半导体电路制造技术

本发明专利技术提供一种半导体电路，包括控制芯片和逆变器单元；所述逆变器单元还包括第一高阻控制端、第二高阻控制端、第一逆变模块、具有第一电阻的第一高阻控制单元以及具有第二电阻的第二高阻控制单元，第一逆变模块包括第一逆变三极管和第二逆变三极管；第一高阻控制单元用于根据第一高阻控制信号控制其信号输入端串联第一电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加第一高阻控制单元的信号输出端的耐压；第二高阻控制单元用于根据第二高阻控制信号控制其信号输入端串联第二电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加第二高阻控制单元的信号输出端的耐压。与相关技术相比，本发明专利技术的技术方案的耐压值可调且应用范围广。明的技术方案的耐压值可调且应用范围广。明的技术方案的耐压值可调且应用范围广。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路


[0001]本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种半导体电路。

技术介绍

[0002]随着工业快速发展，半导体电路正朝着智能化、集成化的方向发展，智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类的半导体电路,兼有大功率晶体管高电流、低饱和电压和高耐压的优点，以及场效应晶体管高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且半导体电路的内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，正是集成多个逻辑电路，使得应用设计简易，不仅减少了系统的体积，缩短了开发时间，也增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向，半导体电路在功率电子领域得到了越来越广泛的应用。半导体电路中集成模块是实现功率控制模块集成化、小型化和智能化的主要途径。
[0003]相关技术中，半导体电路包括控制芯片和与所述控制芯片连接的逆变器单元。请参考图1所示，所述控制芯片010为智能功率模块中常用的控制芯片。所述逆变器单元包括三组逆变模块，第一组逆变模块由逆变三极管001和逆变三极管004组成；逆变三极管001为上桥臂1，逆变三极管004为下桥臂。第二组逆变模块由逆变三极管0021和逆变三极管005组成；逆变三极管0021为上桥臂1，逆变三极管005为下桥臂。第三组逆变模块由逆变三极管003和逆变三极管006组成；逆变三极管003为上桥臂1，逆变三极管006为下桥臂。其中，逆变三极管为一个三极管和二极管并列组成，即二极管的正极端连接至三极管的源极，二极管的负极端连接至三极管的漏极。第一组逆变模块的连接关系为：逆变三极管001的栅极和逆变三极管004的栅极均连接至所述控制芯片010；上桥臂的逆变三极管001的漏极与半导体电路的高压输入端P连接，上桥臂的逆变三极管001的源极与下桥臂的逆变三极管004的漏极连接，下桥臂的逆变三极管004的源极与半导体电路的引脚UN端连接。第二组逆变模块和第三组逆变模块连接关系与第一组逆变模块的连接关系结构相同。
[0004]然而,半导体电路中集成模块通过把多个裸芯片合封成型，因为每个裸芯出厂时候已经设定了其性能值，比如耐压值多少，电流多少等，在半导体电路封测过程，一旦选好方案，半导体电路中的性能参数值固定下来，使得半导体电路封测后的模组使用的局限性，比如半导体电路封测后的模组的产品的芯片耐压值在600V/15A规格下，该芯片只能局限应用到600V/15A规格的应用场景，类似1200V/15A规格的应用场景则无法应用。上述半导体电路封测后的模组的产品的芯片自身资源的限制及应用客户开发资源的限制，缺少应用灵活性，应用受限制。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于针对现有技术中的不足之处，提供一种高压集成电路，能够耐压值可调且应用范围广。
[0006]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
本专利技术提供一种一种半导体电路，其包括控制芯片和与所述控制芯片连接的逆变器单元；所述逆变器单元包括至少一个逆变模块,所述逆变器单元还包括第一高阻控制端、第二高阻控制端、具有第一电阻的第一高阻控制单元以及具有第二电阻的第二高阻控制单元，所述逆变模块包括第一逆变模块；所述第一高阻控制端用于接收外部的第一高阻控制信号；所述第二高阻控制端用于接收外部的第二高阻控制信号；所述第一逆变模块包括第一逆变三极管和第二逆变三极管；所述第一高阻控制单元用于根据所述第一高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第一电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第一高阻控制单元的信号输出端的耐压；所述第二高阻控制单元用于根据所述第二高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第二电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第二高阻控制单元的信号输出端的耐压；所述第一逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGU管脚端；所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端,或者所述第一逆变三极管的漏极作为所述半导体电路的P管脚端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端,或者所述第一逆变三极管的源极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；所述第二逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGU管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端,或者所述第二逆变三极管的漏极连接至所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端,或者所述第二逆变三极管的源极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；所述第一高阻控制单元的控制端作为所述第一高阻控制端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端，或者所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的U管脚端；所述第二高阻控制单元的控制端作为所述第二高阻控制端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端，或者连接至所述半导体电路的NU管脚端。
[0007]更进一步地，所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端。
[0008]更进一步地，所述逆变器单元还第三高阻控制端、第四高阻控制端、第二逆变模块、第三逆变模块、具有第三电阻的第三高阻控制单元以及具有第四电阻的第四高阻控制单元；所述第一高阻控制单元、所述第二高阻控制单元、所述第三高阻控制单元以及所述第四高阻控制单元的电路结构相同；所述第三高阻控制端用于接收外部的第三高阻控制信号；所述第四高阻控制端用于接收外部的第四高阻控制信号；所述第二逆变模块包括第三逆变三极管和第四逆变三极管；所述第三逆变模块包
