质荷比(m/z)信息。6.根据权利要求5所述的装置，所述逻辑用于使用所述2D指纹来区分所述多个产物离子的异构体。7.根据权利要求1所述的装置，所述解析信息包括产物离子的三维(3D)指纹，所述3D指纹包括产物离子CCS信息、强度信息和质荷比(m/z)信息。8.根据权利要求6所述的装置，所述逻辑用于使用所述3D指纹来区分所述多个产物离子的异构体。9.根据权利要求1所述的装置，所述逻辑用于：接收基于先验结构确定的历史产物离子CCS信息，以及基于所述产物离子CCS信息和所述历史产物离子CCS信息排除至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：沃特世科技爱尔兰有限公司，
类型：发明
国别省市：