括第五逆变三极管和第六逆变三极管；所述第一高阻控制单元的信号输入端还分别连接至所述第三逆变三极管的漏极和所述第三逆变三极管的漏极；所述第三逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGV管脚端；所述第三逆变三极管的源极作为所述半导体电路的V管脚端；所述第四逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGV管脚端；所述第四逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NV管脚端；所述第四逆变三极管的漏极连接至所述第三高阻控制单元的信号输入端；所述第三高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的V管脚端；所述第三高阻控制单元的控制端作为所述第三高阻控制端；所述第五逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGW管脚端；所述第五逆变三极管的源极作为所述半导体电路的W管脚端；所述第六逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGW管脚端；所述第六逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NW管脚端；所述第六逆变三极管的漏极连接至所述第四高阻控制单元的信号输入端；所述第四高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的W管脚端；所述第四高阻控制单元的控制端作为所述第四高阻控制端。
[0009]更进一步地，所述第一高阻控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，其包括控制芯片和与所述控制芯片连接的逆变器单元；所述逆变器单元包括至少一个逆变模块,其特征在于，所述逆变器单元还包括第一高阻控制端、第二高阻控制端、具有第一电阻的第一高阻控制单元以及具有第二电阻的第二高阻控制单元，所述逆变模块包括第一逆变模块；所述第一高阻控制端用于接收外部的第一高阻控制信号；所述第二高阻控制端用于接收外部的第二高阻控制信号；所述第一逆变模块包括第一逆变三极管和第二逆变三极管；所述第一高阻控制单元用于根据所述第一高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第一电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第一高阻控制单元的信号输出端的耐压；所述第二高阻控制单元用于根据所述第二高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第二电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第二高阻控制单元的信号输出端的耐压；所述第一逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGU管脚端；所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端,或者所述第一逆变三极管的漏极作为所述半导体电路的P管脚端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端,或者所述第一逆变三极管的源极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；所述第二逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGU管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端,或者所述第二逆变三极管的漏极连接至所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端,或者所述第二逆变三极管的源极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；所述第一高阻控制单元的控制端作为所述第一高阻控制端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端，或者所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的U管脚端；所述第二高阻控制单元的控制端作为所述第二高阻控制端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端，或者连接至所述半导体电路的NU管脚端。2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端。3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述逆变器单元还第三高阻控制端、第四高阻控制端、第二逆变模块、第三逆变模块、具有第三电阻的第三高阻控制单元以及具有第四电阻的第四高阻控制单元；所述第一高阻控制单元、所述第二高阻控制单元、所述第三高阻控制单元以及所述第四高阻控制单元的电路结构相同；所述第三高阻控制端用于接收外部的第三高阻控制信号；所述第四高阻控制端用于接收外部的第四高阻控制信号；所述第二逆变模块包括第三逆变三极管和第四逆变三极管；所述第三逆变模块包括第
五逆变三极管和第六逆变三极管；所述第一高阻控制单元的信号输入端还分别连接至所述第三逆变三极管的漏极和所述第三逆变三极管的漏极；所述第三逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGV管脚端；所述第三逆变三极管的源极作为所述半导体电路的V管脚端；所述第四逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGV管脚端；所述第四逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NV管脚端；所述第四逆变三极管的漏极连接至所述第三高阻控制单元的信号输入端；所述第三高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的V管脚端；所述第三高阻控制单元的控制端作为所述第三高阻控制端；所述第五逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGW管脚端；所述第五逆变三极管的源极作为所述半导体电路的W管脚端；所述第六逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGW管脚端；所述第六逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NW管脚端；所述第六逆变三极管的漏极连接至所述第四高阻控制单元的信号输入端；所述第四高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的W管脚端；所述第四高阻控制单元的控制端作为所述第四高阻控制端。4.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，张土明，华庆，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：